检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

高P_r/低P_r栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系被引量：1: 1; 作者顾江施敏 +1 位作者王强蔡小鹏《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第11期659-662,673,共5页; 分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数,设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管,并进行了仿真研究。仿真结果表明：具有高Pr/低Pr栅介质结构的铁电场效应晶体管在饱和极化后,其极化前后输出漏极电流差... 展开更多; 关键词铁电场效应晶体管(FFET) 双层栅铁电材料漏极电流极化仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文) 被引量：2: 2; 作者蒋嗣韬肖广然王伟《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期228-236,共9页; 随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器... 展开更多; 关键词石墨烯纳米条带场效应管非平衡格林函数掺杂结构漏极电场致势垒降低效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术: 3; 作者李曼张淳棠 +3 位作者刘安琪姚佳飞张珺郭宇锋《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期392-400,共9页; 随着栅极长度、硅膜厚度以及埋氧层厚度的减小,MOS器件短沟道效应变得越来越严峻。本文首先给出了决定全耗尽绝缘体上硅短沟道效应的三种机制;然后从接地层、埋层工程、沟道工程、源漏工程、侧墙工程和栅工程等六种工程技术方面讨论了... 展开更多; 关键词 UTBB SOI MOSFETs 短沟道效应漏致势垒降低埋氧层厚度; 在线阅读下载PDF 职称材料

Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化被引量：2: 4; 作者王兵冰汪洋 +1 位作者黄如张兴《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期130-133,共4页; 通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。; 关键词 HALO 热载流子效应短沟效应漏感应势垒降低效应 N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型: 5; 作者戴显英李志 +5 位作者张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期94-97,113,共5页; 基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电... 展开更多; 关键词阈值电压模型 Ge沟道pMOSFET 漏致势垒降低效应短沟道效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

Halo结构器件研究综述: 6; 作者陈昕《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期726-729,共4页; 随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况。与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SCE)和漏致势垒降低(DIBL)效应需要专门工艺来克服,H... 展开更多; 关键词 HALO结构短沟效应漏致势垒降低效应工艺等比例缩小; 在线阅读下载PDF 职称材料

双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型被引量：1: 7; 作者李尚君高珊储晓磊《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期424-428,共5页; 采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同... 展开更多; 关键词双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管沟道侧壁绝缘柱表面势电荷分享漏感应势垒降低效应短; 在线阅读下载PDF 职称材料

