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基于金刚石探测器的低噪声高增益电荷灵敏放大器研制
1
作者 王民川 朱志甫 +4 位作者 黄河 邹继军 邢宗强 方波 陈少佳 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第3期388-396,共9页
金刚石探测器在核辐射探测中具有广阔的应用。本文基于电荷灵敏放大器的基本原理,采用共源极放大器和差分放大器的组合方式,设计了一种基于金刚石探测器的低噪声高增益电荷灵敏放大器。实验结果显示,本底等效噪声电荷为168 e^(-),能谱... 金刚石探测器在核辐射探测中具有广阔的应用。本文基于电荷灵敏放大器的基本原理,采用共源极放大器和差分放大器的组合方式,设计了一种基于金刚石探测器的低噪声高增益电荷灵敏放大器。实验结果显示,本底等效噪声电荷为168 e^(-),能谱分辨率和电荷收集效率分别为2.63%和86%。所有指标均达到了设计要求。该放大器有望在金刚石探测器的能谱分析、位置分辨和束流监测等领域得到应用。 展开更多
关键词 金刚石 低噪声 高增益 电荷灵敏放大器
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基于电阻电流镜的低压灵敏放大器设计 被引量:5
2
作者 郭家荣 冉峰 徐美华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1030-1034,共5页
提出一种适用于低压快闪存储器的电流模式的低压灵敏放大器.该灵敏放大器在基准电流产生电路中使用电阻电流镜代替传统的晶体管电流镜,使得基准电流产生电路的工作电压减少了一个阈值电压,从而降低灵敏放大器的工作电压.位线电压控制电... 提出一种适用于低压快闪存储器的电流模式的低压灵敏放大器.该灵敏放大器在基准电流产生电路中使用电阻电流镜代替传统的晶体管电流镜,使得基准电流产生电路的工作电压减少了一个阈值电压,从而降低灵敏放大器的工作电压.位线电压控制电路中运算放大器的使用减少了由于温度和工艺变化所引起的位线电压变化,进而提高读取操作的精度.采用中芯国际90nm工艺设计,提出的灵敏放大器在1.2V电源电压时的读取时间是14.7ns,相对于传统的结构,单个灵敏放大器的功耗被优化了13%. 展开更多
关键词 灵敏放大器 电流模式 低压 快闪存储器
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A250电荷灵敏放大器的性能和设计制作 被引量:4
3
作者 蔡建新 闫华文 +1 位作者 刘洪涛 陈淘 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期66-68,共3页
阐述了A250混合集成电荷灵敏放大器的特性、性能指标和应用,以及它的参数测量方法,给出了具体应用中设计的电路。
关键词 A250 电荷灵敏放大器 噪声
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一种新型的SOI灵敏放大器 被引量:1
4
作者 刘新宇 孙海峰 +2 位作者 海潮和 和致经 吴德馨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期857-859,共3页
本文利用“灵巧的体接触 (Smart Body Contact)”技术设计出一种新型的SOI灵敏放大器 .采用Hspice软件对体硅的和新型的交叉耦合灵敏放大器进行模拟和比较 ,发现新型的交叉耦合灵敏放大器比体硅的交叉耦合灵敏放大器延迟时间缩短 30 % ... 本文利用“灵巧的体接触 (Smart Body Contact)”技术设计出一种新型的SOI灵敏放大器 .采用Hspice软件对体硅的和新型的交叉耦合灵敏放大器进行模拟和比较 ,发现新型的交叉耦合灵敏放大器比体硅的交叉耦合灵敏放大器延迟时间缩短 30 % ,最小电压分辨可达 0 0 5V .最后 ,我们成功地将该电路应用于CMOS/SOI 6 4KbSRAM电路 ,电路存取时间仅 展开更多
关键词 灵敏放大器 体接触技术 绝缘体上硅
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适用于闪存的高速灵敏放大器 被引量:1
5
作者 郭家荣 冉峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期570-574,共5页
