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基于谐波调谐的C波段高效率GaN HEMT功率放大器: 1; 作者李俊敏刘英坤 +1 位作者李通蔡道民《半导体技术》北大核心 2025年第3期289-295,共7页; 为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容... 展开更多; 关键词谐波阻抗匹配漏极效率 GAN HEMT 功率放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于0.15μm-GaN工艺的输入输出谐波调谐高效率功率放大器设计被引量：1: 2; 作者蔡奇朱浩慎 +3 位作者曾丁元王希瑶薛泉车文荃《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2320-2330,共11页; 文章提出了一种面向毫米波应用的基于谐波调谐的单片集成(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)功率放大器(Power Amplifier,PA).通过在晶体管输入和输出端对谐波终端进行控制,MMIC PA可以在高频实现高效率性能.本文提出的输... 展开更多; 关键词漏极效率氮化镓功放二次和三次谐波调谐输入谐波调谐; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于改进简化实频技术的超宽带功率放大器设计被引量：3: 3; 作者刘国华周国祥 +1 位作者郭灿天赐程知群《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第6期1617-1621,共5页; 该文提出了一种基于改进简化实频算法的跨多倍频超宽带功率放大器。结合负载牵引技术,分析晶体管负载端的最优阻抗值变化。通过改进简化实频法中的优化目标和误差函数,对频段内选取多个频点的最优阻抗进行分析,设计并优化出了功率放大... 展开更多; 关键词功率放大器简化实频法多倍频漏极效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

针对宽带功率放大器设计的人工神经网络算法被引量：3: 4; 作者张明哲邬海峰魏世哲《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期118-124,共7页; 为了实现准确快速设计宽带匹配网络的目的,提出了基于人工神经网络设计宽带高效功率放大器的新方法。通过对匹配网络及晶体管阻抗特性的分析,借助人工神经网络对功率放大器的匹配网络进行建模。结合训练模型与优化方法设计宽带匹配网络... 展开更多; 关键词功率放大器神经网络阻抗匹配宽带网络漏极效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

C波段全集成GaN MMIC Doherty功率放大器设计被引量：1: 5; 作者王金婵张盼盼 +3 位作者王德勇张金灿刘敏刘博《雷达科学与技术》北大核心 2023年第4期467-472,共6页; 采用0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺设计了一种全集成单片微波集成电路(MMIC)多尔蒂(Doherty)功率放大器(DPA)。采用了新型的拓扑结构,去除了传统DPA中主路放大器的阻抗变换器以及两路合成后的阻抗转换器,直接在主路输... 展开更多; 关键词多尔蒂氮化镓高电子迁移率晶体管单片微波集成电路漏极效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于谐波调谐的C波段高效率GaN HEMT功率放大器: 1; 作者李俊敏刘英坤李通蔡道民; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所北京中电科卫星导航系统有限公司; 出处《半导体技术》北大核心 2025年第3期289-295,共7页; 文摘为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容形成T型匹配网络来提升输入阻抗,以HEMT输出端键合线和瓷片电容分别作为电感和电容进行串联,使HEMT输出端对二次谐波短路,控制器件的电压和电流波形,提高放大器的漏极效率。管壳外部利用微带线进行阻抗变换,将输入输出阻抗匹配到50Ω。经测试,GaN HEMT功率放大器在5.8 GHz下饱和输出功率、漏极效率和功率增益分别为48.7 dBm、72%和11.3 dB。; 关键词谐波阻抗匹配漏极效率 GAN HEMT 功率放大器; Keywords harmonic impedance matching drain efficiency GaN HEMT power amplifier; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统] TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于0.15μm-GaN工艺的输入输出谐波调谐高效率功率放大器设计被引量：1: 2; 作者蔡奇朱浩慎曾丁元王希瑶薛泉车文荃; 机构南京邮电大学通信与信息工程学院华南理工大学电子与信息学院东南大学毫米波国家重点实验室; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2320-2330,共11页; 基金国家重点研发计划(No.2018YFB1802000) 国家自然科学基金(No.62001242,No.62201280) 东南大学毫米波国家重点实验室开放课题(No.K202321)~~。; 文摘文章提出了一种面向毫米波应用的基于谐波调谐的单片集成(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)功率放大器(Power Amplifier,PA).通过在晶体管输入和输出端对谐波终端进行控制,MMIC PA可以在高频实现高效率性能.本文提出的输出网络在匹配基频阻抗的同时,可以控制二次和三次谐波阻抗.此外,为了进一步提升功放效率,输入端的二次谐波阻抗也进行了调谐.在0.15μm碳化硅基氮化镓(Gallium Nitride on Silicon Carbide,GaNon-SiC)工艺上对所提出的功放架构和设计方法进行了仿真和测试验证.测试结果表明,PA在21.4~23 GHz的频带范围内,功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE)大于39.2%,输出功率大于33 dBm.