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湿法刻蚀Ag纳米线阵列制备SiO_(2)固态纳米孔薄膜
1
作者 辛若晨 李国华 +1 位作者 高俊华 曹鸿涛 《高等学校化学学报》 北大核心 2025年第7期14-21,共8页
相比传统生物纳米孔薄膜,固态纳米孔薄膜在化学、机械及热稳定性方面表现更优,因此在生物探测和生命健康等领域具有广泛应用前景.本文通过多靶磁控共溅射系统制备银(Ag)纳米线阵列-二氧化硅(SiO_(2))复合超材料薄膜,并采用化学湿法刻蚀... 相比传统生物纳米孔薄膜,固态纳米孔薄膜在化学、机械及热稳定性方面表现更优,因此在生物探测和生命健康等领域具有广泛应用前景.本文通过多靶磁控共溅射系统制备银(Ag)纳米线阵列-二氧化硅(SiO_(2))复合超材料薄膜,并采用化学湿法刻蚀技术,利用过氧化氢(H_(2)O_(2))刻蚀液选择性溶解Ag纳米线阵列,成功制备了平均直径约为5 nm的SiO_(2)固态纳米孔阵列薄膜.通过X射线衍射、电感耦合等离子体发射光谱和椭圆偏振光谱等分析手段,证实了Ag纳米线在H_(2)O_(2)溶液中完全溶解,并阐明了Ag纳米线与H_(2)O_(2)的化学反应机理.此外,利用扫描电子显微镜和小角X射线散射仪对SiO_(2)固态纳米孔阵列的形貌及微结构尺寸进行了表征.本研究成功制备了直径小于10 nm的SiO_(2)固态纳米孔阵列结构,为高效制备SiO_(2)固态纳米孔阵列提供了新的思路. 展开更多
关键词 固态纳米孔 化学湿法刻蚀 银纳米线阵列 溶解 磁控溅射
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包含偏硅酸影响的3D NAND磷酸湿法刻蚀动力学
2
作者 彭子林 周蕾 +2 位作者 邓庆航 叶光华 周兴贵 《化工学报》 北大核心 2025年第2期645-653,共9页
以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面... 以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面临刻蚀选择性低、氧化物回沾等问题。针对上述3D NAND湿法刻蚀问题,结合表征和动力学实验,获得了有无偏硅酸影响的磷酸刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)动力学模型。结果显示Si_(3)N_(4)刻蚀过程是水和磷酸等含氧亲核试剂对Si原子的亲核攻击过程,磷酸刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)的反应活化能分别为60.71 kJ·mol^(-1)和66.90 kJ·mol^(-1),亲核试剂破坏Si—O键所需能量高于Si—N键。包含偏硅酸影响的Si_(3)N_(4)和SiO_(2)刻蚀动力学显示偏硅酸浓度越高Si_(3)N_(4)和SiO_(2)的刻蚀速率越小,并且SiO_(2)刻蚀速率对偏硅酸浓度的变化更敏感。本工作的研究结果可为3D NAND磷酸湿法刻蚀工艺的设计优化提供一定的基础数据和理论认识。 展开更多
关键词 3D NAND闪存 湿法刻蚀 氮化硅 氧化硅 偏硅酸 化学反应 动力学 动力学模型
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湿法刻蚀条件对TFT中Cu电极坡度角和均一性的影响及工艺参数优化 被引量：1
3
作者 刘丹 陈国良 +5 位作者 黄中浩 方亮 李晨雨 陈启超 吴芳 张淑芳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期213-220,共8页
