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题名渐变组分背势垒GaN HEMT器件特性研究
被引量：1
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作者
张瑞浩
万发雨
徐儒
徐佳闰
李月华
宋润陶
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机构
南京信息工程大学电子与信息工程学院
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出处
《微波学报》
北大核心
2025年第1期26-31,共6页
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基金
国家重点研发计划(2022YFE0122700)。
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文摘
高频氮化镓微波功率器件的短沟道效应是限制其射频性能的重要原因,通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性,抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容,使电流增益截止频率f_(t)与最大震荡频率f_(max)降低。因此,本文采用了一种铝组分渐变的铝氮化镓背势垒结构,在一定程度上提高了器件的f_(t)和f_(max)。研究结果表明:与组分为0.05的固定组分背势垒相比,0~0.1渐变组分背势垒器件的最大震荡频率f_(max)最高提升了11.1 GHz,达到150.9 GHz。其射频功率特性也得到了明显改善,当工作频率为8 GHz时,最大输出功率密度达到5.2 W/mm,功率增益达到14.8 dB,功率附加效率达到了30.3%。
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关键词
氮化镓基高电子迁移率晶体管器件
渐变组分背势垒结构
短沟道效应
二维电子气限域性
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Keywords
gallium nitride-based high electron mobility transistor devices
gradient composition back-barrier structure
short channel effect
two-dimensional electron gas confinement
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分类号
TN122
[电子电信—物理电子学]
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