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SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究
被引量：
2
1
作者
陈越政
钱钦松
孙伟锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期54-57,共4页
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实...
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性。其中,n型缓冲层掺杂剂量对电流增益β的影响最为明显,漂移区长度的影响最弱。基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β主要工艺影响因素的定性分析,对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义。
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关键词
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
电流增益β
n型缓冲层
漂移区长度
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职称材料
题名
SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究
被引量：
2
1
作者
陈越政
钱钦松
孙伟锋
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期54-57,共4页
文摘
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性。其中,n型缓冲层掺杂剂量对电流增益β的影响最为明显,漂移区长度的影响最弱。基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β主要工艺影响因素的定性分析,对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义。
关键词
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
电流增益β
n型缓冲层
漂移区长度
Keywords
SOI-LIGBT
current gain β
n-buffer
drift length
分类号
TN386.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究
陈越政
钱钦松
孙伟锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
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