目的 在高世代薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)产线的栅极刻蚀制程,明确大气压等离子体(Atmosphere Pressure Plasma,APP)清洗功率、清洗时间及刻蚀时间对刻蚀性能(关键尺寸偏差、均一性、坡度角)的影响规律,并获得最佳工艺条件,... 目的 在高世代薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)产线的栅极刻蚀制程,明确大气压等离子体(Atmosphere Pressure Plasma,APP)清洗功率、清洗时间及刻蚀时间对刻蚀性能(关键尺寸偏差、均一性、坡度角)的影响规律,并获得最佳工艺条件,进而提升良率。方法 以APP清洗功率、清洗时间和刻蚀时间为影响因素,以关键尺寸偏差(CD Bias)、均一性、坡度角作为因变量,开展正交试验,明确因素影响重要性顺序;然后,对Cu电极坡度角的形成和刻蚀均一性变化进行分析;最后,采用回归分析获得刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式。结果 结果表明:刻蚀时间对刻蚀性能的影响最大,对APP清洁时间和功率的影响较小。刻蚀时间延长,关键尺寸偏差(CD Bias)增加、均一性变差、坡度角变大。为改善均一性和平缓坡度角,应缩短刻蚀时间。最佳工艺组合为:刻蚀时间85 s,APP电压9 kV,APP传输速度5 400 r/min。结论 刻蚀时间延长,未被光刻胶覆盖的Cu膜层被完全刻蚀,形成台阶,该台阶使刻蚀液形成回流路径。沿着回流路径,刻蚀液浓度、温度逐渐下降,刻蚀均一性由此恶化,坡度角因此增加。采用回归分析得到的刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式,为预测刻蚀效果和优选刻蚀时间提供了依据。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 湿法刻蚀 CU电极 刻蚀均一性 坡度角 正交试验
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界面钻蚀主导的准各向异性湿法刻蚀法制备玻璃微棱镜阵列
4
作者 李菲尔 余佳珈 +2 位作者 杜立群 吴梦希 刘军山 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1384-1394,共11页
玻璃微棱镜具有耐腐蚀、耐高温、寿命长等优点,但在玻璃上加工微棱镜阵列目前仍是一个难题。因此,提出了界面钻蚀主导的玻璃准各向异性湿法刻蚀方法,制备了高质量的微棱镜阵列器件。在元胞自动机中引入界面性质调控,模拟了界面钻蚀与各... 玻璃微棱镜具有耐腐蚀、耐高温、寿命长等优点,但在玻璃上加工微棱镜阵列目前仍是一个难题。因此,提出了界面钻蚀主导的玻璃准各向异性湿法刻蚀方法,制备了高质量的微棱镜阵列器件。在元胞自动机中引入界面性质调控,模拟了界面钻蚀与各向同性侧蚀的竞争行为,探究了刻蚀横截面形貌的变化规律,构建了准各向异性湿法刻蚀模型。在此指导下,加工了横截面为梯形的微结构,设计并制备了间距、形状、尺寸均可调控的微棱镜阵列,重复性达到98%。验证了微棱镜阵列对LED灯扩散效果,光亮度提升了4.6倍。本文改变了传统玻璃湿法刻蚀各向同性的固有认识,创新性地开发了准各向异性刻蚀工艺,为玻璃微棱镜阵列等相关器件提供了高效低成本的制备方法。 展开更多
关键词 微棱镜 湿法刻蚀 硼硅玻璃 界面钻蚀 准各向异性刻蚀
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Cr薄膜的沉积与湿法刻蚀工艺研究 被引量：9
5
作者 李兆泽 徐超 +2 位作者 吴学忠 万红 李圣怡 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1437-1440,共4页
通过台阶仪和扫描电镜、原子力显微镜测试观察了PVD方法制作Cr薄膜的溅射速率和表面形貌,实验分析了相关工艺参数对溅射速率的影响情况,并对薄膜的湿法刻蚀工艺进行了初步研究.同时给出了Cr膜与其腐蚀后的电阻图形的显微镜照片.
