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题名溅射装置及其驱动方法以及使用该装置制造基板的方法
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作者
无
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机构
韩国LG．菲利浦LCD株式会社
AVACO株式会社
LG电子株式会社
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期50-50,共1页
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文摘
一种溅射装置包括基座以及多个靶器件。基板紧固地固定在基座上。靶器件是可旋转的并且设置为与基板的中心区域和基板中与中心区域相邻的外围区域相对。因为靶器件的数目少，可以减少溅射装置的相应的成本和尺寸。此外，因为靶器件旋转，可以形成更均匀的层并因而可以提高可靠性。
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关键词
溅射装置
基板
驱动方法
制造
中心区域
高可靠性
可旋转
器件
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分类号
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
O484.1
[理学—固体物理]
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题名薄膜的制造方法及溅射装置
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机构
日本株式会社新柯隆
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008年第2期25-25,共1页
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文摘
本发明提供简单易行的制造膜厚倾斜程度大的薄膜的薄膜制造方法及溅射装置。该方法通过使真空室内的成膜工序区和反应工序区在空间上相互分离并通过溅射形成薄膜。在中间薄膜形成工序形成由不完全反应物形成的中间薄膜。该中间薄膜形成工序中，在基板S和靶之间设有使形成的薄膜膜厚均匀的修正板和使形成的薄膜具备对应基板S形成薄膜的面的所需膜厚分布的屏蔽板，在基板S相对修正板和屏蔽板移动的同时形成中间薄膜。在形成最终薄膜的膜组成转化工序中，在反应工序区使中间薄膜和反应性气体的活性基反应，使最终薄膜的膜厚与中间薄膜的膜厚相比有所增加。
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关键词
溅射装置
制造方法
薄膜
反应工序
膜厚分布
屏蔽板
转化工序
膜形成
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分类号
TQ225.131
[化学工程—有机化工]
O484.1
[理学—固体物理]
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题名溅射装置
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机构
株式会社爱发科
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008年第4期48-48,共1页
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文摘
本发明提供了即使利用溅射法在多个连续基板上形成电解质膜也能使成膜速度和Sr／Ti组成比一定的技术。本发明的溅射装置在真空槽内底上设计有位于载置台周围的对置电极。在对置电极的表面上形成有多个孔，从而使表面积变大。并且，溅射的电解质材料附着在对置电极表面上，即使其表面上使电解质膜分布正电荷，对置电极表面上分布的电荷密度也比现有技术中的小，
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关键词
溅射装置
电极表面
电解质膜
电解质材料
表面积
成膜速度
电荷密度
组成比
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分类号
O484.1
[理学—固体物理]
O646.54
[理学—物理化学]
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题名AFTEX—3000F型ECR溅射装置
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作者
小野俊郎
五十岚贤
张先锋
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机构
日.アァティ公司
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1991年第3期57-62,35,共7页
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文摘
电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无法实现高质量的薄膜工艺。由于用固体靶溅射,靶材供给容易,进而把上述技术作为基础,开发了ECR溅射技术。
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关键词
溅射装置
ECR溅射
半导体薄膜
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分类号
TN305.92
[电子电信—物理电子学]
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题名溅射镀膜装置
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期68-68,共1页
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关键词
专利
巴尔策斯有限公司
列支敦士巴尔策斯
溅射镀膜装置
圆片形工件
闸室
溅射源
运输室
运输机构
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分类号
TG174.444
[金属学及工艺—金属表面处理]
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