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通过激光诱导化学气相沉积来制造微碳柱的研究 被引量：8
1
作者 温宗胤 李宝灵 周健 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期79-82,共4页
使用氩离子激光作为光源，乙烷（C2H6）作为工作气体，在激光功率0．5—4．5W，气体压力0．03—0．09MPa的变化范围内，进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响，讨论了碳柱平均... 使用氩离子激光作为光源，乙烷（C2H6）作为工作气体，在激光功率0．5—4．5W，气体压力0．03—0．09MPa的变化范围内，进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响，讨论了碳柱平均生长率随照射时间、焦点移动速度的变化规律。根据实验数据，使用焦距移动方法，生成长径比超过500的微碳柱。 展开更多
关键词 激光诱导化学气相沉积 生长速度 直径 微碳柱
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退火处理对激光诱导化学气相沉积制备纳米硅红外光谱的影响
2
作者 张海燕 陈可心 +2 位作者 刘颂豪 梁礼正 王卫乡 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第S2期169-173,共5页
研究激光诱导化学相沉积（ＬＩＣＶＤ）法制备纳米硅粒子的工艺过程，分析了影响纳米硅形成及尺寸的主要工艺参数，获得了最佳的工艺条件并讨论了退火处理对纳米硅红外光谱各吸收峰的强度。
关键词 纳米硅 激光诱导化学气相沉积(LICVD) 红外光谱
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激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究 被引量：7
3
作者 王锐 李道火 +2 位作者 黄永攀 罗丽明 浦坦 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第3期6-9,共4页
氮化硅是优良的陶瓷材料,应用广泛。本文研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备了超微的、非晶纳米氮化硅粉体。实验证明,纳米氮化硅粉体具有一些特殊的物理性能和光谱特性。
关键词 激光诱导 化学气相沉积法 制备 纳米氮化硅 光谱特性 陶瓷材料 SI3N4 双光束激发
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激光诱导化学气相沉积纳米硅的红外光谱 被引量：1
4
作者 王卫乡 刘颂豪 +1 位作者 李道火 刘宗才 《量子电子学》 CAS CSCD 1996年第1期67-73,共7页
对激光化学气相沉积纳米硅的红外光谱进行了研究，结合红外光声光谱考察了退火处理对其红外光谱吸收峰位置的影响，对纳米硅的红外吸收峰进行了标识和讨论。
关键词 红外光谱 纳米硅 激光 化学气相沉积
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激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究
5
作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期48-51,共4页
用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则... 用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则SiH4温度太低 ,不能裂解。SiH4的流速越快 ,则纳米Si成核后生长期越短 ,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值 ,则SiH4受热时间太短 ,升不到裂解所需的高温。以上 2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H ,344 0cm-1光谱带红移并增强 ,2 15 0cm-1光谱带形状变化 ,110 0cm-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现 ,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中 ,从低于 30 展开更多
