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溅射Cu/In叠层预置膜再硒化法制备CuInSe_2薄膜
被引量：
4
1
作者
李健
朱洁
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期312-318,共7页
采用Cu、In双靶,低功率直流磁控溅射的方法沉积Cu-In双层预置膜,然后采用固态源硒化法生成CuInSe_2 (CIS)薄膜。采用SEM和EDX观察和分析薄膜的表面形貌与成分,用XRD表征薄膜的组织结构。重点分析了不同衬底,不同铜、铟溅射顺序对Cu-In...
采用Cu、In双靶,低功率直流磁控溅射的方法沉积Cu-In双层预置膜,然后采用固态源硒化法生成CuInSe_2 (CIS)薄膜。采用SEM和EDX观察和分析薄膜的表面形貌与成分,用XRD表征薄膜的组织结构。重点分析了不同衬底,不同铜、铟溅射顺序对Cu-In双层预置膜与CuInSe_2半导体薄膜成分、形貌和相结构的影响,分析了不同溅射顺序下薄膜的生长机制。以镀Mo玻璃为衬底生长的薄膜具有更理想的形貌;在Cu-In膜制备过程中采用先溅射Cu后溅射In的沉积顺序,能有效地利用元素In润湿能力强的特点,使Cu、In充分结合形成均匀致密的Cu-In预置膜,经硒化处理得到了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2半导体薄膜。
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关键词
磁控
溅射
Cu-In双层膜
溅射顺序
CIS膜
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职称材料
CI(G)S薄膜太阳电池金属预置层的研究
2
作者
鞠兰
李凤岩
+3 位作者
姜伟龙
何青
刘芳芳
孙云
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第z1期57-61,共5页
CI(G)S薄膜太阳电池是目前国际光伏界研究开发的热点.本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的Cu-In-(Ga)预制层的材料特性.制备时的工作压强、溅射顺序以及预制层的组分等因素都直接影响着预制层的结构特性,从而影响到硒化成膜后的薄膜质...
CI(G)S薄膜太阳电池是目前国际光伏界研究开发的热点.本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的Cu-In-(Ga)预制层的材料特性.制备时的工作压强、溅射顺序以及预制层的组分等因素都直接影响着预制层的结构特性,从而影响到硒化成膜后的薄膜质量.为了改善预制层的特性,对预制层样片进行了预热处理.实验表明合适工作压强条件下采用多层结构制备并经过热处理以后所得的预制层样片,表面形貌和合金状况都比较好.
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关键词
CI(G)S薄膜太阳电池
Cu-In-(Ga)预制层
顺序
磁控
溅射
预热处理
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职称材料
题名
溅射Cu/In叠层预置膜再硒化法制备CuInSe_2薄膜
被引量：
4
1
作者
李健
朱洁
机构
北京科技大学新金属材料国家重点实验室
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期312-318,共7页
文摘
采用Cu、In双靶,低功率直流磁控溅射的方法沉积Cu-In双层预置膜,然后采用固态源硒化法生成CuInSe_2 (CIS)薄膜。采用SEM和EDX观察和分析薄膜的表面形貌与成分,用XRD表征薄膜的组织结构。重点分析了不同衬底,不同铜、铟溅射顺序对Cu-In双层预置膜与CuInSe_2半导体薄膜成分、形貌和相结构的影响,分析了不同溅射顺序下薄膜的生长机制。以镀Mo玻璃为衬底生长的薄膜具有更理想的形貌;在Cu-In膜制备过程中采用先溅射Cu后溅射In的沉积顺序,能有效地利用元素In润湿能力强的特点,使Cu、In充分结合形成均匀致密的Cu-In预置膜,经硒化处理得到了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2半导体薄膜。
关键词
磁控
溅射
Cu-In双层膜
溅射顺序
CIS膜
Keywords
co-sputtering
Cu-In double-layer films
sputtering sequence
CIS thin films
分类号
TK513 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
CI(G)S薄膜太阳电池金属预置层的研究
2
作者
鞠兰
李凤岩
姜伟龙
何青
刘芳芳
孙云
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第z1期57-61,共5页
文摘
CI(G)S薄膜太阳电池是目前国际光伏界研究开发的热点.本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的Cu-In-(Ga)预制层的材料特性.制备时的工作压强、溅射顺序以及预制层的组分等因素都直接影响着预制层的结构特性,从而影响到硒化成膜后的薄膜质量.为了改善预制层的特性,对预制层样片进行了预热处理.实验表明合适工作压强条件下采用多层结构制备并经过热处理以后所得的预制层样片,表面形貌和合金状况都比较好.
关键词
CI(G)S薄膜太阳电池
Cu-In-(Ga)预制层
顺序
磁控
溅射
预热处理
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射Cu/In叠层预置膜再硒化法制备CuInSe_2薄膜
李健
朱洁
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
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职称材料
2
CI(G)S薄膜太阳电池金属预置层的研究
鞠兰
李凤岩
姜伟龙
何青
刘芳芳
孙云
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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职称材料
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