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激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究 被引量:7
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作者 王锐 李道火 +2 位作者 黄永攀 罗丽明 浦坦 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第3期6-9,共4页
氮化硅是优良的陶瓷材料,应用广泛。本文研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备了超微的、非晶纳米氮化硅粉体。实验证明,纳米氮化硅粉体具有一些特殊的物理性能和光谱特性。
关键词 激光诱导 化学沉积 制备 纳米氮化硅 光谱特性 陶瓷材料 SI3N4 双光束激发
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激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究
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作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期48-51,共4页
用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则... 用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则SiH4温度太低 ,不能裂解。SiH4的流速越快 ,则纳米Si成核后生长期越短 ,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值 ,则SiH4受热时间太短 ,升不到裂解所需的高温。以上 2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H ,344 0cm-1光谱带红移并增强 ,2 15 0cm-1光谱带形状变化 ,110 0cm-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现 ,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中 ,从低于 30 展开更多
关键词 激光诱导 化学沉积 制备 纳米晶硅 制备参数 退火工艺 红外吸收光谱 集成电路
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化学气相沉积法制备氮化硼纳米管研究进展
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作者 黄潇阳 李亚格 +3 位作者 屈超 彭金琦 张少伟 张海军 《陶瓷学报》 北大核心 2025年第1期30-42,共13页
氮化硼纳米管(BNNTs)具有与碳纳米管(CNTs)相似的管状纳米结构,因其优异的热稳定性、良好的生物相容性、优异的电绝缘性、高的热导率以及疏水疏渣等性能,在化工、冶金及生物医学等领域具有广泛的应用前景。BNNTs的合成方法众多,其中,化... 氮化硼纳米管(BNNTs)具有与碳纳米管(CNTs)相似的管状纳米结构,因其优异的热稳定性、良好的生物相容性、优异的电绝缘性、高的热导率以及疏水疏渣等性能,在化工、冶金及生物医学等领域具有广泛的应用前景。BNNTs的合成方法众多,其中,化学气相沉积(CVD)法具有设备简单、反应温度低和产物纯度高等特点,而成为合成BNNTs的最佳方法之一。综述了不同CVD技术、前驱体种类、实验装置、气体流量及衬底位置等工艺因素对制备BNNTs的影响。同时,也对该领域未来的研究发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 氮化硼 纳米管 化学沉积
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热丝化学气相沉积法制备单晶金刚石的试验研究
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作者 张川 刘栋栋 +1 位作者 陆明 孙方宏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期279-285,F0003,共8页
热丝化学气相沉积法沉积区域可达12英寸(30.48 cm),其具备大批量生产单晶金刚石的潜力。采用尺寸为3 mm×3 mm×1 mm,(100)取向的单晶金刚石为基体,利用热丝化学气相沉积法以甲烷和氢气为前驱体,同时通入少量氮气进行同质外延... 热丝化学气相沉积法沉积区域可达12英寸(30.48 cm),其具备大批量生产单晶金刚石的潜力。采用尺寸为3 mm×3 mm×1 mm,(100)取向的单晶金刚石为基体,利用热丝化学气相沉积法以甲烷和氢气为前驱体,同时通入少量氮气进行同质外延生长。结果表明,在热丝温度为2200℃、碳源浓度为4%、腔体气压为4 kPa的条件下,单晶金刚石以3.41μm/h的速度生长,表面无多晶、破口、孔洞等缺陷;外延层X射线衍射光谱在(400)面处峰值的半高宽为0.11°,低于基体的半高宽0.16°,证明外延层具有较高的晶体质量;氮气的引入可以提升单晶金刚石的生长速度,同时降低外延层的晶体质量,较高的氮气浓度还会使得单晶金刚石的生长模式转为岛状生长。 展开更多
关键词 热丝化学沉积 单晶金刚石 工艺参数优化 掺杂
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通过激光诱导化学气相沉积来制造微碳柱的研究 被引量:8
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作者 温宗胤 李宝灵 周健 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期79-82,共4页
