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Cs_3Cu_2I_5晶体薄膜吸收谱的研究
被引量：
1
1
作者
孙家林
国清华
+1 位作者
吴源
李师群
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期648-650,共3页
本文测定了Ｃｓ３Ｃｕ２ Ｉ５ 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱，并依此计算出该材料的激子参数，即激子束缚能ΔＥ（１）ｅｘ ＝ （０．５３±０．０７）ｅＶ，激子半径ａｅｘ ＝ ０．３２６ ｎｍ ，禁带宽度Ｅｇ ＝ （５．０...
本文测定了Ｃｓ３Ｃｕ２ Ｉ５ 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱，并依此计算出该材料的激子参数，即激子束缚能ΔＥ（１）ｅｘ ＝ （０．５３±０．０７）ｅＶ，激子半径ａｅｘ ＝ ０．３２６ ｎｍ ，禁带宽度Ｅｇ ＝ （５．００±０．０７）ｅＶ。在谱分析的基础上，论证了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５ 的电子和激子激发定域在该晶体的ＣｕＩ亚晶格之中，同时，揭示了在低温下Ｃｓｘ Ｃｕ１－ ｘ Ｉ系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。
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关键词
Cs3Cu2I5
晶体薄膜
薄膜
吸收谱
激子状态
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职称材料
题名
Cs_3Cu_2I_5晶体薄膜吸收谱的研究
被引量：
1
1
作者
孙家林
国清华
吴源
李师群
机构
清华大学现代应用物理系
中国科学院物理所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期648-650,共3页
基金
国家教委回国人员科研资助
清华大学实验室开放基金
文摘
本文测定了Ｃｓ３Ｃｕ２ Ｉ５ 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱，并依此计算出该材料的激子参数，即激子束缚能ΔＥ（１）ｅｘ ＝ （０．５３±０．０７）ｅＶ，激子半径ａｅｘ ＝ ０．３２６ ｎｍ ，禁带宽度Ｅｇ ＝ （５．００±０．０７）ｅＶ。在谱分析的基础上，论证了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５ 的电子和激子激发定域在该晶体的ＣｕＩ亚晶格之中，同时，揭示了在低温下Ｃｓｘ Ｃｕ１－ ｘ Ｉ系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。
关键词
Cs3Cu2I5
晶体薄膜
薄膜
吸收谱
激子状态
Keywords
Thin film, Absorption spectra, Exciton
分类号
O614.115 [理学—无机化学]
O614.121 [理学—无机化学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
Cs_3Cu_2I_5晶体薄膜吸收谱的研究
孙家林
国清华
吴源
李师群
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
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