考虑阈值电压漂移的SiC MOSFET功率循环寿命修正技术

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作者 顾殿杰 谢露红 +3 位作者 邓二平 吴立信 刘昊 黄永章 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1008-1015,共8页

在SiC MOSFET的功率循环测试(PCT)中,饱和压降主要表征键合线的老化状态,其值由导通电阻决定。SiC MOSFET的阈值电压漂移会在导通电阻中引入非键合线老化导致的芯片电阻增量,进而影响寿命判断。为了准确判定键合线失效,设计和搭建阈值... 在SiC MOSFET的功率循环测试(PCT)中,饱和压降主要表征键合线的老化状态,其值由导通电阻决定。SiC MOSFET的阈值电压漂移会在导通电阻中引入非键合线老化导致的芯片电阻增量,进而影响寿命判断。为了准确判定键合线失效,设计和搭建阈值电压漂移在线监测平台,并结合实测阈值电压漂移数据解耦出芯片电阻增量,进而对实测饱和压降进行补偿,实现对SiC MOSFET功率循环寿命的修正。结果表明,同一器件寿命修正前后的结果基本一致,阈值电压漂移主要影响PCT前期的饱和压降,对最终寿命判定结果没有影响。该研究成果可为SiC MOSFET封装可靠性测试提供参考。 展开更多

关键词 SiC MOSFET 阈值电压漂移 功率循环测试(PCT) 在线监测 芯片电阻 键合线失效 寿命修正

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a-Si∶H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计 被引量：3

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作者 刘金娥 廖燕平 +3 位作者 荆海 张志伟 付国柱 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期491-496,共6页

分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据... 分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。 展开更多

关键词 OLED a—Si:H—TFT 阈值电压漂移 电荷注入 亚稳态 补偿方法

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全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

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作者 万新恒 张兴 +3 位作者 谭静荣 高文钰 黄如 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1519-1521,共3页

报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 ... 报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 . 展开更多

关键词 SOI MOSFET 阈值电压漂移模型 场效应晶体管

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有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究 被引量：6

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作者 袁剑峰 闫东航 许武 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第3期168-173,共6页

研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场... 研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 阈值电压漂移 栅绝缘膜陷阱 C-V特性

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SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法研究 被引量：6

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作者 吴维丽 刘奥 郭锐 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第4期313-318,共6页

报道了对SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法的研究结果。在器件物理层面上分析了造成器件阈值电压发生漂移的原因,MOS界面陷阱、近界面陷阱、固定电荷以及可移动电荷都会影响阈值电压的漂移。为了衡量器件工艺水平,精准评测器件的阈值电... 报道了对SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法的研究结果。在器件物理层面上分析了造成器件阈值电压发生漂移的原因,MOS界面陷阱、近界面陷阱、固定电荷以及可移动电荷都会影响阈值电压的漂移。为了衡量器件工艺水平,精准评测器件的阈值电压漂移量,搭建测试平台进行了阈值电压漂移量测试。通过试验发现,阈值电压在应力的作用下既会发生漂移也会恢复,偏置电压去除与阈值电压测试之间的时间间隔非常重要。对阈值电压漂移量的测试应在同样的电压扫描方式、同样的时间间隔以及相同的温度下进行。 展开更多

关键词 SiC MOSFET 阈值电压漂移 界面态

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氮退火对SiC MOSFET栅源电压漂移的影响 被引量：1

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作者 高秀秀 邱乐山 戴小平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第11期893-898,共6页

为了准确地表征4H-SiC MOSFET经过高温栅偏(HTGB)测试后的栅源电压漂移,优化氮退火工艺条件以改善MOSFET栅源电压的稳定性,在n型4H-SiC(0001)外延片上制备了横向扩散MOSFET(LDMOSFET)和纵向扩散MOSFET(VDMOSFET)。对栅氧化层采用不同温... 为了准确地表征4H-SiC MOSFET经过高温栅偏(HTGB)测试后的栅源电压漂移,优化氮退火工艺条件以改善MOSFET栅源电压的稳定性,在n型4H-SiC(0001)外延片上制备了横向扩散MOSFET(LDMOSFET)和纵向扩散MOSFET(VDMOSFET)。对栅氧化层采用不同温度、时间和气氛进行氮退火,并对制备的MOSFET进行了HTGB测试,探讨了栅压应力大小、应力时间、温度对栅源电压漂移的影响。结果表明:相比LDMOSFET,VDMOSFET可以更有效地表征栅源电压漂移趋势;氮退火对栅源电压正向漂移影响较小;NO退火后增加高温N_(2)退火、提高NO退火的温度和增加NO退火的时间均会引起VDMOSFET栅源电压负向漂移量增加;当栅压应力为-16 V、应力时间为500 s时,1200℃、70 min NO退火的VDMOSFET的栅源电压漂移比1250℃、40 min NO退火的小0.1~0.3 V。 展开更多

