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题名PECVD技术制备单层光学薄膜抗激光损伤特性研究
被引量：5
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作者
李鹏
杭凌侠
徐均琪
李林军
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机构
西安工业大学
陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
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出处
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期206-213,共8页
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文摘
采用PECVD技术在BK7玻璃基底上沉积了不同厚度的单层SiO2(折射率为1.46)和SiNx(折射率为1.84)光学薄膜,并对这2种膜层进行抗激光损伤阈值(LIDT)测试,分析讨论了PECVD技术制备的单层光学薄膜与抗激光损伤特性之间的关系。实验结果表明:PECVD技术制备的单层SiO2薄膜有较高的LIDT,薄膜光学厚度在λo/4~λo/2之间时,在光学厚度为350nm时,LIDT有最小值21.7J/cm2,光学厚度为433nm时,LIDT有最大值27.9J/cm2。SiNx薄膜的LIDT随着光学厚度增加而减小,在光学厚度为λo/4时,LIDT有最大值29.3J/cm2,光学厚度为λo/2时,LIDT有最小值4.9J/cm2。
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关键词
PECVD
光学薄膜
激光损伤阈值
激光损伤特性测试装置
损伤形貌
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Keywords
plasma enhanced chemical vapor deposition technology
optical thin films
laser-induced damage thresholds
laser damage testing equipment
morphologies of damage
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分类号
O484.41
[理学—固体物理]
TN24
[电子电信—物理电子学]
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题名光学薄膜参数测试
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2000年第2期72-73,共2页
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文摘
O484.5 2000021222按照国标的光学薄膜损伤阈值测试装置=Laser induceddamage threshold measuring facility accordingto ISO 11245[刊,中]/马孜,吕百达(四川大学电子信息学院.四川,成都(610064)),肖琦(西南技术物理所.四川,成都(610061))//光学仪器.-1999,21(4/5).-114-118按照ISO/DIS11254光学表面激光损伤阀值测量标准和等价国标的要求,建立了薄膜的1μm YAG脉冲激光损伤阀值定量测试装置,对脉冲能量,脉冲持续时间,光束分布及相应的不确定度均进行了测试。
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关键词
光学薄膜
激光损伤阀值
测试装置
光学仪器
不确定度
四川
堆积密度
脉冲持续时间
光学表面
测量标准
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分类号
O484.41
[理学—固体物理]
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题名半导体激光器
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2003年第4期17-18,共2页
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文摘
TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报.-2002,28(4).-423-425设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器。制得的未镀膜20 μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56 W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°。未镀膜4 μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5 nm。对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190 K。图5参6(李士范)
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关键词
半导体激光器
线阵二极管激光器
斜率效率
特性分析
应变量子阱激光器
远场发散角
特征温度
灾变性损伤
变温测试
信息与控制
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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