关键词 PVD 薄膜 湿法刻蚀 台阶仪 扫描电镜 原子力显微镜
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各向异性湿法刻蚀z切石英后结构侧壁形貌的预测 被引量：6
6
作者 谢立强 邢建春 +2 位作者 王浩旭 董培涛 吴学忠 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期352-359,共8页
基于石英晶体各晶面的湿法刻蚀速率,研究了石英微结构侧壁形貌的预测方法,讨论了各向异性湿法刻蚀石英的规律。首先,总结了石英各主要晶面的相对刻蚀速率,分别绘制了x、y族刻蚀速率矢量图。然后,在掩模层的边缘处,通过绘制相应的晶面刻... 基于石英晶体各晶面的湿法刻蚀速率,研究了石英微结构侧壁形貌的预测方法,讨论了各向异性湿法刻蚀石英的规律。首先,总结了石英各主要晶面的相对刻蚀速率,分别绘制了x、y族刻蚀速率矢量图。然后,在掩模层的边缘处,通过绘制相应的晶面刻蚀速率矢量图,得到各速率矢量的晶面线,晶面线所围成的最小轮廓即是石英微结构的刻蚀形貌。最后,利用该方法预测了x向和y向石英梁的侧壁形貌。在70℃的氢氟酸和氟化铵混合溶液内刻蚀5h,制作了厚度均为500μm的x向和y向两种石英微梁。结果显示,y向梁的-x向侧壁有一均匀整齐的晶棱,棱高210μm,而+x向侧壁平滑。x向梁的侧壁均有晶棱,+y向晶棱较大,棱高为450μm,-y向晶棱棱高为240μm。所制作梁的侧壁形貌与预测结论基本吻合,验证了预测方法的正确性。基于该方法可在石英微结构的设计阶段,通过引入工艺因素对微结构进行优化。 展开更多
关键词 z切石英 微结构 各向异性湿法刻蚀 形貌预测
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飞秒激光湿法刻蚀微纳制造 被引量：4
7
作者 陈烽 杨青 +5 位作者 边浩 杜广庆 柳克银 孟祥卫 邓泽方 山超 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期150-154,共5页
飞秒激光微加工作为一种新型微纳制造技术,在复杂三维构型制作方面具有其独特的优势,但激光加工效率问题严重制约了飞秒激光微加工技术走向实际工程应用,提出一种飞秒激光湿法刻蚀微纳制造方法,以提高飞秒激光微加工的效率为突破口,通... 飞秒激光微加工作为一种新型微纳制造技术,在复杂三维构型制作方面具有其独特的优势,但激光加工效率问题严重制约了飞秒激光微加工技术走向实际工程应用,提出一种飞秒激光湿法刻蚀微纳制造方法,以提高飞秒激光微加工的效率为突破口,通过调控激光与物质相互作用获得材料的目标靶向改性,进而结合化学湿法刻蚀实现硬质材料上的高效和高精度三维微加工,采用这一方法制作出的微透镜尺寸为80μm,球冠高6.7μm,表面粗糙度小于10nm。利用这种方法,实现了不同结构与特性的高质量微透镜阵列的超精密制备,在石英内部也实现了螺旋微通道的复杂三维结构,螺旋通道直径为20μm,长径比超过100。 展开更多
关键词 飞秒激光 微纳制造 湿法刻蚀 微透镜 微通道
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PZT铁电薄膜湿法刻蚀技术研究 被引量：9
8
作者 郑可炉 褚家如 +1 位作者 鲁健 李恒 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第2期209-212,共4页
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法。在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1∶2∶4∶4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s。实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小... 介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法。在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1∶2∶4∶4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s。实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小(1.5∶1),侧面倾角约60°。刻蚀液对光刻胶和PZT薄膜底电极Pt的选择性好,该工艺适用于MEMS领域中PZT薄膜的微图形化。 展开更多
关键词 锫钛酸铅PZT薄膜 湿法刻蚀 微图形化
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单晶硅各向异性湿法刻蚀的形貌控制 被引量：6
9