关键词 激光诱导 化学气相沉积法 制备 纳米晶硅 制备参数 退火工艺 红外吸收光谱 集成电路
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增材制造陶瓷表面化学气相沉积SiC涂层的工艺与性能
6
作者 杨辰倩 杨文轩 +7 位作者 孙策 章嵩 陈鹏 刘凯 涂溶 杨梅君 王春锦 史玉升 《中国表面工程》 北大核心 2025年第3期88-98,共11页
增材制造技术可实现陶瓷材料复杂构件的整体成形,但构件表面存在“增材痕迹”、多相分布、气孔等缺陷,后续表面精密加工困难,难以满足空间光学探测、半导体制造装备等对高性能碳化硅陶瓷构件的迫切需求。为此,提出化学气相沉积高纯高致... 增材制造技术可实现陶瓷材料复杂构件的整体成形,但构件表面存在“增材痕迹”、多相分布、气孔等缺陷,后续表面精密加工困难,难以满足空间光学探测、半导体制造装备等对高性能碳化硅陶瓷构件的迫切需求。为此,提出化学气相沉积高纯高致密碳化硅涂层修复增材制造陶瓷表面缺陷的新思路。系统研究沉积温度对增材制造碳化硅陶瓷表面涂层硬度、沉积效率、界面结合、微观形貌、可加工性的影响规律。结果表明,随着沉积温度的升高,涂层沉积速率加快,晶粒尺寸和表面硬度增大。但过高的沉积温度会导致涂层内部出现孔隙,致密度降低。沉积涂层与增材基底界面结合良好,当沉积温度1400℃时,界面处生成枝状晶,结合力较大,表面加工性较优。研究采用化学气相沉积涂层方法可有效改善增材制造碳化硅陶瓷的表面质量,为高端装备用高性能碳化硅复杂构件的工程应用奠定了基础。 展开更多
关键词 增材制造 碳化硅陶瓷 化学气相沉积 微观组织 结合力
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化学气相沉积法制备氮化硼纳米管研究进展
7
作者 黄潇阳 李亚格 +3 位作者 屈超 彭金琦 张少伟 张海军 《陶瓷学报》 北大核心 2025年第1期30-42,共13页
氮化硼纳米管(BNNTs)具有与碳纳米管(CNTs)相似的管状纳米结构,因其优异的热稳定性、良好的生物相容性、优异的电绝缘性、高的热导率以及疏水疏渣等性能,在化工、冶金及生物医学等领域具有广泛的应用前景。BNNTs的合成方法众多,其中,化... 氮化硼纳米管(BNNTs)具有与碳纳米管(CNTs)相似的管状纳米结构,因其优异的热稳定性、良好的生物相容性、优异的电绝缘性、高的热导率以及疏水疏渣等性能,在化工、冶金及生物医学等领域具有广泛的应用前景。BNNTs的合成方法众多,其中,化学气相沉积(CVD)法具有设备简单、反应温度低和产物纯度高等特点,而成为合成BNNTs的最佳方法之一。综述了不同CVD技术、前驱体种类、实验装置、气体流量及衬底位置等工艺因素对制备BNNTs的影响。同时,也对该领域未来的研究发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 氮化硼 纳米管 化学气相沉积法
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沉积时间对化学气相沉积石墨烯薄膜摩擦学性能的影响
8
作者 高雪 史训旺 +5 位作者 赵艺蔓 李彬 贾洋磊 董璞 岳遂录 任二洲 《润滑与密封》 北大核心 2025年第10期88-97,共10页
为提高石墨烯薄膜与基底的结合强度,通过铜催化辅助化学气相沉积法(CVD)在不同的沉积时间下直接在硅基材表面制备4种石墨烯薄膜,通过往复式摩擦磨损试验机探究沉积时间对石墨烯薄膜摩擦学行为的影响。结果表明:制备的石墨烯薄膜均能一... 为提高石墨烯薄膜与基底的结合强度,通过铜催化辅助化学气相沉积法(CVD)在不同的沉积时间下直接在硅基材表面制备4种石墨烯薄膜,通过往复式摩擦磨损试验机探究沉积时间对石墨烯薄膜摩擦学行为的影响。结果表明:制备的石墨烯薄膜均能一定程度提升摩擦学性能;随着沉积时间的延长,石墨烯薄膜的缺陷呈现下降趋势,石墨烯薄膜与基底的结合力呈现先上升后下降的趋势;纯硅片的磨损率为9.74×10^(-5)mm^(3)/(N·m),沉积15 min的石墨烯薄膜的结合力最高(为12.81 N),磨损率最低(约为4.31×10^(-6)mm^(3)/(N·m)),相较纯硅片磨损率下降95.57%;沉积35 min的石墨烯薄膜缺陷最少,缺陷较少的石墨烯薄膜更有利于形成更有序的摩擦界面,以及缺陷更少的石墨烯转移膜,从而有利于维持低且平稳的摩擦因数。 展开更多
关键词 石墨烯 摩擦学性能 化学气相沉积 结构缺陷 结合强度
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不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究
9
