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Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
1
作者
郭维廉
毛陆虹
+3 位作者
李树荣
郑云光
王静
吴霞宛
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期306-312,共7页
在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从...
在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代
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关键词
基区
混合模式晶体管
硅-锗异质结
器件模拟
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职称材料
题名
Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
1
作者
郭维廉
毛陆虹
李树荣
郑云光
王静
吴霞宛
机构
天津大学电信工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期306-312,共7页
基金
国家自然科学基金重点项目 (6983 60 2 0 )
文摘
在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代
关键词
基区
混合模式晶体管
硅-锗异质结
器件模拟
Keywords
hybrid mode transistor
Si-Ge heterojunction
device simulation
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
郭维廉
毛陆虹
李树荣
郑云光
王静
吴霞宛
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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