使用氩离子激光作为光源,乙烷(C2H6)作为工作气体,在激光功率0.5—4.5W,气体压力0.03—0.09MPa的变化范围内,进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响,讨论了碳柱平均... 使用氩离子激光作为光源,乙烷(C2H6)作为工作气体,在激光功率0.5—4.5W,气体压力0.03—0.09MPa的变化范围内,进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响,讨论了碳柱平均生长率随照射时间、焦点移动速度的变化规律。根据实验数据,使用焦距移动方法,生成长径比超过500的微碳柱。 展开更多
关键词 激光诱导化学沉积 生长速度 直径 微碳柱
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低对称性二维层状过渡金属硫族化合物合金及异质结的化学气相沉积法制备研究进展 被引量:1
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作者 邢欢欢 胡萍 +3 位作者 罗政 毛丽秋 盛丽萍 王珊珊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期56-68,共13页
低对称性二维过渡金属硫族化合物(TMDs)合金及异质结是一类面外为层状结构、面内对称元素少的功能纳米材料。它不仅表现出丰富可调的电子能带结构,且在光学、电学、力学等方面显示出独特的各向异性物理特性,因而在偏振光探测器、各向异... 低对称性二维过渡金属硫族化合物(TMDs)合金及异质结是一类面外为层状结构、面内对称元素少的功能纳米材料。它不仅表现出丰富可调的电子能带结构,且在光学、电学、力学等方面显示出独特的各向异性物理特性,因而在偏振光探测器、各向异性逻辑电路、触觉传感器等领域具有广阔应用前景。低对称性二维TMDs合金及异质结的可控制备是发挥其优异性能、保障其潜在应用的前提。本文首先按照元素种类的不同从二维铼(Re)基低对称合金和二维碲(Te)基低对称合金两方面对低对称性二维TMDs合金的化学气相沉积法制备进行归纳。然后,按照异质结构的不同从垂直异质结和水平异质结两方面梳理了低对称性二维TMDs异质结制备的最新进展。最后,对该领域现阶段存在的问题及挑战进行了总结与展望。 展开更多
关键词 低对称性 二维 合金 异质结 化学沉积
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铜箔衬底对化学气相沉积法制备石墨烯的影响 被引量:1
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作者 王云鹏 刘宇宁 +3 位作者 王同波 张嘉凝 莫永达 娄花芬 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期173-177,共5页
化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下... 化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下两类铜箔对生长石墨烯的影响。研究表明,电解铜箔的表面粗糙度在预处理与退火后均大于压延铜箔。压延铜箔由于经历变形,退火处理后晶粒尺寸为37μm,Cu(111)面比例约40%,电解铜箔退火后晶粒尺寸约为24μm,Cu(111)面比例约为28%,压延铜箔优于电解铜箔。CVD制备石墨烯后发现压延铜箔上生长的石墨烯岛的面积大于电解铜箔,石墨烯缺陷要少于电解铜箔,即相同制备条件与相同厚度下压延铜箔上制备的石墨烯质量优于电解铜箔上制备的石墨烯。 展开更多
关键词 电解铜箔 压延铜箔 化学沉积 石墨烯
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激光诱导化学气相沉积纳米硅的红外光谱 被引量:1
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作者 王卫乡 刘颂豪 +1 位作者 李道火 刘宗才 《量子电子学》 CAS CSCD 1996年第1期67-73,共7页
对激光化学气相沉积纳米硅的红外光谱进行了研究,结合红外光声光谱考察了退火处理对其红外光谱吸收峰位置的影响,对纳米硅的红外吸收峰进行了标识和讨论。
关键词 红外光谱 纳米硅 激光 化学沉积
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人工神经网络—遗传算法优化激光—等离子体化学气相沉积Si_3N_4薄膜制备工艺 被引量:2
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作者 张勤俭 吴春丽 +4 位作者 李敏 张勤河 秦勇 毕进子 张建华 《陶瓷学报》 CAS 2002年第2期116-118,共3页
应用人工神经网络建立了激光—等离子体辅助化学气相沉积 (LPCVD)工艺参数与Si3 N4薄膜显微硬度的关系。并运用遗传算法优化出了最佳工艺。
关键词 激光-等离子体辅助化学沉积 Si3N4薄膜 人工神经网络 遗传算
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化学气相沉积法制备高氮掺杂碳纳米笼的电容去离子性能
10
作者 薛玉红 伊尔夏提·地力夏提 +6 位作者 古丽格娜·皮达买买提 白翔 伏桂仪 魏贤勇 何晓燕 赵红光 王艳丽 《洁净煤技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期78-86,共9页
电容去离子(CDI)是一种基于电场力驱动的快速去除水中带电离子的新型脱盐技术,在盐水预富集和降低零排能耗方面极具潜力。但目前CDI技术受限于多孔碳电极低电吸附活性及不可控的孔结构分布导致脱盐容量和电荷效率较低,限制其进一步应用... 电容去离子(CDI)是一种基于电场力驱动的快速去除水中带电离子的新型脱盐技术,在盐水预富集和降低零排能耗方面极具潜力。但目前CDI技术受限于多孔碳电极低电吸附活性及不可控的孔结构分布导致脱盐容量和电荷效率较低,限制其进一步应用。为此,以吡啶在为碳源、碱式碳酸镁为模板剂通过化学气相沉法,构建了高活性表面、结构可控的N掺杂碳纳米笼状结构(N-CNC),探究其脱盐性能。通过精准控制载气与吡啶进入量,制备的N-CNC是由3~5层石墨化碳层层堆叠的空心长方体形貌,且外壁平均壁厚在1~2 nm,其中N质量分数高达4.2%。得益于这种优异的孔隙结构分布和丰富的表面化学性质,N-CNC展现出以赝电容贡献为主的电化学行为。组装N-CNC//N-CNC对称模块,采用单通道脱盐模式脱盐测试,结果表明,盐吸附量和电荷效率分别为21.8 mg/g和82%,能耗低至0.71 Wh/g。进一步使用自组装CDI模块处理煤化工高盐水,在1.2 V吸附电压下获得Cl^(-)、SO_(4)^(2-)和NO_(3)^(-)电吸附脱盐容量分别为33.4、20.5和8.9 mg/g,其中Cl-/SO_(4)^(2-)选择性比高达5.1。本研究提供了一种简便可控的N掺杂碳纳米笼状结构制备方法,为CDI浓缩工业卤水预富集应用提供理论和技术支撑。 展开更多
