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湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用被引量：1: 1; 作者陈杰许金通 +2 位作者王玲李向阳张燕《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期961-963,共3页; 文中计算了A lGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子... 展开更多; 关键词湿法化学腐蚀 GaN基干法刻蚀损伤反向漏电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度: 2; 作者曹明霞于广辉 +3 位作者王新中林朝通卢海峰巩航《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1205-1208,共4页; 研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合... 展开更多; 关键词 GAN 湿法化学腐蚀熔融NaOH 熔融KOH; 在线阅读下载PDF 职称材料

湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究被引量：2: 3; 作者高丽艳陈国鹰 +2 位作者花吉珍张世祖郭艳菊《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期41-44,共4页; 论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最... 展开更多; 关键词化学湿法腐蚀 DFB半导体激光器扫描电子显微镜电了束光刻; 在线阅读下载PDF 职称材料

湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层被引量：6: 4; 作者龙腾江徐冠群 +1 位作者杨晓生沈辉《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期9-12,35,共5页; 硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.82... 展开更多; 关键词 N型硅富硼层湿法化学腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1: 5; 作者赵丽伟滕晓云 +3 位作者郝秋艳朱军山张帷刘彩池《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期38-42,共5页; 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质... 展开更多; 关键词 GAN V缺陷湿法化学腐蚀六角腐蚀坑; 在线阅读下载PDF 职称材料

片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺被引量：4: 6; 作者郭春妍徐建星 +7 位作者彭红玲倪海桥汪韬田进寿牛智川吴朝新左剑张存林《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期220-224,234,共6页; 提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外... 展开更多; 关键词片上太赫兹天线集成 LT-GAAS 外延层转移化学湿法腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用被引量：1: 1; 作者陈杰许金通王玲李向阳张燕; 机构中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期961-963,共3页; 文摘文中计算了A lGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。; 关键词湿法化学腐蚀 GaN基干法刻蚀损伤反向漏电流; Keywords wet chemical etching GaN-based dry etching damage reverse leakage current; 分类号 TN23 [电子电信—物理电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度: 2; 作者曹明霞于广辉王新中林朝通卢海峰巩航; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1205-1208,共4页; 基金国家自然科学基金(05ZR14139) 上海政府国际合作项目(055207043); 文摘研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。; 关键词 GAN 湿法化学腐蚀熔融NaOH 熔融KOH; Keywords GaN wet chemical etching molten NaOH molten KOH; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究被引量：2: 3; 作者高丽艳陈国鹰花吉珍张世祖郭艳菊; 机构河北工业大学信息工程学院微电子所中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期41-44,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60476025) 河北省自然科学基金资助项目(603080); 文摘论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃)。利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求。; 关键词化学湿法腐蚀 DFB半导体激光器扫描电子显微镜电了束光刻; Keywords wet chemical etching DFB semiconductor lasers SEM electron lithographic; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层被引量：6: 4; 作者龙腾江徐冠群杨晓生沈辉; 机构中山大学物理科学与工程技术学院中国电子科技集团公司第四十八研究所顺德中山大学太阳能研究院; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期9-12,35,共5页; 基金 2012年广东省科技计划粤港关键资助项目(2012A080107002) 国家自然科学基金资助项目(61176055); 文摘硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Voc从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势。虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13%,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中。; 关键词 N型硅富硼层湿法化学腐蚀; Keywords N-type silicon Boron-rich layer Wet-chemical etching; 分类号 TB321 [一般工业技术—材料科学与工程] O475 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1: 5; 作者赵丽伟滕晓云郝秋艳朱军山张帷刘彩池; 机构河北工业大学材料学院信息功能材料研究所; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期38-42,共5页; 基金教育部新世纪优秀人才支持计划河北省自然科学基金资助项目(No.E2005000042); 文摘利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。; 关键词 GAN V缺陷湿法化学腐蚀六角腐蚀坑; Keywords GaN V defect wet etching hexagonal etch pit; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺被引量：4: 6; 作者郭春妍徐建星彭红玲倪海桥汪韬田进寿牛智川吴朝新左剑张存林; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室西安交通大学中国科学院大学中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所固态光电子信息技术实验室首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期220-224,234,共6页; 基金国家自然科学基金(11204190 61274125) +1 种基金科技部"国家重大科学仪器设备开发专项"基金(2012YQ14005)~~; 文摘提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材料电阻率在106Ω·cm量级.剥离半绝缘GaAs(SI-GaAs)衬底层与Al_(0.9)Ga_(0.1)As牺牲层得到1.5μm LT-GaAs与环烯烃聚合物(COP)键合的结构.原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高倍显微镜形貌表征表明剥离后的结构表面平整光滑,表面粗糙度(RMS)为2.28 nm,EDAX能谱仪分析显示该结构中不含Al组分,满足光刻形成光电导开关的要求.; 关键词片上太赫兹天线集成 LT-GAAS 外延层转移化学湿法腐蚀; Keywords on-chip THz antenna integrated device ,LT-GaAs, epitaxial layer transfer, wet chemical etching; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用	陈杰许金通王玲李向阳张燕	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度	曹明霞于广辉王新中林朝通卢海峰巩航	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究	高丽艳陈国鹰花吉珍张世祖郭艳菊	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层	龙腾江徐冠群杨晓生沈辉	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2015	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究	赵丽伟滕晓云郝秋艳朱军山张帷刘彩池	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺	郭春妍徐建星彭红玲倪海桥汪韬田进寿牛智川吴朝新左剑张存林	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	4	在线阅读下载PDF 职称材料