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连续波激光诱导扩散区温度的不接触测量 被引量:11
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作者 李忠东 叶玉堂 +2 位作者 洪永和 叶婧 李家旭 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第4期413-417,共5页
激光诱导扩散中曝光区的大小在10μm数量级,其温度分布的测量是比较困难的.该文报道一种曝光区中极微小面元温度的不接触测量.文中介绍了测量原理、实验装置,给出了实验结果,并特地介绍了测量系统的定标.
关键词 激光诱导扩散 温度测量 半导体 不接触测量
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SIMS测量激光诱导扩散Zn的浓度分布
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作者 张雪琴 吴云峰 +1 位作者 叶玉堂 焦世龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期21-24,共4页
通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm 量级范围内的杂质浓度分布的方法。首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理。用SIMS对制成的扩散样品定量分析,通过扫描... 通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm 量级范围内的杂质浓度分布的方法。首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理。用SIMS对制成的扩散样品定量分析,通过扫描探针显微镜测量刻蚀深度,由此实现了微小扩散区掺杂浓度-深度分布的研究。 展开更多
关键词 激光诱导扩散 微小扩散 二次离子质谱仪
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用激光微细加工制作平面型InGaAs/InPPIN光探测器 被引量:2
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作者 吴云峰 廖云 +2 位作者 叶玉堂 焦世龙 张雪琴 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期13-16,共4页
采用激光微细加工技术来制作单片集成光接收机的探测器,在制作过程中,用固态杂质源10.6 μm激光诱导Zn扩散工艺来进行探测器的p 区掺杂。制作出平面型顶部入射的InGaAs/InPPIN光探测器, 响应度为0.21A/W。分析了激光诱导扩散中... 采用激光微细加工技术来制作单片集成光接收机的探测器,在制作过程中,用固态杂质源10.6 μm激光诱导Zn扩散工艺来进行探测器的p 区掺杂。制作出平面型顶部入射的InGaAs/InPPIN光探测器, 响应度为0.21A/W。分析了激光诱导扩散中影响探测器性能的因素,因此提出了扩散温度自动控制、扩散区 温度分布均匀化及激光焦斑与扩散区精确对准等相应的改进方法。 展开更多
关键词 激光微细加工 单片集成光接收机 PIN光探测器 激光诱导扩散
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双次曝光积分效应实现杂质浓度分布均匀化
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作者 王昱琳 叶玉堂 +3 位作者 吴云峰 赵爱英 焦世龙 范超 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-10,共5页
激光诱导扩散中,当入射激光光强为高斯分布甚至均匀分布时,微小扩散区的温度分布不均匀。由于扩散系数是温度的函数,必将导致扩散后杂质浓度分布的均匀性较差,无法制作出高性能的p-n结。提出采用多次激光诱导扩散的积分效应来实现杂质... 激光诱导扩散中,当入射激光光强为高斯分布甚至均匀分布时,微小扩散区的温度分布不均匀。由于扩散系数是温度的函数,必将导致扩散后杂质浓度分布的均匀性较差,无法制作出高性能的p-n结。提出采用多次激光诱导扩散的积分效应来实现杂质浓度分布的均匀化整形。对于InP衬底的CO2激光诱导Zn扩散,利用温度闭环测控系统测得的基片表面热斑温度场分布,分析计算了两次激光诱导扩散重叠区域的浓度分布积分效应。在此基础上模拟计算出,用双次曝光积分效应做杂质浓度分布的均匀化整形时,基片上两次激光照射位置的最佳间隔为20μm。这为改进激光诱导扩散工艺,用多次曝光实现面均匀的杂质浓度分布奠定了理论基础。 展开更多
关键词 激光诱导扩散 双次曝光积分效应 扩散杂质浓度分布 均匀化整形
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