而PA工作频率为22.2 GHz时,测试的漏极效率最大达到63.7%,对应的PAE为50.2%,输出功率为34.1 dBm,仿真和测试结果基本吻合.整体电路尺寸只有1.87 mm^(2),因此单位面积的输出功率为1.31 W/mm^(2).和其他工作相比,本文提出的功放实现了较高的效率和功率密度.; 关键词漏极效率氮化镓功放二次和三次谐波调谐输入谐波调谐; Keywords drain efficiency GaN PA second and third harmonic tuned input harmonic tuned; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统] TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于改进简化实频技术的超宽带功率放大器设计被引量：3: 3; 作者刘国华周国祥郭灿天赐程知群; 机构杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第6期1617-1621,共5页; 基金国家自然科学基金(91938201,61871169) 浙江省自然科学基金(LZ20F010004)。; 文摘该文提出了一种基于改进简化实频算法的跨多倍频超宽带功率放大器。结合负载牵引技术,分析晶体管负载端的最优阻抗值变化。通过改进简化实频法中的优化目标和误差函数,对频段内选取多个频点的最优阻抗进行分析,设计并优化出了功率放大器的输出匹配电路,提高了功放的工作带宽。测试结果显示,在0.5~2.7 GHz频段内,饱和输出功率达到42.5 dBm,饱和漏极效率为64%~75%。; 关键词功率放大器简化实频法多倍频漏极效率; Keywords Power amplifier Simplified real frequency method Multi-octave Drain efficiency; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名针对宽带功率放大器设计的人工神经网络算法被引量：3: 4; 作者张明哲邬海峰魏世哲; 机构天津大学微电子学院成都嘉纳海威科技有限责任公司青岛市海洋信息感知与传输重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期118-124,共7页; 基金广东省引进领军人才项目（2016LJ06D557）青岛海洋科学与技术试点国家实验室鳌山人才培养计划（2017ASTCP-OS03）; 文摘为了实现准确快速设计宽带匹配网络的目的,提出了基于人工神经网络设计宽带高效功率放大器的新方法。通过对匹配网络及晶体管阻抗特性的分析,借助人工神经网络对功率放大器的匹配网络进行建模。结合训练模型与优化方法设计宽带匹配网络初值,在指定的频带内满足晶体管最优阻抗随频率变化的曲线。选择商用的氮化镓高电子迁移率晶体管,分别设计了六阶低通网络为输入和输出匹配网络,实现了一款工作在0.2~1.6GHz的宽带高效率功率放大器。仿真结果表明,在0.2~1.6GHz(轴比带比约为156%)的带宽范围内,功率放大器达到64.5%~80.5%的漏极效率,输出功率为40.0~41.6dBm,频带内增益为11.1~12.6dB。该方法提升了宽带功率放大器匹配网络的设计速度与准确性。; 关键词功率放大器神经网络阻抗匹配宽带网络漏极效率; Keywords power amplifiers neural network impedance matching broadband networks drain efficiency; 分类号 TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名C波段全集成GaN MMIC Doherty功率放大器设计被引量：1: 5; 作者王金婵张盼盼王德勇张金灿刘敏刘博; 机构河南科技大学电气工程学院; 出处《雷达科学与技术》北大核心 2023年第4期467-472,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.61804046,61704049) 河南省科技攻关项目(No.222102210172) 河南省教育厅项目(No.21A510002)。; 文摘采用0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺设计了一种全集成单片微波集成电路(MMIC)多尔蒂(Doherty)功率放大器(DPA)。采用了新型的拓扑结构,去除了传统DPA中主路放大器的阻抗变换器以及两路合成后的阻抗转换器,直接在主路输出匹配网络(OMN)中实现饱和点和回退点的阻抗的转换,采取适当的阻抗,与传统电路相比,降低了阻抗转换率,拓宽了频带。此外功率分配器也采用了新颖的拓扑结构,减少了元器件的使用,并且在DPA的匹配网络中使用集总电感的电容降低版图的面积。设计了一款工作在4.6~5.4 GHz的Doherty类功放,版图后仿真结果显示,饱和输出功率为40 dBm,饱和点漏极效率DE为58.9%~61.3%,6 dB回退点的漏极效率为38.3%~45%,增益为8.4~11.3 dB,版图面积为2.4 mm×1.1 mm。; 关键词多尔蒂氮化镓高电子迁移率晶体管单片微波集成电路漏极效率; Keywords Doherty GaN high electron mobility transistor monolithic microwave integrated circuits drain effi⁃ciency; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于谐波调谐的C波段高效率GaN HEMT功率放大器	李俊敏刘英坤李通蔡道民	《半导体技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于0.15μm-GaN工艺的输入输出谐波调谐高效率功率放大器设计	蔡奇朱浩慎曾丁元王希瑶薛泉车文荃	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于改进简化实频技术的超宽带功率放大器设计	刘国华周国祥郭灿天赐程知群	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	针对宽带功率放大器设计的人工神经网络算法	张明哲邬海峰魏世哲	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	C波段全集成GaN MMIC Doherty功率放大器设计	王金婵张盼盼王德勇张金灿刘敏刘博	《雷达科学与技术》北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料