关键词 吡啶 化学沉积 碳纳米笼 电容脱盐 吸附量 煤化工废水
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退火处理对激光诱导化学气相沉积制备纳米硅红外光谱的影响
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作者 张海燕 陈可心 +2 位作者 刘颂豪 梁礼正 王卫乡 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第S2期169-173,共5页
研究激光诱导化学相沉积(LICVD)法制备纳米硅粒子的工艺过程,分析了影响纳米硅形成及尺寸的主要工艺参数,获得了最佳的工艺条件并讨论了退火处理对纳米硅红外光谱各吸收峰的强度。
关键词 纳米硅 激光诱导化学沉积(LICVD) 红外光谱
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激光化学气相沉积法在TFT-LCD电路缺陷维修中的应用 被引量:5
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作者 张伟 陈小英 +6 位作者 马永生 付婉霞 王磊 周贺 徐智俊 王博 阮毅松 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期755-763,共9页
为了维修TFT-LCD电路缺陷,利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜,讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下,波长为351nm的脉冲激光诱导W(CO)6裂解成膜,通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究... 为了维修TFT-LCD电路缺陷,利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜,讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下,波长为351nm的脉冲激光诱导W(CO)6裂解成膜,通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究成膜参数对基底损伤的影响,再用高精度的电参数测试仪(EPM)测试不同参数下钨薄膜电阻。控制变量法表明,激光功率或激光束光斑尺寸越大,薄膜基底损伤越大,但电阻率越小,且不沉积薄膜时高功率激光辐射也不会造成基底损伤;激光辐射速度越大,基底损伤越小,但电阻率越大。通过平衡工艺参数,得到了电阻率为0.96Ω/μm、对基底无损伤的钨薄膜,成分分析表明此时W(CO)6已经完全裂解。 展开更多
关键词 TFT-LCD 激光化学沉积 缺陷维修 W(CO)6 电阻率
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石墨烯的化学气相沉积法制备 被引量:93
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作者 任文才 高力波 +1 位作者 马来鹏 成会明 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期71-80,共10页
化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理... 化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理和特点,重点从结构控制、质量提高以及大面积生长等方面评述了CVD法制备石墨烯及其转移技术的研究进展,并展望了未来CVD法制备石墨烯的可能发展方向,如大面积单晶石墨烯、石墨烯带和石墨烯宏观体的制备与无损转移等。 展开更多
关键词 石墨烯 制备 化学沉积 转移
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激光化学气相沉积法制备铜膜的性能与形态分析
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作者 茅敦民 连志睿 +1 位作者 金忠 秦启宗 《量子电子学》 CSCD 1995年第2期169-173,共5页
本文对以二(乙酸丙酮根)合铜(Ⅱ)和二(三甲基乙酰三氟代丙酮根)合铜(Ⅱ)为母体的化合物,用10.6μm和280nm激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪、扫描电子显微镜和四探针法进行了分析,观察到紫外激光... 本文对以二(乙酸丙酮根)合铜(Ⅱ)和二(三甲基乙酰三氟代丙酮根)合铜(Ⅱ)为母体的化合物,用10.6μm和280nm激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪、扫描电子显微镜和四探针法进行了分析,观察到紫外激光生成铜膜中具有环状周期性图案的现象。 展开更多
关键词 激光 化学沉积 铜膜 金属有机化合物
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制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响 被引量:10
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作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期382-386,共5页
