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基于栅极和漏极电压检测的SiC MOSFET短路保护电路研究
被引量：
1
1
作者
宛新春
陈其工
+1 位作者
杨锦涛
武逸飞
《电工技术学报》
北大核心
2025年第4期1145-1155,1168,共12页
SiC MOSFET广泛应用于电力电子变换设备中,快速、准确且可靠的短路保护电路已成为推广其应用的关键技术之一。该文对SiCMOSFET的各类短路过程进行分析,利用器件短路时漏源极电压迅速增加的特点,设计短路保护电路的拓扑结构和功能,检测Si...
SiC MOSFET广泛应用于电力电子变换设备中,快速、准确且可靠的短路保护电路已成为推广其应用的关键技术之一。该文对SiCMOSFET的各类短路过程进行分析,利用器件短路时漏源极电压迅速增加的特点,设计短路保护电路的拓扑结构和功能,检测SiCMOSFET栅极和漏极电压,并将该信号进行分析、锁存、隔离、滤波处理,若器件发生短路,则输出短路信号给栅极驱动芯片。在此基础上,采用基本逻辑器件和高速器件设计保护电路,理论上分析计算该电路在不同短路类型下的响应时间。计入所有影响保护速度的因素,该电路能在600 ns内实现SiC MOSFET短路保护,尤其是在发生负载短路故障时能将短路保护时间缩短至200 ns以内,其响应速度受不同母线电压影响较小。搭建实验平台,测试了该电路在不同母线电压、短路类型、驱动能力等情况下的短路保护性能,实验结果与理论分析和设计要求相符合。
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关键词
SIC
MOSFET
短路保护
栅
极
电压
检测
漏极电压检测
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职称材料
题名
基于栅极和漏极电压检测的SiC MOSFET短路保护电路研究
被引量：
1
1
作者
宛新春
陈其工
杨锦涛
武逸飞
机构
安徽工程大学高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室
安徽工程大学电气工程学院
出处
《电工技术学报》
北大核心
2025年第4期1145-1155,1168,共12页
基金
国家自然科学基金区域创新发展联合基金资助项目(U21A20146)。
文摘
SiC MOSFET广泛应用于电力电子变换设备中,快速、准确且可靠的短路保护电路已成为推广其应用的关键技术之一。该文对SiCMOSFET的各类短路过程进行分析,利用器件短路时漏源极电压迅速增加的特点,设计短路保护电路的拓扑结构和功能,检测SiCMOSFET栅极和漏极电压,并将该信号进行分析、锁存、隔离、滤波处理,若器件发生短路,则输出短路信号给栅极驱动芯片。在此基础上,采用基本逻辑器件和高速器件设计保护电路,理论上分析计算该电路在不同短路类型下的响应时间。计入所有影响保护速度的因素,该电路能在600 ns内实现SiC MOSFET短路保护,尤其是在发生负载短路故障时能将短路保护时间缩短至200 ns以内,其响应速度受不同母线电压影响较小。搭建实验平台,测试了该电路在不同母线电压、短路类型、驱动能力等情况下的短路保护性能,实验结果与理论分析和设计要求相符合。
关键词
SIC
MOSFET
短路保护
栅
极
电压
检测
漏极电压检测
Keywords
SiC MOSFET
short-circuit protection
grid voltage detection
drain voltage detection
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于栅极和漏极电压检测的SiC MOSFET短路保护电路研究
宛新春
陈其工
杨锦涛
武逸飞
《电工技术学报》
北大核心
2025
1
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