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基于MOSFET漏电流温度特性的室温红外探测器
被引量：
2
1
作者
董良
岳瑞峰
刘理天
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2002年第6期534-539,共6页
基于MOSFET的漏电流温度特性,提出了一种可与CMOS工艺兼容的新型室温红外探测器。它采用在SOI衬底上实现的MOSFET作为探测红外灵敏元,在MOSFET的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将SOI的隐埋氧化层悬空...
基于MOSFET的漏电流温度特性,提出了一种可与CMOS工艺兼容的新型室温红外探测器。它采用在SOI衬底上实现的MOSFET作为探测红外灵敏元,在MOSFET的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将SOI的隐埋氧化层悬空,形成热绝缘微桥结构。MOSFET在担当探测红外辐射灵敏元的同时,又作为放大处理电路的一部分,简化了电路。分析表明,探测器的探测率可高达109～1010cmHz1/2W-1。
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关键词
MOSFET
漏电流温度特性
室温红外探测器
SOI
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职称材料
宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿
被引量：
5
2
作者
Peng, Long-Xin
Yang, Nai-Bin
Lin, Jin-Ting
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期934-937,共4页
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理....
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃～＋85℃时和-55℃～＋125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能.
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关键词
赝配高电子迁移率晶体管
宽带单片低噪声放大器
漏电流温度特性
增益
温度
特性
增益
温度
补偿
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职称材料
题名
基于MOSFET漏电流温度特性的室温红外探测器
被引量：
2
1
作者
董良
岳瑞峰
刘理天
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2002年第6期534-539,共6页
文摘
基于MOSFET的漏电流温度特性,提出了一种可与CMOS工艺兼容的新型室温红外探测器。它采用在SOI衬底上实现的MOSFET作为探测红外灵敏元,在MOSFET的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将SOI的隐埋氧化层悬空,形成热绝缘微桥结构。MOSFET在担当探测红外辐射灵敏元的同时,又作为放大处理电路的一部分,简化了电路。分析表明,探测器的探测率可高达109～1010cmHz1/2W-1。
关键词
MOSFET
漏电流温度特性
室温红外探测器
SOI
Keywords
MOSFET
SOI
Temperature dependence of drain current
Uncooled infrared detector
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿
被引量：
5
2
作者
Peng, Long-Xin
Yang, Nai-Bin
Lin, Jin-Ting
机构
Nanjing Electronics Devices Institute
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期934-937,共4页
文摘
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃～＋85℃时和-55℃～＋125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能.
关键词
赝配高电子迁移率晶体管
宽带单片低噪声放大器
漏电流温度特性
增益
温度
特性
增益
温度
补偿
Keywords
pseudomophic high electron mobility transistor （PHEMT）
broadband monolithic amplifier
temper-ature dependence of drain current and gain
temperature compensation of gain
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
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出处
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1
基于MOSFET漏电流温度特性的室温红外探测器
董良
岳瑞峰
刘理天
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2002
2
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职称材料
2
宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿
Peng, Long-Xin
Yang, Nai-Bin
Lin, Jin-Ting
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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职称材料
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