作者 姚明秋 唐彬 苏伟 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期350-357,共8页
针对摆式微加速度计的制作,对利用两种添加剂共同修饰的TMAH刻蚀液的单晶硅湿法刻蚀技术及其相关刻蚀特性进行了研究。分析了两种添加剂之间的作用机理及对单晶硅湿法刻蚀的影响,选择合适的添加剂刻蚀液配比,实现了稳定的刻蚀形貌控制... 针对摆式微加速度计的制作,对利用两种添加剂共同修饰的TMAH刻蚀液的单晶硅湿法刻蚀技术及其相关刻蚀特性进行了研究。分析了两种添加剂之间的作用机理及对单晶硅湿法刻蚀的影响,选择合适的添加剂刻蚀液配比,实现了稳定的刻蚀形貌控制。通过两种添加剂的共同作用,获得了具有光滑刻蚀表面(粗糙度约为1nm)和良好凸角保护(凸角侧蚀比率小于0.8)的刻蚀形貌。实验结果表明,在三重溶液(TMAH+Triton-X-100+IPA)下的刻蚀形貌具有明显优势。最后,基于添加剂对疏水性单晶硅材料的作用机理及表面张力调节,表面活性剂和酒精类添加剂之间的相互作用分析了刻蚀形貌发生变化的原因。以典型悬臂梁-质量块的制作为例,验证了采用该单晶硅刻蚀形貌控制方法可以获得微加速度计光滑的悬臂梁表面和无需凸角补偿的完整质量块。相比于其它制作工艺,该方法简单、易操作,有利于提高微机电器件的性能。 展开更多
关键词 单晶硅 湿法刻蚀 形貌控制 三重溶液 表面粗糙度 凸角
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凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制 被引量：3
10
作者 陈波 陈焱 谷德君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1209-1212,共4页
介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及... 介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。 展开更多
关键词 凸点下金属层 湿法刻蚀 凸点底切 单片机 电镀凸点 刻蚀速率 刻蚀均匀度
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用湿法刻蚀技术制作衍射光学元件 被引量：1
11
作者 周礼书 敬守勇 +1 位作者 杨李茗 杨春林 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期169-172,共4页
研究了氢氟酸(HF)湿法刻蚀石英玻璃的化学机理，探索了针对衍射光学元件制作的刻蚀工艺，得到相关实验规律和工艺参数。最后对实验误差进行定量分析，得到湿法刻蚀的可控精度。
关键词 湿法刻蚀 衍射光学元件 制作工艺 工艺参数 实验误差 化学机理 石英玻璃 氢氟酸 HF
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边缘湿法刻蚀GaInP/GaAs/Ge太阳电池研究 被引量：2
12
作者 许军 铁剑锐 +1 位作者 赵拓 韩志刚 《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第11期1619-1621,共3页
介绍了一种边缘湿法刻蚀工艺制备GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池的技术,因刻蚀形成的划切槽界面光滑程度远高于砂轮划切界面,有效降低了复合中心的密度,从而提升了太阳电池的光电转换性能。通过一种含溴的水溶液一次性刻蚀替代了传统的不同... 介绍了一种边缘湿法刻蚀工艺制备GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池的技术,因刻蚀形成的划切槽界面光滑程度远高于砂轮划切界面,有效降低了复合中心的密度,从而提升了太阳电池的光电转换性能。通过一种含溴的水溶液一次性刻蚀替代了传统的不同溶液交替刻蚀相应Ⅲ-Ⅴ族材料,显微镜下,含溴水溶液工艺获得的划切槽明显优于交替溶液刻蚀形成的划切槽;通过一次性湿法刻蚀、两次套刻和真空蒸镀工艺制作的具有划切槽太阳电池AMO下光电转换效率达到29.13%,高于无划切槽工艺制作的GalnP/GaAs/Ge电池效率。 展开更多
关键词 表面复合 湿法刻蚀 套刻 子电池
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AAO模板的湿法刻蚀研究 被引量：1
13
作者 胡国锋 张海明 +3 位作者 邸文文 李育洁 高波 朱彦君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期531-533,576,共4页