提出了一种适用于闪存的高速灵敏放大器。该灵敏放大器删除了位线嵌位电路,直接使用1.2 V电源供电的预充电路预充选定单元的位线到1.2 V电压级,与传统的通过位线嵌位电路嵌位的位线电压(0.5~0.8 V)相比,不仅节省了位线电压的稳定时间... 提出了一种适用于闪存的高速灵敏放大器。该灵敏放大器删除了位线嵌位电路,直接使用1.2 V电源供电的预充电路预充选定单元的位线到1.2 V电压级,与传统的通过位线嵌位电路嵌位的位线电压(0.5~0.8 V)相比,不仅节省了位线电压的稳定时间,而且增强了读取单元的电流窗口,进而减少感应延迟。在位线多路选择器中使用低压p沟道型晶体管,避免了列译码器中电压级移位器的使用,结果增强了位线有效预充时间。采用90 nm闪存工艺设计,提出的灵敏放大器在2.5 V电源电压时的读取时间是11.2 ns,相对于传统的结构,单个灵敏放大器的读取速度被优化了约20%。 展开更多
关键词 闪存 灵敏放大器 电流模式 高速 低压PMOS晶体管
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基于灵敏放大器的高性能低功耗触发器设计 被引量:1
6
作者 黄正峰 苏子安 +3 位作者 曹迪 戚昊琛 倪天明 徐奇 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第12期1633-1638,共6页
文章提出了一种基于灵敏放大器的触发器设计,称为Cinv SAFF。Cinv SAFF沿用Con SAFF的主级部分,引入C单元加2个反相器构成的锁存器作为从级,有效地精简了晶体管的数量,降低了面积成本和功耗开销,其输出端反相器将输出电容负载与内部结... 文章提出了一种基于灵敏放大器的触发器设计,称为Cinv SAFF。Cinv SAFF沿用Con SAFF的主级部分,引入C单元加2个反相器构成的锁存器作为从级,有效地精简了晶体管的数量,降低了面积成本和功耗开销,其输出端反相器将输出电容负载与内部结构相隔离,起到屏蔽内部噪声及毛刺的作用。通过详尽的HSPICE实验,将所提出的Cinv SAFF与其他7种相关结构进行全面对比,仿真结果表明:Cinv SAFF适用于高速运行,可工作于2 GHz的高频环境下;与已有的SAFF相比,在不带负载的情况下,所提Cinv SAFF的功耗、面积开销、功耗延迟积平均减小了25.07%、25.63%、19.3%;而在带20 fF电容负载的情况下,Cinv SAFF的延迟和功耗平均减小了11.8%和19.95%。Cinv SAFF具有较好的功耗、面积开销和功耗延迟积特性,在延迟方面也具有一定可比性。 展开更多
关键词 高性能 低功耗 触发器 灵敏放大器 C单元
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电荷灵敏放大器不用反馈高值电阻的新方法
7
作者 席德明 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期195-201,212,共8页
本文提出了一种电荷灵敏放大器不用反馈高值电阻的新方法。对这种方法作了电路分析以及对实际电路的测量结果作了介绍。
关键词 电荷灵敏放大器 反馈高阻 直流稳定 门-源结 正向偏置
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阴极适应多丝室电荷灵敏放大器的研制 被引量:4
8
作者 张健 卫小乐 +3 位作者 刘士兴 张永明 阴泽杰 吴孝义 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期677-680,共4页
 电荷放大器是粒子描迹仪系统中一个重要组成部分,它的目的是把多丝正比室输出的弱电信号进行放大并处理为准高斯信号以供CIA(电流积分型ADC)电路进行数字化。整个电路主要包括放大、成型两个部分。可把不同幅度的输入脉冲放大成型为宽...  电荷放大器是粒子描迹仪系统中一个重要组成部分,它的目的是把多丝正比室输出的弱电信号进行放大并处理为准高斯信号以供CIA(电流积分型ADC)电路进行数字化。整个电路主要包括放大、成型两个部分。可把不同幅度的输入脉冲放大成型为宽度600ns的准高斯波形。 展开更多
关键词 多丝正比室 电荷灵敏放大器 重心读出 CIA
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适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器 被引量:1
9
作者 黄鹏 王源 +2 位作者 杜刚 张钢刚 康晋锋 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期600-604,共5页
提出一种新型快速预充Flash灵敏放大器,能够实现在低电源电压下的快速工作。采用反相器反馈控制的预充电路模块,使得预充速度得以提升。还提出新型快速预充Flash灵敏放大器的改进型,进一步使用反相器构成参考电压发生电路,取消电流源模... 提出一种新型快速预充Flash灵敏放大器,能够实现在低电源电压下的快速工作。采用反相器反馈控制的预充电路模块,使得预充速度得以提升。还提出新型快速预充Flash灵敏放大器的改进型,进一步使用反相器构成参考电压发生电路,取消电流源模块,从而降低功耗。新型电路在速度和功耗上有较大改善,65 nm CMOS工艺条件下仿真结果表明,相比传统结构,新结构预充速度提高15%,功耗降低14%。 展开更多