作者 李雄杰 宁平凡 +4 位作者 陈世澳 乔思博 程红娟 王英民 牛萍娟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期255-262,共8页
采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-... 采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的温度窗口分别为420~480、480~550、590~600、540~600℃;对应纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙分别为5.12、5.23、5.25、5.21 eV。研究发现与C面蓝宝石衬底相比,在M、A、R面蓝宝石衬底上外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜需要更高的生长温度,同时在M、A、R面蓝宝石衬底上获得的薄膜禁带宽度更大。样品表面形貌的SEM表征结果显示,不同晶面的α-Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌差异显著,C面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)薄膜存在“连续薄膜+大尺寸柱状岛”结构。本文关于不同晶面蓝宝石衬底外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜的研究对α-Ga_(2)O_(3)材料的应用有一定参考价值。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) 蓝宝石衬底 雾化学气相沉积 异质外延 生长温度 禁带宽度
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串联谐振式DBD型化学气相沉积供电电源研究
10
作者 许天赐 周洁敏 +3 位作者 洪峰 刘悦 罗祥瑞 代海杰 《电光与控制》 北大核心 2025年第10期110-114,共5页
介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-CVD)技术作为一种新兴的材料制备方法,近年来在航空材料制备领域引起了广泛的关注。为了给DBD-CVD技术提供结构简单的高性能供电电源,详细分析了DBD负载在串联谐振拓扑下输出功率的频率响应曲线。分析了... 介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-CVD)技术作为一种新兴的材料制备方法,近年来在航空材料制备领域引起了广泛的关注。为了给DBD-CVD技术提供结构简单的高性能供电电源,详细分析了DBD负载在串联谐振拓扑下输出功率的频率响应曲线。分析了电路调节特性,采用PFM控制方法实现了恒功率闭环,通过改变功率闭环目标值,实现薄膜沉积速度的线性调节,以此来实现对薄膜沉积反应物流量的精确控制。 展开更多
关键词 串联谐振 介质阻挡放电 恒功率闭环 化学气相沉积
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基于电化学沉积-激光诱导击穿光谱技术的土壤中Hg^(2+)检测研究
11
作者 段宏伟 赵斯杰 +3 位作者 郭梅 牛其建 黄晶 刘飞 《光谱学与光谱分析》 北大核心 2025年第4期980-985,共6页
农田土壤中Hg^(2+)精准评估对于建设高标准农田和保护粮食安全具有重要意义。针对污染土壤中汞离子浓度低、共存干扰未知的问题,提出一种基于电化学联用激光诱导击穿光谱技术(EC-LIBS)的土壤中Hg^(2+)检测方法。试验首先采用循环伏安法... 农田土壤中Hg^(2+)精准评估对于建设高标准农田和保护粮食安全具有重要意义。针对污染土壤中汞离子浓度低、共存干扰未知的问题,提出一种基于电化学联用激光诱导击穿光谱技术(EC-LIBS)的土壤中Hg^(2+)检测方法。试验首先采用循环伏安法进行Hg^(2+)电沉积,与沉积前金电极基底相比较,得出沉积后金电极基底在HgⅠ435.835 nm存在明显发射信号,并且沉积后纳米金颗粒表面亮度提升、黄度下降,结果表明电化学沉积可以通过在金电极表面形成金汞齐完成汞离子液固转换。其次探究了溶剂pH和沉积电压对沉积效果的影响,得出最优的沉积参数为pH 7.0,电压为-400 mV。最终获取样品LIBS谱线并进行惠特克基线校正和PLS模型构建,得出当Lambda=1.0,p=0.01时,基线校正效果明显,所构建PLS模型预测集RMSEP和MRAEP分别为5.24 mg·kg^(-1)和4.86%,表明EC-LIBS技术结合该标准模型可以用于土壤中Hg^(2+)精准检测。 展开更多
