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氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析 被引量:1
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作者 戴永兵 徐重阳 +5 位作者 李楚容 王长安 张少强 安承武 丁晖 李兴教 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期571-520,共1页
用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似(B-EMA)分析了结晶膜的微结构特性。研究表明:低能量密度辐照形成的结晶层需用含有a-Si:H的EM... 用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似(B-EMA)分析了结晶膜的微结构特性。研究表明:低能量密度辐照形成的结晶层需用含有a-Si:H的EMA混合物表征,说明其结晶度相对较低;而高能量密度辐照形成的结晶层,因其结晶度较高,可用不含a-Si:H的EMA混合物表征.在结晶膜与衬底之间形成了互混层,其厚度随能量密度增大而增大。当能量密度较高时,结晶层会与互混层剥离.采用椭偏谱数据拟合得到Si浓度的深度剖面分布后,可据此重构结晶膜的三维表面形貌图. 展开更多
关键词 激光诱导晶化 椭偏谱 硅薄膜
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用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜 被引量:4
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作者 廖燕平 邵喜斌 +4 位作者 吴渊 骆文生 付国柱 荆海 马凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期128-132,共5页
提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、R... 提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。 展开更多
关键词 硅薄膜 金属诱导-准分子激光 NiSi2
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多晶硅薄膜制备技术的研究进展 被引量:7
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作者 马蕾 简红彬 +1 位作者 康建波 彭英才 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2005年第1期97-103,共7页
多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.
关键词 硅薄摸 低压学气相淀积 热丝学气相淀积 固相 激光诱导晶化 金属诱导
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