利用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝(AAO)模板,然后用NaOH、磷铬酸和不同质量分数的H3PO4等溶液,对AAO模板进行湿法刻蚀。研究了刻蚀时间与AAO模板质量减少之间的变化关系。结果表明,质量分数为3%的H3PO4溶液是最为温和的刻蚀剂,它在刻... 利用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝(AAO)模板,然后用NaOH、磷铬酸和不同质量分数的H3PO4等溶液,对AAO模板进行湿法刻蚀。研究了刻蚀时间与AAO模板质量减少之间的变化关系。结果表明,质量分数为3%的H3PO4溶液是最为温和的刻蚀剂,它在刻蚀过程中AAO模板的质量减少跟刻蚀时间呈较好的线性关系。SEM测试表明,刻蚀后的AAO模板表面存在大量的氧化铝纳米线,它们是在刻蚀的过程中产生的,并影响着刻蚀速率。通过调节刻蚀时间,可实现对AAO模板的精确可控刻蚀,这对制备纳米器件具有重要意义。 展开更多
关键词 多孔氧化铝 湿法刻蚀 磷酸 氧化铝纳米线
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Cr掩模在硅湿法刻蚀中的应用研究 被引量：1
14
作者 聂磊 史铁林 +1 位作者 廖广兰 钟飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期26-28,34,共4页
针对硅湿法刻蚀中常见的SiO2、Si3N4掩模的缺点,提出了以Cr薄膜层为刻蚀掩模的新方法,并进行了相应的试验。试验结果表明,Cr掩模湿法刻蚀技术可用于硅半导体器件的制作。此项工艺为硅湿法刻蚀加工提供了一条新的技术途径。
关键词 铬 掩模 湿法刻蚀
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蓝宝石湿法刻蚀各向异性特征的试验 被引量：2
15
作者 张辉 幸研 《江苏大学学报（自然科学版）》 EI CAS 北大核心 2020年第5期530-534,共5页
针对蓝宝石晶体复杂的各向异性刻蚀特性,致使其刻蚀演化过程和结果难以预测和控制等问题,利用刻蚀半球法,获得了蓝宝石晶体在温度为(245±3)℃,体积比为V(98%H2SO4)∶V(85%H3PO4)=3∶1的混合浓酸溶液中刻蚀的全晶面刻蚀速率.对比分... 针对蓝宝石晶体复杂的各向异性刻蚀特性,致使其刻蚀演化过程和结果难以预测和控制等问题,利用刻蚀半球法,获得了蓝宝石晶体在温度为(245±3)℃,体积比为V(98%H2SO4)∶V(85%H3PO4)=3∶1的混合浓酸溶液中刻蚀的全晶面刻蚀速率.对比分析了典型掩膜形状下的刻蚀微结构特征,探寻了速率各向异性特征与微结构刻蚀成型结构面之间的联系.结果表明:蓝宝石全晶面刻蚀速率呈现典型3次对称和多极值分布,且赤道附近刻蚀速率极低;浓磷酸作为刻蚀缓冲剂可以显著减少刻蚀过程中各类微观凸起的产生,有效提高微结构表面加工质量. 展开更多
关键词 蓝宝石 图案化 各向异性 湿法刻蚀 晶面刻蚀速率
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TMAH硅湿法刻蚀剂中异丙醇与氧化剂的协同作用 被引量：1
16
作者 陈东 刘诗斌 梁晋涛 《广西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2014年第2期55-59,共5页
四甲基氢氧化铵(TMAH)是一种在微机电系统加工中常用的硅湿法刻蚀剂。在对含有铝结构表面的硅器件进行湿法刻蚀时,需要在TMAH溶液中添加一定量的硅酸和氧化剂,以保护器件表面的金属铝,但这会降低硅表面的光洁度。本文在含硅酸的TMAH溶... 四甲基氢氧化铵(TMAH)是一种在微机电系统加工中常用的硅湿法刻蚀剂。在对含有铝结构表面的硅器件进行湿法刻蚀时,需要在TMAH溶液中添加一定量的硅酸和氧化剂,以保护器件表面的金属铝,但这会降低硅表面的光洁度。本文在含硅酸的TMAH溶液中同时添加过硫酸铵和异丙醇2种物质,研究其对TMAH刻蚀作用的影响。研究结果表明,2种物质的协同作用能够显著提高硅刻蚀表面的光洁度。 展开更多
关键词 四甲基氢氧化铵 硅湿法刻蚀 过硫酸铵 异丙醇
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医用给药硅实心微针的切割与湿法刻蚀结合的制备工艺研究 被引量：1
17
作者 李志彪 闫肖肖 +1 位作者 唐刚 刘景全 《机械设计与制造》 北大核心 2017年第8期113-115,共3页
采用微针向生物体运送药物是经皮给药的重要方式,而微针的制备方法是其实现的关键。采用机械切割与化学湿法刻蚀相结合的方法研究制备硅实心微针。首先根据所需的微针形貌设计切割刀具,然后采用切割刀具根据一定的机械切割工艺得到微针... 采用微针向生物体运送药物是经皮给药的重要方式,而微针的制备方法是其实现的关键。采用机械切割与化学湿法刻蚀相结合的方法研究制备硅实心微针。首先根据所需的微针形貌设计切割刀具,然后采用切割刀具根据一定的机械切割工艺得到微针阵列粗坯,在此基础上,采用化学刻蚀的方法刻蚀微针阵列粗坯得到所需的微针形貌,并获得微针制备的优化工艺参数。实验结果表明,该制备工艺可较好地控制微针的高度和形貌,且具有成本低、可实现大批量微针阵列制备的特点。 展开更多
