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表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
1
作者
戴显英
李志
+5 位作者
张鹤鸣
郝跃
王琳
查冬
王晓晨
付毅初
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期94-97,113,共5页
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电...
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.
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关键词
阈值电压模型
Ge沟道pMOSFET
漏致势垒降低效应
短沟道
效应
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职称材料
Halo结构器件研究综述
2
作者
陈昕
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期726-729,共4页
随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况。与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SCE)和漏致势垒降低(DIBL)效应需要专门工艺来克服,H...
随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况。与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SCE)和漏致势垒降低(DIBL)效应需要专门工艺来克服,Halo注入通过在沟道两侧形成高掺杂浓度区,达到对SCE和DIBL进行有效抑制的目的,现已成为备受关注的结构。针对有关Halo的研究内容进行综述,并对其在CMOS工艺等比例缩小进程中所起的作用进行评述,对Halo的发展趋势进行了展望。
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关键词
HALO结构
短沟
效应
漏致势垒降低效应
工艺等比例缩小
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职称材料
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
3
作者
杨颖琳
胡成
+4 位作者
朱伦
许鹏
朱志炜
张卫
吴东平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期184-187,共4页
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函...
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。
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关键词
异质栅
金属氧化物半导体场
效应
晶体管
热载流子
效应
表面电场
表面势
漏致势垒降低效应
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职称材料
题名
表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
1
作者
戴显英
李志
张鹤鸣
郝跃
王琳
查冬
王晓晨
付毅初
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期94-97,113,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1)
文摘
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.
关键词
阈值电压模型
Ge沟道pMOSFET
漏致势垒降低效应
短沟道
效应
Keywords
threshold voltage
Ge channel pMOSFET
DIBL
SCE
分类号
O141.4 [理学—基础数学]
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职称材料
题名
Halo结构器件研究综述
2
作者
陈昕
机构
同济大学电子与信息工程学院电子科学与技术系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期726-729,共4页
文摘
随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况。与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SCE)和漏致势垒降低(DIBL)效应需要专门工艺来克服,Halo注入通过在沟道两侧形成高掺杂浓度区,达到对SCE和DIBL进行有效抑制的目的,现已成为备受关注的结构。针对有关Halo的研究内容进行综述,并对其在CMOS工艺等比例缩小进程中所起的作用进行评述,对Halo的发展趋势进行了展望。
关键词
HALO结构
短沟
效应
漏致势垒降低效应
工艺等比例缩小
Keywords
Halo structure
short-channel effect
DIBL effect
technology scaling
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
3
作者
杨颖琳
胡成
朱伦
许鹏
朱志炜
张卫
吴东平
机构
复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期184-187,共4页
基金
国家科技重大专项(2009ZX02305-003)
上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划资助项目
文摘
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。
关键词
异质栅
金属氧化物半导体场
效应
晶体管
热载流子
效应
表面电场
表面势
漏致势垒降低效应
Keywords
dual-material gate
MOSFET
hot carrier effect
surface electric field
surface potential
drain-induced barrier lowering （DIBL）
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
戴显英
李志
张鹤鸣
郝跃
王琳
查冬
王晓晨
付毅初
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Halo结构器件研究综述
陈昕
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
杨颖琳
胡成
朱伦
许鹏
朱志炜
张卫
吴东平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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职称材料
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