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题名静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系
被引量：2
- 1
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作者
杨洁
刘尚合
刘红兵
祁树锋
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机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2007年第6期620-624,共5页
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基金
国家自然科学基金重点资助项目(50237040)
国家自然科学基金面上资助项目(60671044)
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文摘
为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性.
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关键词
硅双极晶体管
静电放电
潜在性失效
注人次数
微波低噪声小功率
加速寿命实验
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Keywords
silicon dipole transistor
ESD
latent damage
injected times
microwave low-noise small-power
accelerated life test
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分类号
O441
[理学—电磁学]
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题名MOS器件静电放电潜在性失效概述
被引量：1
- 2
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作者
杨洁
武占成
张希军
胡有志
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机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
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出处
《河北科技大学学报》
CAS
北大核心
2011年第S1期34-37,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60871066
60971042)
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文摘
各类微电子器件在向着微型化与集成化方向发展的同时,随之而来的便是其抗静电放电能力的下降。然而,静电放电不仅能够在微电子器件内部造成明显失效,而且能够在其内部造成潜在性失效。潜在性失效,是目前最具争议的一种失效模式,也最具威胁性。国内外研究人员在此方面积极开展了多项研究并取得了较大的进展,他们的研究结果表明:在MOS器件中确实存在静电放电潜在性失效问题。同时,在他们的研究中对MOS器件静电放电潜在性失效的损伤机理、检测方法等进行了相应研究。
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关键词
静电放电
MOS器件
潜在性失效
检测
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分类号
N55
[自然科学总论]
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题名砷化镓场效应管的潜在性失效
被引量：2
- 3
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作者
桂建勋
刘庆祥
王文生
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机构
中国民用航空学院
电子工业部第
天津大学
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出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1997年第5期585-590,共6页
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文摘
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静电放电失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表现为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理为：在强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力．
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关键词
砷化镓
场效应管
静电放电
失效
潜在性失效
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Keywords
GaAs MESFET, electrostatic discharge, potential failure, Schottky barrier
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名高频小功率硅双极器件ESD潜在失效的无损检测方法
被引量：6
- 4
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作者
杨洁
殷中伟
张希军
王振兴
武占成
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机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
河北民族师范学院物理系
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出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期164-169,共6页
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基金
国家自然科学基金(6087106660971042)~~
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文摘
目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对高频小功率硅双极晶体管静电放电潜在性失效的无损检测方法进行了较为细致的分析研究。通过详细比较后可以确定,高温反偏法和低频噪声法均不能用来检测高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效,也就更不能用来检测判别此类器件的静电放电潜在性失效。最后,通过对多个电参数的测量与对比发现,高频小功率硅双极晶体管集电极-基极反偏结漏电流的大范围变化可以表征此类器件静电放电潜在性失效的存在。
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关键词
静电放电(ESD)
潜在性失效
硅双极晶体管
检测方法
高频小功率
低频噪声
漏电流
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Keywords
electrostatic discharge（ESD）
latent damage
Silicon BJT
test method
high-frequency low-power
low frequency noise
leakage current
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分类号
O441.1
[理学—电磁学]
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题名静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用
- 5
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作者
杨洁
刘升
武占成
张希军
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机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
河北广播电视大学教学指导中心
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出处
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2010年第5期590-593,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60871066
60971042)
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文摘
为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效阈值的静电放电注入可能在该类晶体管内部造成潜在性失效,另一方面发现静电放电的注入也可能类似退火,对部分该类晶体管起到了训练加固的作用.
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关键词
硅双极晶体管
静电放电
潜在性失效
加固
高频小功率
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Keywords
silicon bipolar transistor
ESD
latent damage
enhance effect
high-frequency low-power
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分类号
O441
[理学—电磁学]
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