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非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真被引量：5: 1; 作者刘远姚若河李斌《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期15-18,33,共5页; 针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为... 展开更多; 关键词非晶硅薄膜晶体管不饱和输出电流数值仿真空间电荷限制传导漏致势垒降低; 在线阅读下载PDF 职称材料

表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型: 2; 作者戴显英李志 +5 位作者张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期94-97,113,共5页; 基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电... 展开更多; 关键词阈值电压模型 Ge沟道pMOSFET 漏致势垒降低效应短沟道效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术: 3; 作者李曼张淳棠 +3 位作者刘安琪姚佳飞张珺郭宇锋《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期392-400,共9页; 随着栅极长度、硅膜厚度以及埋氧层厚度的减小,MOS器件短沟道效应变得越来越严峻。本文首先给出了决定全耗尽绝缘体上硅短沟道效应的三种机制;然后从接地层、埋层工程、沟道工程、源漏工程、侧墙工程和栅工程等六种工程技术方面讨论了... 展开更多; 关键词 UTBB SOI MOSFETs 短沟道效应漏致势垒降低埋氧层厚度; 在线阅读下载PDF 职称材料

Halo结构器件研究综述: 4; 作者陈昕《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期726-729,共4页; 随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况。与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SCE)和漏致势垒降低(DIBL)效应需要专门工艺来克服,H... 展开更多; 关键词 HALO结构短沟效应漏致势垒降低效应工艺等比例缩小; 在线阅读下载PDF 职称材料

小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究: 5; 作者屈江涛张鹤鸣 +2 位作者胡辉勇徐小波王晓艳《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期311-316,共6页; 针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低(DIBL)效应、短沟道效应(SCE)和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P+多晶SiGe栅应变Si pMOSFET的阈值电压模型和I-V特性模型。运用Matlab... 展开更多; 关键词漏致势垒降低金属氧化物半导体晶体管硅锗合金应变硅阈值电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究: 6; 作者杨颖琳胡成 +4 位作者朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期184-187,共4页; 研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 展开更多; 关键词异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文) 被引量：2: 7; 作者蒋嗣韬肖广然王伟《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期228-236,共9页; 随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器... 展开更多; 关键词石墨烯纳米条带场效应管非平衡格林函数掺杂结构漏极电场致势垒降低效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真被引量：5: 1; 作者刘远姚若河李斌; 机构华南理工大学电子与信息学院; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期15-18,33,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60776020) Cadence公司基金资助项目; 文摘针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响.; 关键词非晶硅薄膜晶体管不饱和输出电流数值仿真空间电荷限制传导漏致势垒降低; Keywords amorphous silicon thin-film transistor unsaturated output current numerical simulation space charge-limited conduction drain-induced barrier lowering; 分类号 TN321 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型: 2; 作者戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期94-97,113,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1); 文摘基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.; 关键词阈值电压模型 Ge沟道pMOSFET 漏致势垒降低效应短沟道效应; Keywords threshold voltage Ge channel pMOSFET DIBL SCE; 分类号 O141.4 [理学—基础数学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术: 3; 作者李曼张淳棠刘安琪姚佳飞张珺郭宇锋; 机构南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学集成电路科学与工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期392-400,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(61874059,61904083,62074080) 江苏省自然科学基金资助项目(BK20201206) 江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX20_0704)。; 文摘随着栅极长度、硅膜厚度以及埋氧层厚度的减小,MOS器件短沟道效应变得越来越严峻。本文首先给出了决定全耗尽绝缘体上硅短沟道效应的三种机制;然后从接地层、埋层工程、沟道工程、源漏工程、侧墙工程和栅工程等六种工程技术方面讨论了为抑制短沟道效应而引入的不同UTBB SOI MOSFETs结构,分析了这些结构能够有效抑制短沟道效应(如漏致势垒降低、亚阈值摆幅、关态泄露电流、开态电流等)的机理;而后基于这六种技术,对近年来在UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制方面所做的工作进行了总结;最后对未来技术的发展进行了展望。; 关键词 UTBB SOI MOSFETs 短沟道效应漏致势垒降低埋氧层厚度; Keywords UTBB SOI MOSFETs short channel effects(SCEs) drain-induced barrier lowering(DIBL) buried oxide thickness; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Halo结构器件研究综述: 4; 作者陈昕; 机构同济大学电子与信息工程学院电子科学与技术系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期726-729,共4页; 文摘随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况。与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SCE)和漏致势垒降低(DIBL)效应需要专门工艺来克服,Halo注入通过在沟道两侧形成高掺杂浓度区,达到对SCE和DIBL进行有效抑制的目的,现已成为备受关注的结构。针对有关Halo的研究内容进行综述,并对其在CMOS工艺等比例缩小进程中所起的作用进行评述,对Halo的发展趋势进行了展望。; 关键词 HALO结构短沟效应漏致势垒降低效应工艺等比例缩小; Keywords Halo structure short-channel effect DIBL effect technology scaling; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究: 5; 作者屈江涛张鹤鸣胡辉勇徐小波王晓艳; 机构西安电子科技大学微电子学院; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期311-316,共6页; 基金国家部委资助项目(51308040203 6139801); 文摘针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低(DIBL)效应、短沟道效应(SCE)和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P+多晶SiGe栅应变Si pMOSFET的阈值电压模型和I-V特性模型。运用Matlab对模型进行计算,获得阈值电压随多晶SiGe栅Ge组分、栅长、氧化层厚度、弛豫SiGe虚拟衬底Ge组分、掺杂浓度以及漏源偏压的变化规律,I-V特性计算结果表明MOS器件采用Si基应变技术将有更高的输出特性。用器件仿真软件ISETCAD对模型结构进行仿真,所得结果与Matlab计算结果一致,从而证明了该模型的正确性,为小尺寸应变Si MOS器件的分析设计提供了参考。; 关键词漏致势垒降低金属氧化物半导体晶体管硅锗合金应变硅阈值电压; Keywords DIBL MOS SiGe strained Si threshold voltage; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] TN6 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究: 6; 作者杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期184-187,共4页; 基金国家科技重大专项(2009ZX02305-003) 上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划资助项目; 文摘研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。; 关键词异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应; Keywords dual-material gate MOSFET hot carrier effect surface electric field surface potential drain-induced barrier lowering （DIBL）; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文) 被引量：2: 7; 作者蒋嗣韬肖广然王伟; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期228-236,共9页; 基金国家自然科学基金(60806027) 江苏省高校自然科学研究面上资助项目(10KJD510005,10KJD510006); 文摘随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器件中SCE和DIBL,改善器件性能。并采用一种量子力学模型研究GNRFET的电学特性,该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了GNRFET的电学特性和器件结构尺寸效应,通过与采用其他掺杂结构的GNRFET的电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管具有更低的泄漏电流。; 关键词石墨烯纳米条带场效应管非平衡格林函数掺杂结构漏极电场致势垒降低效应; Keywords graphene nanoribbon field-effect transistors non-equilibrium Green′s function doping profile drain-field induced pontential barrier lowering（DIBL）; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真	刘远姚若河李斌	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型	戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术	李曼张淳棠刘安琪姚佳飞张珺郭宇锋	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Halo结构器件研究综述	陈昕	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究	屈江涛张鹤鸣胡辉勇徐小波王晓艳	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究	杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文)	蒋嗣韬肖广然王伟	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料