关键词 Hg^(2+) 电化学沉积 激光诱导击穿光谱 金汞齐 PLS模型
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c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
12
作者 王子铭 张雅超 +6 位作者 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期420-425,共6页
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_... 本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_(3)物相构成,在生长温度从360℃变化至425℃均能观察到β-Ga_(2)O_(3)(402)峰,而在370~410℃还能观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰。其中,380和390℃时的样品具有更强的ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰和更低的半峰全宽,以及更低的表面粗糙度。两步生长法为以380℃生长的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜作为缓冲层,而后在400~430℃继续生长ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰强度均高于单步生长法且半峰全宽均更低,在430℃时薄膜的(004)峰摇摆曲线半峰全宽达到0.49°。进一步改变单步生长法的压强,明确缓冲层有效促进ε-Ga_(2)O_(3)沿c轴生长。 展开更多
关键词 ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜
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低压化学气相沉积的B掺杂ZnO薄膜的光电性能
13
作者 许亚军 马浩然 +1 位作者 吴珺 沈鸿烈 《功能材料》 北大核心 2025年第7期7217-7222,共6页
研究了LPCVD沉积硼掺杂氧化锌薄膜的生长条件和退火条件对于薄膜性能的影响。分别研究了在FGA、N_(2)和空气退火下对薄膜迁移率和体载流浓度的影响。研究证明了ALD沉积的Al_(2)O_(3)/ZnO:B叠层的钝化特性与Al_(2)O_(3)厚度、界面氧化物... 研究了LPCVD沉积硼掺杂氧化锌薄膜的生长条件和退火条件对于薄膜性能的影响。分别研究了在FGA、N_(2)和空气退火下对薄膜迁移率和体载流浓度的影响。研究证明了ALD沉积的Al_(2)O_(3)/ZnO:B叠层的钝化特性与Al_(2)O_(3)厚度、界面氧化物状态和退火条件密切相关。在最佳退火条件下,当Al_(2)O_(3)厚度仅为2 nm左右时,叠层的iVoc值可达到687 mV。通过测量不同测试结构的接触电阻率,发现ZnO:B与ITO/Ag的接触电阻率最低可至2.9 mΩ·cm^(2)。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 低压化学气相沉积 钝化接触 接触电阻率
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化学气相沉积铝化物涂层组织结构及形成机制
14
作者 孟国辉 齐浩雄 +6 位作者 杜撰 刘梅军 杨冠军 吴勇 孙清云 夏思瑶 董雪 《中国材料进展》 北大核心 2025年第3期275-281,共7页
提高铝化物涂层抗高温氧化和耐热腐蚀性能的关键在于明确铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。采用化学气相沉积法在镍基高温合金Mar-M-247表面制备了铝化物涂层。结合材料热力学模拟软件JMatPro和扫描电子显微镜表征并分析了铝化物涂... 提高铝化物涂层抗高温氧化和耐热腐蚀性能的关键在于明确铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。采用化学气相沉积法在镍基高温合金Mar-M-247表面制备了铝化物涂层。结合材料热力学模拟软件JMatPro和扫描电子显微镜表征并分析了铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。结果表明,Mar-M-247高温合金表面生成的铝化物涂层具有双层结构,外层由单一的β-NiAl相组成,内层主要由β-NiAl相、σ相和μ相组成。铝化物涂层的外层β-NiAl相是Mar-M-247高温合金大量Ni元素外扩散至合金表面,与环境中的Al元素反应生成的。从而使得高温合金中的γ-Ni相和γ′-Ni_(3)Al相含量减少。当Ni元素的体积分数分别降低至55%,52%和38%时,高温合金中顺序析出μ相、β-NiAl相和σ相。最终,当高温合金中Ni元素的体积分数降低至32%时,高温合金完全转变为由β-NiAl相、σ相、μ相和少量碳化物相MC组成的铝化物内层。 展开更多