关键词 快闪存储器 灵敏放大器 低压 预充
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用于高密度RRAM单端式可编程灵敏放大器设计 被引量:1
10
作者 马文龙 张锋 +1 位作者 杨红官 陈铖颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期735-739,共5页
针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构。该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响。通过在电路中引入可编程模式,使该... 针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构。该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响。通过在电路中引入可编程模式,使该灵敏放大器结构能够有效克服工艺偏差对存储单元能否正确存储信息的影响,从而实现存储信息的正确读出。该灵敏放大器基于HHNEC 0.13μmCMOS工艺设计实现,并且成功应用于8 Mbit RRAM设计中,通过后仿真验证,结果表明,在2~32μA电流范围内,灵敏放大器最小分辨率可达1μA。 展开更多
关键词 阻变存储器(RRAM) 单端式 可编程 灵敏放大器 阈值电压
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一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计 被引量:2
11
作者 王勇 张新川 +1 位作者 唐明华 蒋波 《现代电子技术》 2009年第24期5-7,共3页
快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要。对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使... 快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要。对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使放大器的读取速度得到显著提高。采用上海宏力0.18μm工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在1.8 V工作电压和室温条件下,放大器的读取时间仅为13 ns。 展开更多
关键词 电流灵敏放大器 非挥发性存储器 深亚微米 HSPICE
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一种面向无源RFID电子标签的电流灵敏放大器设计 被引量:1
12
作者 李文晓 李建成 +2 位作者 李聪 王震 尚靖 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2014年第12期2361-2366,共6页
提出了一种适用于无源射频识别RFID电子标签中多次可编程MTP非易失性存储器NVM的新型电流灵敏放大器结构。该电路在不增加面积的情况下具有低功耗、高速度、高可靠性和高灵敏度的优越性能。基于GSMC 0.13μm-CMOS工艺下的仿真结果表明,... 提出了一种适用于无源射频识别RFID电子标签中多次可编程MTP非易失性存储器NVM的新型电流灵敏放大器结构。该电路在不增加面积的情况下具有低功耗、高速度、高可靠性和高灵敏度的优越性能。基于GSMC 0.13μm-CMOS工艺下的仿真结果表明,新型灵敏放大器在-40℃-80℃的环境下具有很高的读取速度,且能够工作在低电压(0.8V)下。在1.2V工作电压、27℃室温下电路的读出延时是10.5ns,平均功耗为6.1μW@25MHz,分辨率可达到33nA。 展开更多
关键词 灵敏放大器 射频识别 非易失性存储器 MTP 低功耗
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高速低功耗电流型灵敏放大器的设计 被引量:2
13
作者 朱婷 夏建新 蒋见花 《现代电子技术》 2011年第2期157-160,共4页
