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氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析
被引量:
1
1
作者
戴永兵
徐重阳
+5 位作者
李楚容
王长安
张少强
安承武
丁晖
李兴教
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期571-520,共1页
用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似(B-EMA)分析了结晶膜的微结构特性。研究表明:低能量密度辐照形成的结晶层需用含有a-Si:H的EM...
用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似(B-EMA)分析了结晶膜的微结构特性。研究表明:低能量密度辐照形成的结晶层需用含有a-Si:H的EMA混合物表征,说明其结晶度相对较低;而高能量密度辐照形成的结晶层,因其结晶度较高,可用不含a-Si:H的EMA混合物表征.在结晶膜与衬底之间形成了互混层,其厚度随能量密度增大而增大。当能量密度较高时,结晶层会与互混层剥离.采用椭偏谱数据拟合得到Si浓度的深度剖面分布后,可据此重构结晶膜的三维表面形貌图.
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关键词
激光诱导晶化
氢
化
非
晶
硅
椭偏谱
硅薄膜
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职称材料
用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜
被引量:
4
2
作者
廖燕平
邵喜斌
+4 位作者
吴渊
骆文生
付国柱
荆海
马凯
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期128-132,共5页
提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、R...
提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。
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关键词
多
晶
硅薄膜
金属
诱导
-准分子
激光
晶
化
NiSi2
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职称材料
多晶硅薄膜制备技术的研究进展
被引量:
7
3
作者
马蕾
简红彬
+1 位作者
康建波
彭英才
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2005年第1期97-103,共7页
多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.
关键词
多
晶
硅薄摸
低压
化
学气相淀积
热丝
化
学气相淀积
固相
晶
化
激光诱导晶化
金属
诱导
晶
化
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职称材料
题名
氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析
被引量:
1
1
作者
戴永兵
徐重阳
李楚容
王长安
张少强
安承武
丁晖
李兴教
机构
华中理工大学固体电子学系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期571-520,共1页
文摘
用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似(B-EMA)分析了结晶膜的微结构特性。研究表明:低能量密度辐照形成的结晶层需用含有a-Si:H的EMA混合物表征,说明其结晶度相对较低;而高能量密度辐照形成的结晶层,因其结晶度较高,可用不含a-Si:H的EMA混合物表征.在结晶膜与衬底之间形成了互混层,其厚度随能量密度增大而增大。当能量密度较高时,结晶层会与互混层剥离.采用椭偏谱数据拟合得到Si浓度的深度剖面分布后,可据此重构结晶膜的三维表面形貌图.
关键词
激光诱导晶化
氢
化
非
晶
硅
椭偏谱
硅薄膜
Keywords
excimer laser crystallization, crystallized films, a-Si: H, ellipsometric spectrum, effective medium approximation, multilayer model
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜
被引量:
4
2
作者
廖燕平
邵喜斌
吴渊
骆文生
付国柱
荆海
马凯
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心
中国科学院研究生院
吉林北方彩晶数码电子有限公司
[
长春联信光电子有限责任公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期128-132,共5页
基金
国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)
文摘
提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。
关键词
多
晶
硅薄膜
金属
诱导
-准分子
激光
晶
化
NiSi2
Keywords
polycrystalline silicon thin films
metal induced excimer laser annealing crystallization
NiSi 2
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN300.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多晶硅薄膜制备技术的研究进展
被引量:
7
3
作者
马蕾
简红彬
康建波
彭英才
机构
河北大学电子信息工程学院
出处
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2005年第1期97-103,共7页
基金
河北省自然科学基金资助项目(503125)
文摘
多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.
关键词
多
晶
硅薄摸
低压
化
学气相淀积
热丝
化
学气相淀积
固相
晶
化
激光诱导晶化
金属
诱导
晶
化
Keywords
poly_Si films
LPCVD
HWCVD
SPC
LIC
MIC
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析
戴永兵
徐重阳
李楚容
王长安
张少强
安承武
丁晖
李兴教
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
在线阅读
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职称材料
2
用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜
廖燕平
邵喜斌
吴渊
骆文生
付国柱
荆海
马凯
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
多晶硅薄膜制备技术的研究进展
马蕾
简红彬
康建波
彭英才
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2005
7
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职称材料
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