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三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法
1
作者
林洁馨
杨发顺
+2 位作者
马奎
唐昭焕
傅兴华
《现代电子技术》
北大核心
2016年第24期137-140,共4页
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件...
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。
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关键词
漏极持续电流
三维集成
自加热效应
导通偏置条件
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职称材料
题名
三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法
1
作者
林洁馨
杨发顺
马奎
唐昭焕
傅兴华
机构
贵州大学大数据与信息工程学院
出处
《现代电子技术》
北大核心
2016年第24期137-140,共4页
基金
国家自然科学基金地区科学基金项目(61464002)
贵州省科技合作项目(黔科合LH字[2015]7636)
贵州省科学技术基金(黔科合J字[2014]2066号)
文摘
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。
关键词
漏极持续电流
三维集成
自加热效应
导通偏置条件
Keywords
drain sustained current
3D integration
self-heating effect
breakover bias condition
分类号
TN701-4 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法
林洁馨
杨发顺
马奎
唐昭焕
傅兴华
《现代电子技术》
北大核心
2016
0
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