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题名脉宽对中红外激光带内损伤HgCdTe材料的影响
被引量：1
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作者
胡蔚敏
王小军
田昌勇
杨晶
刘可
彭钦军
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机构
中国科学院理化技术研究所固体激光重点实验室
中国科学院理化技术研究所功能晶体与激光技术重点实验室
中国科学院大学
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出处
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期126-133,共8页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金项目(61805259)
中国科学院固体激光重点实验室基金项目。
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文摘
研究了脉宽对于中红外脉冲激光带内损伤碲镉汞(HgCdTe)材料阈值的影响,使用一维自洽模型对激光辐照HgCdTe材料程中的载流子数密度,载流子对数目流,载流子对能流,载流子温度和材料晶格温度等相关参数进行仿真计算。仿真结果表明,波长2.85μm,脉宽30 ps~10 ns单脉冲激光带内辐照HgCdTe材料的损伤阈值为200~500 mJ/cm^(2)。其中,300 ps~3 ns脉冲激光的损伤阈值相近,均为200 mJ/cm^(2)且低于其他脉宽激光的损伤阈值。搭建实验光路并进行相关实验验证仿真模型的正确性。实验发现,波长2.85μm、脉宽300 ps的单脉冲激光带内辐照HgCdTe材料的损伤阈值在200 mJ/cm^(2)左右。相同条件下,10 ns单脉冲激光带内辐照HgCdTe材料的损伤阈值约474 mJ/cm^(2)。百皮秒脉冲激光对HgCdTe材料的损伤过程结合了热击穿和光学击穿效应,其独特的毁伤机理加剧了材料的损伤。
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关键词
激光辐照半导体
碲镉汞
损伤阈值
自洽模型
百皮秒脉冲激光
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Keywords
laser radiation semiconductor
HgCdTe
damage threshold
self-consistent model
hundredpicosecond pulsed laser
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分类号
TL814
[核科学技术—核技术及应用]
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