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题名碳化硅晶圆片划片切割方法综述
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作者
刘夫
周玉彪
颜思源
程其仁
张屹
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机构
湖南大学整车先进设计制造技术全国重点实验室
湖南大学智能激光制造湖南省重点实验室
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出处
《激光与红外》
北大核心
2025年第5期643-650,共8页
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基金
国家重点研发计划项目(No.2021YFE0108500)资助。
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文摘
第三代半导体材料碳化硅因其具有大禁带宽度、高导热性和化学稳定性强等优良性能,以其为衬底材料制作的功率器件具有广阔的应用前景和重要的战略意义。晶圆划片是碳化硅功率器件制造流程中的重要工艺环节,该工序目前仍以传统的金刚石刀轮划片方法为主,然而,碳化硅的高硬脆性给传统加工技术带来了极大地挑战,带来了高加工成本、低良品率等问题,因此亟需一种更优的划片技术来应对上述挑战。本文系统综述了碳化硅晶圆国内外现有的划片方法,介绍了刀轮划片、激光烧蚀、激光热裂解、水导激光切割、水射流辅助激光切割与激光内部改质切割的原理与进展,对比分析了几种划片方法的优缺点,并对碳化硅晶圆切割技术的发展趋势进行了展望。
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关键词
碳化硅
划片切割
激光技术
激光内部改质切割
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Keywords
silicon carbide
scribing and dicing
laser technology
laser internal modification dicing
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分类号
TH162
[机械工程—机械制造及自动化]
TN305
[电子电信—物理电子学]
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