用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的... 用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。 展开更多
关键词 激光诱导 化学沉积 纳米硅粉 红外光谱 粒径 退火
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石墨烯的化学气相沉积法制备及其表征 被引量:25
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作者 邹鹏 石文荣 +1 位作者 杨书华 黄德欢 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期264-267,共4页
石墨烯是由sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体,其具有电学、力学和光学等方面一系列优良性能,使得它在各个领域的应用一直被人们所关注。然而,石墨烯的工业化制备仍然面临着巨大的挑战。本文采用化学气... 石墨烯是由sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体,其具有电学、力学和光学等方面一系列优良性能,使得它在各个领域的应用一直被人们所关注。然而,石墨烯的工业化制备仍然面临着巨大的挑战。本文采用化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯,并用拉曼光谱、高分辨率扫描电镜和X射线多晶衍射对其进行了分析和表征。研究结果表明,用CVD法制备石墨烯具有工业化的可能。 展开更多
关键词 石墨烯 化学沉积(CVD) 制备 表征
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蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯 被引量:8
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作者 刘庆彬 蔚翠 +4 位作者 何泽召 王晶晶 李佳 芦伟立 冯志红 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第3期787-792,共6页
化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响... 化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响。原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔测试表明,低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。研究氢气和碳源对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理,发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用,而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效果。在1200℃下,直径为50 mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料,室温下载流子迁移超过1000 cm^2?V^(-1)?s^(-1)。 展开更多
关键词 石墨烯 蓝宝石 化学沉积 生长温度 刻蚀机理
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化学气相沉积法制备碳纳米管的研究进展 被引量:21
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作者 王敏炜 彭年才 李凤仪 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期18-21,共4页
从催化剂、碳源气体及反应器的选择等方面综述了化学气相沉积法制备碳纳米管的研究进展 ,讨论了碳纳米管的合成机理。指出催化合成碳纳米管的研究难点在于管径的有效调控和大批量生产 。
关键词 化学沉积 制备 碳纳米管 研究进展 催化剂 碳源
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子体化学沉积 低温 镍基板
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氧分压对化学气相沉积法合成ZnO纳米结构形貌的影响 被引量:8
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作者 冯程程 周明 +3 位作者 吴春霞 马伟伟 李刚 蔡兰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期657-661,共5页
本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响。借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征。结... 本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响。借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征。结果表明:当O2分压较小的时候,O2只能与Zn团簇的某些界面发生反应并逐渐结晶生成层状的ZnO微米团簇。当O2分压较大的时候,ZnO通过二次生长形成由微米柱阵列和表面无序纳米线构成的分层复合结构,并且表面纳米线的密度随着氧分压的增加而增加。高分辨透射电镜(HRTEM)和选取电子衍射(SAED)分析表明,单根纳米线是沿[001]方向生长的ZnO单晶。 展开更多
关键词 氧化锌 化学沉积 氧分压 二次生长
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