TN248.4 2001020889超低阈值红色垂直腔面发射激光器=Ultralowthreshold red vertical-cavity surface-emittinglasers[刊,英]/程澎,高俊华,康学军,林世鸣,张光斌,刘世安,胡国新(中科院北京半导体所.北京(100083)//半导体学报.—2000,21...TN248.4 2001020889超低阈值红色垂直腔面发射激光器=Ultralowthreshold red vertical-cavity surface-emittinglasers[刊,英]/程澎,高俊华,康学军,林世鸣,张光斌,刘世安,胡国新(中科院北京半导体所.北京(100083)//半导体学报.—2000,21(1).-28-32Visible Vertical-cavity Surface-emitting Lasers(VCSELs)have been designed and fabricatd by usingmetalorganic vapor phase epitaxy.Using the 8λ opticalcavities with 3 quantum wells in展开更多
TN248.4 2004064104 高铝Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁...TN248.4 2004064104 高铝Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁（中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京（100083））,宋国峰…∥半导体学报.—2004,25（5）.—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12（严寒）展开更多
文摘TN248.4 2001020889超低阈值红色垂直腔面发射激光器=Ultralowthreshold red vertical-cavity surface-emittinglasers[刊,英]/程澎,高俊华,康学军,林世鸣,张光斌,刘世安,胡国新(中科院北京半导体所.北京(100083)//半导体学报.—2000,21(1).-28-32Visible Vertical-cavity Surface-emitting Lasers(VCSELs)have been designed and fabricatd by usingmetalorganic vapor phase epitaxy.Using the 8λ opticalcavities with 3 quantum wells in
文摘TN248.4 2004064104 高铝Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁（中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京（100083））,宋国峰…∥半导体学报.—2004,25（5）.—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12（严寒）
