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Nb∶SrTiO_3单晶基片上外延生长BaTiO_3薄膜的漏电流机制分析
1
作者
潘瑞琨
刘攀克
+1 位作者
黎明锴
何云斌
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第18期1-4,8,共5页
采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15nm厚度的BTO薄膜。并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证...
采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15nm厚度的BTO薄膜。并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证实了薄膜的外延生长特征。以磁控溅射法制备金属铂(Pt)上电极,在室温下测试了BTO薄膜的电流-电压(I-V)曲线。通过拟合I-V曲线,结果表明:在正向电压下,薄膜的漏电流符合空间电荷受限电流机制(SCLC);在反向电压下,漏电流先为普尔-弗伦克尔发射机制(Poole-Frenkel emission),随着反向电压的升高,转变为福勒-诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordheim tunneling)。分析指出,在Pt/BTO界面存在一个可变的肖特基势垒,该势垒受到BTO薄膜内部迁移的氧空位影响,从而决定了上述漏电流机制。
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关键词
BaTiO3薄膜
结构
漏电流机制
肖特基势垒
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职称材料
SrHfON高k栅介质薄膜的漏电特性研究
2
作者
王雪梅
刘正堂
冯丽萍
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期778-782,共5页
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应。结果表明,MOS电容的漏电流密度随N2流量的增加而减小。在正栅压下,漏电流主要由Schottk...
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应。结果表明,MOS电容的漏电流密度随N2流量的增加而减小。在正栅压下,漏电流主要由Schottky发射机制引起;在负栅压下,漏电流机制在低、中、高栅电场区时分别为Schottky发射、F-P发射和F-N隧穿机制。同时,Au/SrHfON/SiMOS电容表现出明显的SILC效应,经恒压应力后薄膜在正栅压下的漏电流由Schottky发射和F-P发射机制共同作用,且后者占主导地位。
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关键词
高K栅介质
SrHfON
漏电流机制
应力感应
漏电
流
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职称材料
题名
Nb∶SrTiO_3单晶基片上外延生长BaTiO_3薄膜的漏电流机制分析
1
作者
潘瑞琨
刘攀克
黎明锴
何云斌
机构
湖北大学材料科学与工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第18期1-4,8,共5页
基金
国家自然科学基金(51272072
61274010)
文摘
采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15nm厚度的BTO薄膜。并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证实了薄膜的外延生长特征。以磁控溅射法制备金属铂(Pt)上电极,在室温下测试了BTO薄膜的电流-电压(I-V)曲线。通过拟合I-V曲线,结果表明:在正向电压下,薄膜的漏电流符合空间电荷受限电流机制(SCLC);在反向电压下,漏电流先为普尔-弗伦克尔发射机制(Poole-Frenkel emission),随着反向电压的升高,转变为福勒-诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordheim tunneling)。分析指出,在Pt/BTO界面存在一个可变的肖特基势垒,该势垒受到BTO薄膜内部迁移的氧空位影响,从而决定了上述漏电流机制。
关键词
BaTiO3薄膜
结构
漏电流机制
肖特基势垒
Keywords
BaTiO3 film, structure, leakage current, Schottky barrier
分类号
O484.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
SrHfON高k栅介质薄膜的漏电特性研究
2
作者
王雪梅
刘正堂
冯丽萍
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期778-782,共5页
基金
国家自然科学基金项目(50902110)
凝固技术国家重点实验室研究基金项目(58-TZ-2011)
+1 种基金
111计划(B07040)
西北工业大学基础研究基金项目(JC20110245)
文摘
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应。结果表明,MOS电容的漏电流密度随N2流量的增加而减小。在正栅压下,漏电流主要由Schottky发射机制引起;在负栅压下,漏电流机制在低、中、高栅电场区时分别为Schottky发射、F-P发射和F-N隧穿机制。同时,Au/SrHfON/SiMOS电容表现出明显的SILC效应,经恒压应力后薄膜在正栅压下的漏电流由Schottky发射和F-P发射机制共同作用,且后者占主导地位。
关键词
高K栅介质
SrHfON
漏电流机制
应力感应
漏电
流
Keywords
High-k gate dielectric
SrHfON
Leakage current conduction mechanism
SILC
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
O484.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Nb∶SrTiO_3单晶基片上外延生长BaTiO_3薄膜的漏电流机制分析
潘瑞琨
刘攀克
黎明锴
何云斌
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SrHfON高k栅介质薄膜的漏电特性研究
王雪梅
刘正堂
冯丽萍
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
已选择
0
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