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纳米粉体的激光制备方法
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作者 李保家 周明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期20-23,共4页
总结了激光技术制备纳米粉末的特点,介绍了激光诱导化学气相沉积法、激光烧蚀法、激光诱导液-固界面反应法以及激光-感应复合加热法等的基本原理、装置及特点,综述了目前纳米粉体激光制备技术的应用研究现状,指出了其今后的研究方向... 总结了激光技术制备纳米粉末的特点,介绍了激光诱导化学气相沉积法、激光烧蚀法、激光诱导液-固界面反应法以及激光-感应复合加热法等的基本原理、装置及特点,综述了目前纳米粉体激光制备技术的应用研究现状,指出了其今后的研究方向和应用前景。 展开更多
关键词 纳米粉体 激光 制备 激光诱导化学沉积 激光烧蚀 激光诱导液-固界面反应 激光-感应复合加热
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LICVD法纳米硅制备过程中的成核及生长 被引量:5
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作者 尹衍升 刘英才 李静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-5,共5页
自行设计制备了激光诱导化学气相沉积法(LICVD)纳米制粉装置,利用该装置制备的纳米硅粉其粒度波动在30~60nm之间。通过对不同反应气体流量条件下的激光能量阈值研究表明,随反应气体流量的增加,所需激光能量阈值大致成线性增加。利用透... 自行设计制备了激光诱导化学气相沉积法(LICVD)纳米制粉装置,利用该装置制备的纳米硅粉其粒度波动在30~60nm之间。通过对不同反应气体流量条件下的激光能量阈值研究表明,随反应气体流量的增加,所需激光能量阈值大致成线性增加。利用透射电镜和高分辨电镜对其形貌进行了表征,并对其成核与生长进行了分析,在成核长大初期,晶核周围的Si原子浓度较高,纳米硅晶应以层状长大方式为主。当纳米晶中有螺型位错等晶体缺陷形成时,会为Si原子的"落座"提供生长所需的台阶源,晶粒将以螺旋状生长方式长大。在长大过程中,纳米晶会发生跳跃式长大现象。以跳跃方式长大的晶粒通常在两晶粒的结合面处伴有晶体缺陷发生或亚晶界产生。较低的反应气体流速条件下,纳米硅的择优生长方向为<112>晶向;而在较高的反应气体流速条件下其择优生长方向变为<111>晶向。 展开更多
关键词 LICVD 纳米硅 激光诱导化学沉积 激光能量阈值 体流量 亚晶界 成核率 晶粒
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纳米硅制备过程中微结构与反应气体流量之间的关系研究(英文)
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作者 刘英才 尹衍升 +2 位作者 李静 李嘉 初蕾 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期644-646,共3页
利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒。研究了不同反应气体流量条件下 ,纳米硅微结构的转变规律 ,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制。研究表明 ,在激光功率密度恒定条件下 ,随着反应气体流量的增加 ,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变... 利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒。研究了不同反应气体流量条件下 ,纳米硅微结构的转变规律 ,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制。研究表明 ,在激光功率密度恒定条件下 ,随着反应气体流量的增加 ,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变小 ,微结构中非晶态比例随反应气流的增加而增加。 展开更多
关键词 纳米硅 制备 微结构 反应体流量 LICVD方 晶体生长 激光诱导化学沉积
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纳米VO_2粉体的制备及性能和应用 被引量:9
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作者 黄维刚 林华 涂铭旌 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期67-69,共3页
 VO2是一种相变型金属氧化物,在相变点(68℃)附近发生金属 半导体状态的可逆转变,同时伴随着光学、电学及磁学等性能的变化。因此作为表面功能制膜材料以及陶瓷材料具有广泛的应用前景。综述了纳米VO2粉体的制备方法、性能特点及其应...  VO2是一种相变型金属氧化物,在相变点(68℃)附近发生金属 半导体状态的可逆转变,同时伴随着光学、电学及磁学等性能的变化。因此作为表面功能制膜材料以及陶瓷材料具有广泛的应用前景。综述了纳米VO2粉体的制备方法、性能特点及其应用的研究进展。 展开更多
关键词 纳米二氧化钒粉体 制备方 热分解 化学沉淀 溶胶-凝胶 激光诱导气相沉积法
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其他应用
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《中国光学》 EI CAS 2003年第4期53-55,共3页
O644.18 2003042798激光诱导环氧树脂表面液相化学局域增强沉积镍的实验研究=Near infrared laser-induced chemical localized depositionsof nickel on the substrate of epoxy resin[刊,中]/黄妙良(华侨大学材料物理化学研究所.福建... O644.18 2003042798激光诱导环氧树脂表面液相化学局域增强沉积镍的实验研究=Near infrared laser-induced chemical localized depositionsof nickel on the substrate of epoxy resin[刊,中]/黄妙良(华侨大学材料物理化学研究所.福建,泉州(362011)),林建明…∥激光杂志.-2002,23(1).-48-49利用1079.5 nm Nd:YAP激光作诱导光源,环氧树脂作为基体,研究了激光功率、辐照时间对激光诱导化学局域镀覆金属镍的形成过程、微观形貌、厚度分布影响规律,确定了最佳的激光工艺参数。图3参11(李瑞琴)TB43 2003042799脉冲准分子激光淀积薄膜的实验研究=Study of pulsedexcimer laser deposited films[刊,中]/刘晶儒(西北核技术研究所.陕西,西安(710024)),白婷… 展开更多
关键词 激光功率 实验研究 环氧树脂 激光 激光 非晶硅薄膜 激光诱导化学沉积 形成过程 激光技术 纳米粉体制备
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其他应用
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《中国光学》 EI CAS 2003年第3期36-37,共2页
O644.13 2003031878激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率=Synthesis ofhigh pure nanometer SiC powders by lasermethod and itsproduction rate[刊,中]/战可涛(北京化工大学理学院.北京(100029))∥北京化工大学学报.—2002,29(5)... O644.13 2003031878激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率=Synthesis ofhigh pure nanometer SiC powders by lasermethod and itsproduction rate[刊,中]/战可涛(北京化工大学理学院.北京(100029))∥北京化工大学学报.—2002,29(5).—75-78以硅烷SiH<sub>4</sub>和乙烯C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积法(LICVD)制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体。用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%, 展开更多
关键词 激光诱导化学沉积 粉体 透射电子显微镜 光子局域化 激光离子源 分析测试手段 化学分析 比表面积 激光技术 纳米
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