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新型垂直腔面发射半导体激光器阵列
被引量：
4
1
作者
刘文莉
钟景昌
晏长岭
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期519-525,共7页
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵...
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵列中单元器件间的隔离,另一方面通过再次的两次较深度的可以达到有源区上表面的质子注入形成高电阻区域实现对单元器件注入电流的限制。由瞬态热传导方程对阵列中单元器件间的热相互作用进行了理论分析。采用四次质子注入工艺实现了2×2、3×3简单的二维GaAs/A lGaAs量子阱VCSEL阵列,并对器件的激射近场、光谱特性及功率等进行了测量。
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关键词
垂直腔面发射
激光器
激光器阵列器件
质子注入
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职称材料
题名
新型垂直腔面发射半导体激光器阵列
被引量：
4
1
作者
刘文莉
钟景昌
晏长岭
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期519-525,共7页
基金
教育部博士点基金资助项目
文摘
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵列中单元器件间的隔离,另一方面通过再次的两次较深度的可以达到有源区上表面的质子注入形成高电阻区域实现对单元器件注入电流的限制。由瞬态热传导方程对阵列中单元器件间的热相互作用进行了理论分析。采用四次质子注入工艺实现了2×2、3×3简单的二维GaAs/A lGaAs量子阱VCSEL阵列,并对器件的激射近场、光谱特性及功率等进行了测量。
关键词
垂直腔面发射
激光器
激光器阵列器件
质子注入
Keywords
VCSEL
laser array
proton implantation.
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型垂直腔面发射半导体激光器阵列
刘文莉
钟景昌
晏长岭
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
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