介绍了一款基于0.4μm Bi CMOS工艺应用于温度补偿晶体振荡器的高性能温度传感器的设计。该温度传感器利用基极-发射极电压(VBE)减去与绝对温度成正比(PTAT)电流在电阻上的压降的原理,产生了与温度成线性的输出电压。采用包含两个串联...介绍了一款基于0.4μm Bi CMOS工艺应用于温度补偿晶体振荡器的高性能温度传感器的设计。该温度传感器利用基极-发射极电压(VBE)减去与绝对温度成正比(PTAT)电流在电阻上的压降的原理,产生了与温度成线性的输出电压。采用包含两个串联发射结电压和低失调运算放大器的PTAT电流产生器,实现了高精度的PTAT电流;采用具有负温度系数的电阻,补偿了VBE的高阶温度特性;采用共源共栅结构,提高了输出电压的电源抑制。后仿真结果表明,当电源电压为3.3 V,温度范围为-40~85℃时,温度传感器的输出电压范围为0.964~1.490V,输出电压的斜率范围为-4.245×10-3^-4.160×10-3,斜率变化范围为8.5×10-5,表明该温度传感器具有非常高的线性度。展开更多
设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器（TCXO）集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温...设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器（TCXO）集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温度补偿电压产生电路输出的电压,随温度变化,满足精确的5次多项式函数特征,使得-40~85℃温度内温补晶振输出的频率温度稳定度优于±0.2×10-6;振荡电路采用了低相位噪声设计技术,使19.99 MHz温补晶振的相位噪声优于-142 d Bc/Hz@1 k Hz。芯片采用0.5μm CMOS工艺制造,面积为2.0 mm×2.0 mm,功耗低于15 m W。展开更多
文摘介绍了一款基于0.4μm Bi CMOS工艺应用于温度补偿晶体振荡器的高性能温度传感器的设计。该温度传感器利用基极-发射极电压(VBE)减去与绝对温度成正比(PTAT)电流在电阻上的压降的原理,产生了与温度成线性的输出电压。采用包含两个串联发射结电压和低失调运算放大器的PTAT电流产生器,实现了高精度的PTAT电流;采用具有负温度系数的电阻,补偿了VBE的高阶温度特性;采用共源共栅结构,提高了输出电压的电源抑制。后仿真结果表明,当电源电压为3.3 V,温度范围为-40~85℃时,温度传感器的输出电压范围为0.964~1.490V,输出电压的斜率范围为-4.245×10-3^-4.160×10-3,斜率变化范围为8.5×10-5,表明该温度传感器具有非常高的线性度。
文摘设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器（TCXO）集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温度补偿电压产生电路输出的电压,随温度变化,满足精确的5次多项式函数特征,使得-40~85℃温度内温补晶振输出的频率温度稳定度优于±0.2×10-6;振荡电路采用了低相位噪声设计技术,使19.99 MHz温补晶振的相位噪声优于-142 d Bc/Hz@1 k Hz。芯片采用0.5μm CMOS工艺制造,面积为2.0 mm×2.0 mm,功耗低于15 m W。