关键词 4H-SIC MOSFET 高温栅偏(HTGB) 氮退火 栅源电压漂移

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辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究

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作者 杨燚 赵凯 +1 位作者 赵钰迪 董俊辰 《北京信息科技大学学报（自然科学版）》 2022年第1期40-44,共5页

研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors, MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退化和总剂量电离辐照效应。利用动力学蒙特卡洛模拟方法,研究了MOSFETs栅介质中本征缺陷的生长/复合、辐... 研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors, MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退化和总剂量电离辐照效应。利用动力学蒙特卡洛模拟方法,研究了MOSFETs栅介质中本征缺陷的生长/复合、辐照诱导陷阱电荷和载流子的生成以及载流子俘获/发射等多种物理行为对阈值电压漂移的影响。结果显示MOSFETs阈值电压漂移主要受温度、辐照剂量和被钝化的悬挂键密度的影响。随着温度的升高,栅介质内产生新的缺陷参与载流子输运等行为,导致阈值电压漂移更加明显。辐照剂量很小时辐照效应相对较小,陷阱诱导的退化是主要的影响因素;随着辐照剂量的累积,辐照效应开始占主导地位并产生强烈的负向漂移;当辐照剂量累积到极高水平时,阈值电压漂移表现出反弹效应。 展开更多

关键词 高K栅介质 金属-氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压漂移 总剂量辐照效应 动力学蒙特卡洛

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解决计算机房及大UPS电源悬浮电压漂移问题的一种尝试

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作者 汪贵华 《电子与自动化仪表信息》 1992年第6期41-42,共2页

关键词 计算机 UPS电源 悬浮电压漂移

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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性

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作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页

SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多

关键词 SiC MOS电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷

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电源管理器件输出电压精度的分析 被引量：1

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作者 许文丹 《现代电子技术》 2005年第15期105-107,共3页

电源管理芯片的高精度电压输出,是电源管理技术的一个重要课题,以L DO稳压器为基础,详细分析了基准电压漂移、误差放大器电压漂移等影响电源电压输出精度的主要因素。

关键词 电压输出精度 基准电压漂移 误差放大器增益 取样电阻误差

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消除电网波动所引起的报警点漂移误差

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作者 王伟 《郑州轻工业学院学报（自然科学版）》 CAS 1994年第S1期184-186,共3页

气敏元件测试时与其加热功率和气氛条件有关，当气氛条件一定时，加热电压对气敏元件阻值影响很大。当电网波动±１０％时，加热电压也随之发生相应变化。采用误差平移的办法，解决电网波动时气体报警器报警点电压的漂移，从而达到... 气敏元件测试时与其加热功率和气氛条件有关，当气氛条件一定时，加热电压对气敏元件阻值影响很大。当电网波动±１０％时，加热电压也随之发生相应变化。采用误差平移的办法，解决电网波动时气体报警器报警点电压的漂移，从而达到报警器准确报警． 展开更多

关键词 电网波动 报警点 电压漂移

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德州仪器推出业界首款零漂移36V运算放大器

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《电子与电脑》 2011年第9期70-70,共1页

日前,德州仪器（TI）宣布推出业界首款零漂移36V运算放大器。该双通道OPA2188与同类竞争产品相比,可在相同功耗下将失调电压漂移改善4倍,初始失调电压改善60%,带宽提高1倍。OPA2188可用于对精度要求超高的高低电压电源应用,如测量测试... 日前,德州仪器（TI）宣布推出业界首款零漂移36V运算放大器。该双通道OPA2188与同类竞争产品相比,可在相同功耗下将失调电压漂移改善4倍,初始失调电压改善60%,带宽提高1倍。OPA2188可用于对精度要求超高的高低电压电源应用,如测量测试设备、电子秤、医疗仪表以及流量计等。 展开更多

关键词 运算放大器 德州仪器 零漂移 失调电压漂移 精度要求 测试设备 双通道 低电压

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脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

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作者 丘鹤元 谢鑫 +7 位作者 李宗祥 陈周煜 王宝强 王文超 刘正 刘耀 刘娜妮 王洋 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期466-471,共6页