22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究: 8; 作者杨颖琳胡成 +4 位作者朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期184-187,共4页; 研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 展开更多; 关键词异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高P_r/低P_r栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系被引量：1: 1; 作者顾江施敏王强蔡小鹏; 机构常熟理工学院物理电子系南通大学电子信息学院南通大学计算机科学与技术学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第11期659-662,673,共5页; 基金江苏省自然科学基金资助项目(BK20082317) 南通大学自然科学基金资助项目(08Z024) +2 种基金江苏省大学生创新项目南通市应用研究计划资助项目(k2010033); 文摘分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数,设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管,并进行了仿真研究。仿真结果表明：具有高Pr/低Pr栅介质结构的铁电场效应晶体管在饱和极化后,其极化前后输出漏极电流差最大,有利于存储信号的分辨,提高电路的效率。通过改变该结构中低Pr层的Pr,Ec等铁电材料参数,发现在3-4V间饱和极化,该结构的铁电场效应晶体管的漏极电流输出特性比较稳定,减小了对材料、工艺、Ps/Pr及Ec的依赖性和敏感性,具有易于制造和便于电路设计的优点。; 关键词铁电场效应晶体管(FFET) 双层栅铁电材料漏极电流极化仿真; Keywords ferrorelectric field offect transistor （FFET） double layer gate ferroelectric material drain current polarization simulation; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文) 被引量：2: 2; 作者蒋嗣韬肖广然王伟; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期228-236,共9页; 基金国家自然科学基金(60806027) 江苏省高校自然科学研究面上资助项目(10KJD510005,10KJD510006); 文摘随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器件中SCE和DIBL,改善器件性能。并采用一种量子力学模型研究GNRFET的电学特性,该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了GNRFET的电学特性和器件结构尺寸效应,通过与采用其他掺杂结构的GNRFET的电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管具有更低的泄漏电流。; 关键词石墨烯纳米条带场效应管非平衡格林函数掺杂结构漏极电场致势垒降低效应; Keywords graphene nanoribbon field-effect transistors non-equilibrium Green′s function doping profile drain-field induced pontential barrier lowering（DIBL）; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术: 3; 作者李曼张淳棠刘安琪姚佳飞张珺郭宇锋; 机构南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学集成电路科学与工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期392-400,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(61874059,61904083,62074080) 江苏省自然科学基金资助项目(BK20201206) 江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX20_0704)。; 文摘随着栅极长度、硅膜厚度以及埋氧层厚度的减小,MOS器件短沟道效应变得越来越严峻。本文首先给出了决定全耗尽绝缘体上硅短沟道效应的三种机制;然后从接地层、埋层工程、沟道工程、源漏工程、侧墙工程和栅工程等六种工程技术方面讨论了为抑制短沟道效应而引入的不同UTBB SOI MOSFETs结构,分析了这些结构能够有效抑制短沟道效应(如漏致势垒降低、亚阈值摆幅、关态泄露电流、开态电流等)的机理;而后基于这六种技术,对近年来在UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制方面所做的工作进行了总结;最后对未来技术的发展进行了展望。; 关键词 UTBB SOI MOSFETs 短沟道效应漏致势垒降低埋氧层厚度; Keywords UTBB SOI MOSFETs short channel effects(SCEs) drain-induced barrier lowering(DIBL) buried oxide thickness; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化被引量：2: 4; 作者王兵冰汪洋黄如张兴; 机构北京大学深圳研究生院北京大学微电子所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期130-133,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(90207004); 文摘通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。; 关键词 HALO 热载流子效应短沟效应漏感应势垒降低效应 N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管; Keywords Halo HCE SCE DIBL effect NMOSFET; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型: 5; 作者戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期94-97,113,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1); 文摘基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.; 关键词阈值电压模型 Ge沟道pMOSFET 漏致势垒降低效应短沟道效应; Keywords threshold voltage Ge channel pMOSFET DIBL SCE; 分类号 O141.4 [理学—基础数学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Halo结构器件研究综述: 6; 作者陈昕; 机构同济大学电子与信息工程学院电子科学与技术系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期726-729,共4页; 文摘随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况。与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SCE)和漏致势垒降低(DIBL)效应需要专门工艺来克服,Halo注入通过在沟道两侧形成高掺杂浓度区,达到对SCE和DIBL进行有效抑制的目的,现已成为备受关注的结构。针对有关Halo的研究内容进行综述,并对其在CMOS工艺等比例缩小进程中所起的作用进行评述,对Halo的发展趋势进行了展望。; 关键词 HALO结构短沟效应漏致势垒降低效应工艺等比例缩小; Keywords Halo structure short-channel effect DIBL effect technology scaling; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型被引量：1: 7; 作者李尚君高珊储晓磊; 机构安徽大学电子信息工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期424-428,共5页; 基金国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004); 文摘采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同沟道长度下,分析了DPDG MOSFET器件的阈值电压(Vth),亚阈值斜率(SS)以及漏感应势垒降低效应(DIBL),并与DG MOSFET作对比。结果表明,添加绝缘柱DP后,不仅减小了源漏端电荷分享,而且增强了栅对电荷控制,从而改善了器件的DIBL效应,并有效提高了器件的可靠性。; 关键词双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管沟道侧壁绝缘柱表面势电荷分享漏感应势垒降低效应短; Keywords double gate MOSFET incorporating dielectric pocket(DPDG MOSFET) the chan-nel wall incorporating dielectric pocket(DP) surface potential charge sharing drain induced bar-rier lowering(DIBL) short channel effect; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究: 8; 作者杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期184-187,共4页; 基金国家科技重大专项(2009ZX02305-003) 上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划资助项目; 文摘研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。; 关键词异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应; Keywords dual-material gate MOSFET hot carrier effect surface electric field surface potential drain-induced barrier lowering （DIBL）; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高P_r/低P_r栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系	顾江施敏王强蔡小鹏	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文)	蒋嗣韬肖广然王伟	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术	李曼张淳棠刘安琪姚佳飞张珺郭宇锋	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化	王兵冰汪洋黄如张兴	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型	戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Halo结构器件研究综述	陈昕	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型	李尚君高珊储晓磊	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究	杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料