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3300 V高性能混合SiC模块研制
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作者 刘艳宏 杨晓菲 +2 位作者 王晓丽 荆海燕 刘爽 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期13-18,共6页
将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGB... 将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGBT模块。混合SiC模块低空洞率焊接满足牵引领域高温度循环周次的要求,冗余式的连跳键合结构可以有效增强功率循环能力。采用双脉冲法测试动态性能,测试结果表明该混合SiC模块反向恢复时间减小了84%,反向恢复电流减小了89.5%,反向恢复能量减小了99%,一次开关产生的总损耗降低了43.3%。混合SiC模块消除了开关过程中电压和电流过冲现象,在高电压、大电流和高频率的应用工况下具有明显的优势。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 结型势垒肖特基二极管 混合sic模块
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基于轨道交通车辆中SiC混合模块的散热优化设计 被引量:2
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作者 张运杰 许媛 +2 位作者 鲍婕 徐文艺 戴薇 《电子与封装》 2019年第8期8-12,共5页
大功率SiC混合模块向着小型化、轻量化、大功率等要求发展时,随着功率等级不断提高,模块散热功耗增加,其最高温度也随之增加。过高的温度会对模块性能造成严重的影响,降低其可靠性和使用寿命,因此SiC混合模块的散热问题具有重要的研究... 大功率SiC混合模块向着小型化、轻量化、大功率等要求发展时,随着功率等级不断提高,模块散热功耗增加,其最高温度也随之增加。过高的温度会对模块性能造成严重的影响,降低其可靠性和使用寿命,因此SiC混合模块的散热问题具有重要的研究意义。介绍了SiC混合模块的封装结构,通过两方面改善其散热性能:调整纳米银层的参数进行优化;将高导热石墨烯应用于SiC混合模块中,并通过模拟仿真对比石墨烯应用于芯片不同位置的温度分布情况,从而得出SiC混合模块散热结构的优化设计。 展开更多
关键词 sic混合模块 纳米银层 石墨烯 散热 仿真
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