超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本... 超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素:M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差VDS过大,使IGZO膜层内的氧空位V+O在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位V+O对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位V+O经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的VDS压差,导入超大尺寸IGZO产品,高温高湿信赖性评价2000 h未发生AD不良。 展开更多

关键词 InGaZnO薄膜晶体管 集成栅极驱动电路 异常显示 阈值电压漂移

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IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较 被引量：14

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作者 吴为敬 颜骏 +1 位作者 许志平 赖志成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期147-153,共7页

分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的... 分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小。另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性。总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料。 展开更多

关键词 ZnOTFT IGZOTFT 性能比较 光电特性 阈值电压漂移

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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 被引量：12

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作者 李泽宏 张磊 谭开洲 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期621-623,共3页

采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据... 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。 展开更多

关键词 功率VDMOS器件 薄栅氧化层 阈值电压漂移 总剂量辐照

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驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作 被引量：4

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作者 刘金娥 廖燕平 +5 位作者 齐小薇 高文涛 荆海 付国柱 李世伟 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期660-667,共8页

a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅... a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。 展开更多

关键词 OLED 阈值电压漂移 N/Si C-V 2-a-Si:H TFT

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MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质 被引量：3

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作者 郭红霞 张义门 +6 位作者 陈雨生 周辉 龚仁喜 何宝平 关颖 韩福斌 龚建成 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期170-174,共5页

通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱... 通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱为中性 ,使界面态陷阱将引起的阈值电压漂移 ;而对 PMOSFET,当费米能级临近价带 (P沟晶体管反型 )时 ,施主型界面态陷阱带正电荷 ,受主型界面态陷阱为中性 ,界面态陷阱将引起负的阈值电压漂移。理论模拟的转移特性与测试结果吻合。文中从器件工艺参数出发 ,初步建立了总剂量电离辐照模型 。 展开更多

关键词 MOS器件 界面陷阱 费米能级 氮化物陷阱电荷 辐照 阈值电压漂移

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AMOLED像素电路的设计与仿真研究 被引量：3

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作者 沈匿 林祖伦 +3 位作者 陈文彬 祁康成 王小菊 杨隆杰 《电子器件》 CAS 2011年第5期550-554,共5页

为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法。最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并... 为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法。最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流变化为0.01μA,小于一个灰阶对应的电流,满足显示的要求。 展开更多

关键词 AMOLED 四管像素驱动电路 仿真 阈值电压漂移 多晶硅薄膜晶体管

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几种电流型AM OLED像素电路及其电流缩放比的分析 被引量：1

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作者 王龙彦 王中健 +2 位作者 马仙梅 付国柱 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期204-209,共6页

分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法——自动调节存储电容的电压以保证电流不变。着重提出了电流缩放比的定义,对传统结构、电流镜结构、分压结构和电容耦合结构这4种电流型AM OLE... 分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法——自动调节存储电容的电压以保证电流不变。着重提出了电流缩放比的定义,对传统结构、电流镜结构、分压结构和电容耦合结构这4种电流型AM OLED像素驱动电路的电流缩放比进行了比较和分析。在这4种电路中,电流缩放比依次增大,显示出电流型像素电路在解决电容充电时间问题上的进步与完善。 展开更多

关键词 有源矩阵OLED 电流型像素电路 薄膜晶体管 阈值电压漂移 电流缩放比

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NPC逆变器混合四段法与六段法的空间矢量调制策略 被引量：1

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作者 郑宏 蒋丽琴 +1 位作者 蒋超 申兴宇 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第4期772-776,共5页

针对传统的空间矢量脉宽调制SVPWM(Space Vector Pulse Width Modulation)方法计算量大且扇区判断复杂,控制器计算工作量大这一问题,研究一种基于60°坐标系和新型混合段法调制的SVPWM。该方法采用四段法与六段法结合生成所需的空... 针对传统的空间矢量脉宽调制SVPWM(Space Vector Pulse Width Modulation)方法计算量大且扇区判断复杂,控制器计算工作量大这一问题,研究一种基于60°坐标系和新型混合段法调制的SVPWM。该方法采用四段法与六段法结合生成所需的空间矢量调制波形,通过改变电压调整系数对P型N型O型单位矢量进行调整,进而降低电容中点电压的不平衡程度。仿真结果表明,该方法可省去扇区判断过程,协调中点电压漂移和偶次谐波消除的不足,THD缩小为31.08%。 展开更多

关键词 三电平逆变器 空间矢量脉宽调制 四段法与六段法 中点电压漂移

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