提出了一款适合在低电压、大容量SRAM中应用的高速低功耗电流型灵敏放大器。该电路在交叉耦合反相器之间添加了一对隔离管,有效消除了大量位线寄生电容所带来的负面影响,从而极大提高了灵敏放大器的速度。同时,通过对时序控制电路的优化... 提出了一款适合在低电压、大容量SRAM中应用的高速低功耗电流型灵敏放大器。该电路在交叉耦合反相器之间添加了一对隔离管,有效消除了大量位线寄生电容所带来的负面影响,从而极大提高了灵敏放大器的速度。同时,通过对时序控制电路的优化,有效降低了放大器的功耗。采用SMIC 0.13μm数字工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在室温,1.2 V工作电压下,灵敏放大器的放大延迟仅为0.344 ns,功耗为102μW。相比文献中提出的电流型灵敏放大器,速度分别提高了9.47%和31.2%,功耗则降低了64.8%与63%。 展开更多
关键词 电流型灵敏放大器 交叉耦合反相器 隔离管 时序控制电路
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基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计 被引量:1
14
作者 龚道辉 汪鹏君 +1 位作者 康耀鹏 张会红 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期248-253,共6页
通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器;... 通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器;其次结合输入输出信号分离方法,提高放大差分信号速度;然后利用使能信号控制电路状态,降低三值灵敏放大器功耗。采用32nm CNFET标准模型库进行HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确;芯片成品率高达96.48%,具有较强的稳定性,且与利用CMOS设计的二值灵敏放大器相比工作速度提高64%,功耗降低83.4%。 展开更多
关键词 碳纳米场效应晶体管 三值灵敏放大器 成品率 高速低功耗
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适用于电子倍增器件的电荷灵敏放大器的设计 被引量:5
15
作者 张斌婷 闫保军 +4 位作者 刘术林 温凯乐 王玉漫 谷建雨 姚文静 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第8期792-797,共6页
介绍了一种自主研制的新型电荷灵敏型三级放大器,其电路设计主要采用ADA4817高速低噪声集成运算放大芯片,该三级放大器噪声低、稳定性好、电路结构简单、性价比高、检修更换方便,可以不失真地放大上升时间在ns级的信号,放大器输出信号... 介绍了一种自主研制的新型电荷灵敏型三级放大器,其电路设计主要采用ADA4817高速低噪声集成运算放大芯片,该三级放大器噪声低、稳定性好、电路结构简单、性价比高、检修更换方便,可以不失真地放大上升时间在ns级的信号,放大器输出信号质量优异,可配合后续的多道分析器MCA8000D读取微通道板(microchannel plate,MCP)组件或单通道电子倍增器(single-channel electron multiplier,CEM)的单光电子谱,测试结果表明:自主设计的ADA4817型放大器在一定的方波标定脉冲信号下,其基线的宽度小于2 m V,上升沿时间约为800 ns,幅值约为40 m V,性能接近或略优于A250型放大器,可以更好地配合后续的多道分析器MCA8000D进行输出波形的分析和处理,完全满足MCP或CEM探测器的脉冲性能测试需求。 展开更多
关键词 电子倍增器 脉冲计数 单光电子谱 电荷灵敏放大器
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一种应用于SRAM中的高速电压模型灵敏放大器(英文) 被引量:3
16
作者 刘康生 虞致国 +3 位作者 王恬 梁思思 钱黎明 顾晓峰 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期696-702,共7页
设计了一种应用于静态随机存储器(SRAM)读数据过程中的电压型灵敏放大器(SA).与传统交叉耦合结构SA相比,增加了由NMOS管构成的第二级交叉放大电路及由上拉和下拉电路组成的输出电路.改进的结构能在快速而且高增益地放大位线上电压差的同... 设计了一种应用于静态随机存储器(SRAM)读数据过程中的电压型灵敏放大器(SA).与传统交叉耦合结构SA相比,增加了由NMOS管构成的第二级交叉放大电路及由上拉和下拉电路组成的输出电路.改进的结构能在快速而且高增益地放大位线上电压差的同时,改善灵敏度低的问题,确保了SRAM在不工作时数据输出端口的输出不受内部干扰.仿真结果表明,与传统结构相比,本设计减少了为确保输出节点全摆幅而所需的95%的位线上电压,同时在相同差分电压输入的情况下,响应时间减少了80%. 展开更多
关键词 灵敏放大器 交叉耦合 电压模型