关键词 镍基高温合金 化学气相沉积 铝化物涂层 微观组织结构 热力学
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化学气相沉积法制备硅碳负极的研究进展
15
作者 邓拓 周海平 +3 位作者 刘煜 刘畅 李梓恺 吴孟强 《储能科学与技术》 北大核心 2025年第9期3354-3372,共19页
硅因具有高的理论比容量、高的元素丰度以及环境友好等特点而成为当前锂离子电池最有潜力的负极之中备受关注的材料,但由于其低导电性、体积膨胀、电极粉化等问题限制了其大规模应用。为解决以上问题,一方面可以通过尺寸效应将硅颗粒纳... 硅因具有高的理论比容量、高的元素丰度以及环境友好等特点而成为当前锂离子电池最有潜力的负极之中备受关注的材料,但由于其低导电性、体积膨胀、电极粉化等问题限制了其大规模应用。为解决以上问题,一方面可以通过尺寸效应将硅颗粒纳米化,当粒径小于150 nm时,可显著抑制材料在充放电过程中的粉化现象,同时缓解其体积膨胀效应;另一方面,通过高强度材料的限域作用,束缚硅的体积膨胀并提高导电性。化学气相沉积(CVD)法制备的硅碳复合材料综合了两者优点,通过多孔碳基体的丰富微孔结构实现硅颗粒的原位限域生长,同时得益于碳材料优异的导电性能和机械强度,使得CVD硅碳复合材料作为负极展现出卓越的比容量和循环稳定性。这种独特的结构设计和性能优势使其成为新一代硅碳负极材料领域备受关注的前沿制备技术。然而,当前针对CVD硅碳负极的系统性研究仍显不足,其研究体系尚未形成完整框架,特别是在沉积动力学机制(如碳基体结构对沉积动力学的调控作用、硅沉积的微观结构演变规律)与工程化应用之间的构效关系方面,相关关键机理尚未完全阐明。基于上述研究背景,本文系统梳理了CVD硅碳负极技术的研究体系,建立多维分析框架:(1)碳基体结构与硅源特性对沉积动力学的协同调控机制;(2)高能量密度电极的界面工程策略与结构优化方法;(3)规模化制备工艺的关键技术瓶颈。通过整合现有研究成果,构建了从基础研究到工程应用的知识体系,揭示现阶段产业化进程中的核心矛盾,并提出工艺优化路径,为新一代CVD硅碳负极的理性设计与可控制造提供科学指导。 展开更多
关键词 硅碳负极 化学气相沉积 锂离子电池 多孔碳
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化学气相沉积法生长石墨烯的现状及展望
16
作者 黄子翀 刘伟林 +3 位作者 李骏 蒋宇 袁国文 高力波 《新型炭材料(中英文)》 北大核心 2025年第3期457-476,共20页
石墨烯自2004年被发现以来,其优异的物理化学性质引发广泛关注。在各种合成方法中,化学气相沉积(CVD)法凭借可控性、低成本及规模化优势,已发展成为制备高质量石墨烯薄膜的主流方法。本文系统回顾了CVD法制备石墨烯的技术发展历程,重点... 石墨烯自2004年被发现以来,其优异的物理化学性质引发广泛关注。在各种合成方法中,化学气相沉积(CVD)法凭借可控性、低成本及规模化优势,已发展成为制备高质量石墨烯薄膜的主流方法。本文系统回顾了CVD法制备石墨烯的技术发展历程,重点论述了单晶石墨烯生长、表面平整度调控、层数精确控制及高效规模化制备等关键领域的最新进展。通过优化衬底设计、引入质子辅助解耦技术及氧辅助技术等多种策略,已实现晶圆级单晶石墨烯的制备,其电学性能指标接近机械剥离样品。然而,绝缘衬底直接生长、低温条件下高质量制备及缺陷动态控制等方面仍存在技术挑战。未来,新型碳源开发、多功能集成工艺及卷对卷工业化生产技术的结合,将推动石墨烯在柔性电子、能源存储等领域的广泛应用。 展开更多
关键词 石墨烯 二维材料 化学气相沉积 形貌调控 规模化生长
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微波等离子体化学气相沉积制备金刚石厚膜的研究及应用进展
17
作者 刘富成 马莞杰 +3 位作者 黄江涛 张宗雁 韩培刚 何斌 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2025年第3期285-299,F0003,共16页