关键词 微针 切割 湿法刻蚀
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基于Logistic回归的湿法刻蚀腔体气流场参数分析 被引量：1
18
作者 王靖震 刘伟军 《机械设计与制造》 北大核心 2012年第6期223-225,共3页
在湿法刻蚀腔体中,为使气流场中的微颗粒物顺畅的流出刻蚀腔体,减小对晶圆片的微粒污染程度,应该避免气流场中产生涡流。针对避免在气流场中产生涡流这一问题,应用FLUENT仿真模拟软件,通过使用正交试验设计的方法,得到不同工艺参数情况... 在湿法刻蚀腔体中,为使气流场中的微颗粒物顺畅的流出刻蚀腔体,减小对晶圆片的微粒污染程度,应该避免气流场中产生涡流。针对避免在气流场中产生涡流这一问题,应用FLUENT仿真模拟软件,通过使用正交试验设计的方法,得到不同工艺参数情况下的湿法刻蚀腔体气流场分布情况。然后对仿真结果数据进行Logistic回归建模。Logistic回归模型计算结果与仿真结果有较高的一致性。Logistic回归模型对湿法刻蚀工艺参数的选择具有指导意义。 展开更多
关键词 LOGISTIC回归模型 正交试验设计 湿法刻蚀 气流场
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湿法刻蚀对ZnO∶Al透明导电薄膜结构与性能的影响
19
作者 杨玲 许积文 +2 位作者 王华 江民红 袁昌来 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期58-60,共3页
室温下通过直流磁控溅射Al2O3掺杂3%(质量分数)的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO∶Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO∶Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性... 室温下通过直流磁控溅射Al2O3掺杂3%(质量分数)的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO∶Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO∶Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响。结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响;经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ.cm分别增大到8.7mΩ.cm、8.8mΩ.cm和8.6mΩ.cm;透光率略有下降,从80%分别下降到76%、77%和78%。0.5%的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构。薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶;在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留;在王水中刻蚀图案清晰且无残留。 展开更多
关键词 ZAO薄膜 透明导电 湿法刻蚀
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湿法刻蚀对全息微光学元件表面性质的影响
20
作者 曾红军 郭履容 +1 位作者 陈波 庞霖 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第S2期100-100,共1页
湿法刻蚀对全息微光学元件表面性质的影响曾红军郭履容陈波庞霖（四川大学信息光学研究中心成都６１００６４）浮雕型全息光学元件（ＨＯＥ）在红外光学、自适应光学、光互联等领域有着广泛应用。全息记录材料曝光后，其潜像要经过显影... 湿法刻蚀对全息微光学元件表面性质的影响曾红军郭履容陈波庞霖（四川大学信息光学研究中心成都６１００６４）浮雕型全息光学元件（ＨＯＥ）在红外光学、自适应光学、光互联等领域有着广泛应用。全息记录材料曝光后，其潜像要经过显影等后处理（湿法刻蚀）才能获得浮雕。... 展开更多
关键词 微光学元件 表面性质 湿法刻蚀 作用位点 “九五”国家科技攻关 显影液 微细加工 信息光学 国家重点实验室 自适应光学
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