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适用于低功耗SRAM的高速电流模式灵敏放大器(英文)
17
作者 唐文懿 贾嵩 +3 位作者 徐鹤卿 孟庆龙 王源 张钢刚 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期681-684,共4页
提出一种新型电流模式SRAM灵敏放大器结构。该灵敏放大器采用两级结构,通过增加一级基于锁存器结构的高速放大电路,能够快速感应位线的电流变化并放大为全摆幅信号,不仅能加快求值速度,而且电流传送器还起到隔离直流通路、减少电路直通... 提出一种新型电流模式SRAM灵敏放大器结构。该灵敏放大器采用两级结构,通过增加一级基于锁存器结构的高速放大电路,能够快速感应位线的电流变化并放大为全摆幅信号,不仅能加快求值速度,而且电流传送器还起到隔离直流通路、减少电路直通功耗的作用。基于1.0 V/65 nm工艺的HSPICE仿真结果显示,与WTA灵敏放大器相比,该灵敏放大器速度提高17%,功耗减少86%。 展开更多
关键词 SRAM 灵敏放大器 低功耗 高速
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用于硅多条阵列探测器的48路前置电荷灵敏放大器的研制
18
作者 王彦瑜 黄继江 +3 位作者 祁辉荣 马晓莉 徐治国 郭忠言 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期568-571,共4页
介绍了一套用于硅多条阵列探测器中的高密度多通道电荷灵敏放大器的研制和阵列探测器电子学的发展现状和工作原理,提出了设计原则和设计思路,特别介绍了一个新开发的用于硅多条探测器中的48路电荷灵敏前置放大器的设计和实际测量结果。... 介绍了一套用于硅多条阵列探测器中的高密度多通道电荷灵敏放大器的研制和阵列探测器电子学的发展现状和工作原理,提出了设计原则和设计思路,特别介绍了一个新开发的用于硅多条探测器中的48路电荷灵敏前置放大器的设计和实际测量结果。它具有低成本、高密度的特点,好于1%的能量分辨和良好的长期稳定性。 展开更多
关键词 阵列探测器 多通道 电荷灵敏前置放大器
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基于同轴型高纯锗探测器的CMOS电荷灵敏前置放大器设计
19
作者 刘崭 何高魁 刘海峰 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第3期717-724,共8页
本文设计了一款多通道低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于输入电容较大的同轴型高纯锗探测器。大电容探测器会带来更大的输入噪声,为保证高能量分辨率,对前端电子学的噪声性能提出了较高的标准。在多级放大器中,总噪声受第一级噪声的影... 本文设计了一款多通道低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于输入电容较大的同轴型高纯锗探测器。大电容探测器会带来更大的输入噪声,为保证高能量分辨率,对前端电子学的噪声性能提出了较高的标准。在多级放大器中,总噪声受第一级噪声的影响最显著。因此,输入管必须具有优异的噪声性能,通过采用优化后的噪声模型、多次仿真迭代和特殊的版图结构得到低噪声输入管。当输入管尺寸较大时,会产生栅极漏电流,漏电流会改变前置放大器输出的基准位置。本文采用了一种带漏电流补偿的反馈电阻模块,该模块消除了反馈电阻对电源、温度和工艺变化的敏感性,同时可补偿几μA的泄漏电流,且电路为自偏置,无需外部偏压设定反馈电阻阻值。此前置放大器在10 pF的探测器电容下,上升时间不超过50 ns,且无任何震荡现象。在低温下前置放大器展示出仅5.6个电子的低噪声性能,具有5 mV/fC的输出转换增益和0.15%的线性度及12.5 mW的较低静态功耗。在特定的低能量辐射检测应用中,电路性能良好。 展开更多
关键词 高纯锗探测器 电荷灵敏前置放大器 低噪声 集成电路设计
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低噪声电荷灵敏前置放大器的噪声分析 被引量:15
20
作者 陈波 刘松秋 +1 位作者 薛志华 赵捷 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期612-614,626,共4页
本文从基本的噪声模型出发,对自制前置放大器进行定量的噪声分析,并与Pspice仿真和实际测量的结果进行比较。给出等效输出噪声谱、等效噪声电荷、噪声斜率计算的实用公式,供电荷灵敏前置放大器的设计和改进使用。
关键词 噪声模型 电荷灵敏前置放大器
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