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题名由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析
被引量：4
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作者
刘楠
刘大鹏
张辉
祝伟明
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机构
上海航天技术研究院第
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期468-472,共5页
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文摘
随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。
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关键词
栅氧损伤
闩锁效应
可控硅(SCR)
微光显微镜(EMMI)技术
激光诱导阻值变化
(
OBIRCH)
技术
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Keywords
gate oxide damage
latch-up effect
silicon controlled rectifier （SCR）
emission mi- croscope （EMMI） technology
optical beam induce resistance change （OBIRCH） technology
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名0．13μmDSP芯片静态电流测试失效分析研究
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作者
谈莉
汪辉
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机构
上海交通大学微电子学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第7期578-580,共3页
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文摘
静态电流(IDDQ)测试是一种很灵敏且具有成本效益的集成电路测试技术,针对0.13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况,利用激光束诱导电阻值变化(OBIRCH)、电压对比(VC)、扫描电镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等电学与物理失效分析方法,确定由离子注入偏差所引起的MOS器件物理缺陷是造成IDDQ失效的原因,据此进行了离子注入光阻的工艺改进,最终实现了成品率的提升。
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关键词
静态电流失效
激光束诱导电阻值变化
电压对比
离子注入
成品率
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Keywords
IDDQ failure
OBIRCH
voltage contrast
ion implant
yield
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分类号
TN360
[电子电信—物理电子学]
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