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GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应
被引量：
6
1
作者
吴晓薇
郭子政
阎祖威
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期75-80,共6页
考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别。在此基础上计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化。研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响。结果表明,电子势...
考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别。在此基础上计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化。研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响。结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大。
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关键词
光电子学
量子阱
内建电场
激发态极化
静压
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职称材料
题名
GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应
被引量：
6
1
作者
吴晓薇
郭子政
阎祖威
机构
内蒙古农业大学基础课部
内蒙古大学理工学院物理系
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期75-80,共6页
基金
国家自然科学基金(10264003)内蒙古教育厅重大项目(NJ02054)资助课题
文摘
考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别。在此基础上计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化。研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响。结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大。
关键词
光电子学
量子阱
内建电场
激发态极化
静压
Keywords
optoelectronics
quantum well
build-in internal electric field
the polarization of excited state
hydrostatic pressure
分类号
O471 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应
吴晓薇
郭子政
阎祖威
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005
6
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