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单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究
被引量：
3
1
作者
刘兴辉
张俊松
+7 位作者
王绩伟
曾凡光
李新
敖强
王震
王振世
马迎
王瑞玉
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期636-641,共6页
为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了...
为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了CNTFET输出特性、转移特性、跨导、亚阈值摆幅、开关态电流比等电学特性;在等效栅氧化层厚度相同的情况下,对比了采用不同栅介质材料时上述电学特性在数值上的差异,发现随栅介质介电常数的增加,漏感应势垒降低效应变得显著,这不但导致开态时从源注入到漏的电子浓度增加、电流增大,也导致关态电流增大,开关态的电流比减少。研究还发现在通常的栅源和漏源电压下,沟道中出现热电子。
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关键词
碳纳米管
场效应晶体管
环绕栅
漏感应势垒降低
热电子
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职称材料
题名
单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究
被引量：
3
1
作者
刘兴辉
张俊松
王绩伟
曾凡光
李新
敖强
王震
王振世
马迎
王瑞玉
机构
辽宁大学物理学院
郑州航空工业管理学院数理系
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期636-641,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(21171081
10974075
+2 种基金
51072184)
辽宁省教育厅科研基金资助项目(L2010152)
辽宁省科技厅自然科学基金资助项目(20082050)
文摘
为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了CNTFET输出特性、转移特性、跨导、亚阈值摆幅、开关态电流比等电学特性;在等效栅氧化层厚度相同的情况下,对比了采用不同栅介质材料时上述电学特性在数值上的差异,发现随栅介质介电常数的增加,漏感应势垒降低效应变得显著,这不但导致开态时从源注入到漏的电子浓度增加、电流增大,也导致关态电流增大,开关态的电流比减少。研究还发现在通常的栅源和漏源电压下,沟道中出现热电子。
关键词
碳纳米管
场效应晶体管
环绕栅
漏感应势垒降低
热电子
Keywords
Carbon nanotubes, Field effect transistor, Surrounding gate, Drain induced barrier lowering, Hot electron
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
O411.3 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究
刘兴辉
张俊松
王绩伟
曾凡光
李新
敖强
王震
王振世
马迎
王瑞玉
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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