近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气... 近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气相沉积等。MPCVD技术因其生长的金刚石品质高,被认为是制备大面积、高质量金刚石厚膜的最佳方法。首先介绍MPCVD的基本原理和设备,比较几种主要MPCVD技术的优缺点,并对国内外的研究进展进行总结,包括金刚石生长工艺的研究,特别是国内外单晶/多晶金刚石厚膜的制备研究,然后总结近年来金刚石厚膜在电子、光学、热沉等高新技术领域的应用,最后对金刚石厚膜的发展前景进行展望。 展开更多
关键词 金刚石厚膜 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) CVD设备
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多晶硅还原炉气相沉积反应数值模拟 被引量：1
18
作者 王思懿 许建良 +2 位作者 代正华 武国义 王辅臣 《化工进展》 北大核心 2025年第2期706-716,共11页
多晶硅是光伏领域太阳能电池板的关键材料,改良西门子法是制备多晶硅的常用方法,其核心设备为还原炉。还原炉结构复杂,炉内包含复杂的物理化学现象。为了研究多晶硅气相沉积特性,本文建立了一个12对棒的反应器模型,耦合气相反应及表面... 多晶硅是光伏领域太阳能电池板的关键材料,改良西门子法是制备多晶硅的常用方法,其核心设备为还原炉。还原炉结构复杂,炉内包含复杂的物理化学现象。为了研究多晶硅气相沉积特性,本文建立了一个12对棒的反应器模型,耦合气相反应及表面反应机理,详细讨论了不同条件下的速度、温度、硅沉积速率分布。采用响应面法耦合入口速度和温度两个变量探究其对硅平均沉积速率以及原料转化率的综合影响。结果表明,较高的入口速度和温度有利于提高传热传质速率,提高硅平均沉积速率。温度为该过程的主要影响因素且在低温区域影响显著。由于入口速度提高,原料转化率降低,兼顾平均沉积速率(≥10μm/min)和原料转化率(≥10%)的影响,预测最佳工艺条件温度为1460~1500K、入口速度为25~36m/s。 展开更多
关键词 多晶硅 化学气相沉积 传热 计算流体力学 优化
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热丝化学气相沉积法制备单晶金刚石的试验研究
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作者 张川 刘栋栋 +1 位作者 陆明 孙方宏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期279-285,F0003,共8页
热丝化学气相沉积法沉积区域可达12英寸(30.48 cm),其具备大批量生产单晶金刚石的潜力。采用尺寸为3 mm×3 mm×1 mm,(100)取向的单晶金刚石为基体,利用热丝化学气相沉积法以甲烷和氢气为前驱体,同时通入少量氮气进行同质外延... 热丝化学气相沉积法沉积区域可达12英寸(30.48 cm),其具备大批量生产单晶金刚石的潜力。采用尺寸为3 mm×3 mm×1 mm,(100)取向的单晶金刚石为基体,利用热丝化学气相沉积法以甲烷和氢气为前驱体,同时通入少量氮气进行同质外延生长。结果表明,在热丝温度为2200℃、碳源浓度为4%、腔体气压为4 kPa的条件下,单晶金刚石以3.41μm/h的速度生长,表面无多晶、破口、孔洞等缺陷;外延层X射线衍射光谱在(400)面处峰值的半高宽为0.11°,低于基体的半高宽0.16°,证明外延层具有较高的晶体质量;氮气的引入可以提升单晶金刚石的生长速度,同时降低外延层的晶体质量,较高的氮气浓度还会使得单晶金刚石的生长模式转为岛状生长。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积法 单晶金刚石 工艺参数优化 氮气掺杂
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制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响 被引量：10
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作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期382-386,共5页
用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的... 用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。 展开更多
关键词 激光诱导 化学汽相沉积 纳米硅粉 红外光谱 粒径 退火
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