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基于电致发光效应的非接触式碳化硅MOSFET结温在线检测方法研究
被引量：
4
1
作者
冒俊杰
高洪艺
+3 位作者
李成敏
罗皓泽
李武华
何湘宁
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第3期1092-1102,共11页
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属半导体场效应管(metal semiconductor field effect transistor,MOSFET)以其优异的材料特性成为一种很有前景的高功率密度和效率的器件,其工作结温是评估器件运行可靠性的关键指标。文中提出一种基于SiC...
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属半导体场效应管(metal semiconductor field effect transistor,MOSFET)以其优异的材料特性成为一种很有前景的高功率密度和效率的器件,其工作结温是评估器件运行可靠性的关键指标。文中提出一种基于SiC MOSFET体二极管电致发光效应的非接触式的在线结温检测方法。首先从理论角度分析SiC MOSFET体二极管电致发光的原理,并对电致发光的光谱特性进行研究,分析和比较可用于结温测量的3种温敏光参数。其次通过检测具备负温度系数的发光峰光强,并辅以对SiC MOSFET体二极管导通电流的检测,实现了结温的动态提取,检测分辨率达3.1mV/℃。并且在Buck电路中验证该方法的可行性,检测误差在±3℃以内。该方法基于SiC MOSFET体二极管的电致发光检测,具备固有电气隔离的特点,特别适用于高压应用场合下SiC MOSFET的非接触式结温检测。
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关键词
电致发光效应
SiC
MOSFET
可靠性
温敏光参数
结温检测
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职称材料
题名
基于电致发光效应的非接触式碳化硅MOSFET结温在线检测方法研究
被引量：
4
1
作者
冒俊杰
高洪艺
李成敏
罗皓泽
李武华
何湘宁
机构
浙江大学电气工程学院
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第3期1092-1102,共11页
基金
国家杰出青年科学基金项目(51925702)
浙江省自然科学基金项目(LQ21E070006)
台达电力电子科教发展计划(DREG2020002)。
文摘
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属半导体场效应管(metal semiconductor field effect transistor,MOSFET)以其优异的材料特性成为一种很有前景的高功率密度和效率的器件,其工作结温是评估器件运行可靠性的关键指标。文中提出一种基于SiC MOSFET体二极管电致发光效应的非接触式的在线结温检测方法。首先从理论角度分析SiC MOSFET体二极管电致发光的原理,并对电致发光的光谱特性进行研究,分析和比较可用于结温测量的3种温敏光参数。其次通过检测具备负温度系数的发光峰光强,并辅以对SiC MOSFET体二极管导通电流的检测,实现了结温的动态提取,检测分辨率达3.1mV/℃。并且在Buck电路中验证该方法的可行性,检测误差在±3℃以内。该方法基于SiC MOSFET体二极管的电致发光检测,具备固有电气隔离的特点,特别适用于高压应用场合下SiC MOSFET的非接触式结温检测。
关键词
电致发光效应
SiC
MOSFET
可靠性
温敏光参数
结温检测
Keywords
electroluminescence effect
SiC MOSFET
reliability
temperature sensitive optical parameter
junction temperature detection
分类号
TM47 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于电致发光效应的非接触式碳化硅MOSFET结温在线检测方法研究
冒俊杰
高洪艺
李成敏
罗皓泽
李武华
何湘宁
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022
4
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