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盐酸表柔比星混合杂质对照品的研究与制备
被引量：
3
1
作者
闻宏亮
蒋孟虹
+3 位作者
杨美成
秦峰
刘浩
胡昌勤
《中国抗生素杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期46-51,共6页
目的研究盐酸表柔比星的杂质谱并制备混合杂质对照品。方法通过对盐酸表柔比星杂质谱的研究,选择合适的目标杂质;采用控速降解条件结合添加工艺杂质,优化制备工艺,研制了混合杂质对照品;以质谱法和单体对照品对照法,鉴定了混合杂质对照...
目的研究盐酸表柔比星的杂质谱并制备混合杂质对照品。方法通过对盐酸表柔比星杂质谱的研究,选择合适的目标杂质;采用控速降解条件结合添加工艺杂质,优化制备工艺,研制了混合杂质对照品;以质谱法和单体对照品对照法,鉴定了混合杂质对照品中各主要杂质。结果制备了含有6种主要杂质的盐酸表柔比星混合杂质对照品,可用于有机杂质峰的确认。结论在杂质谱研究基础上,研制混合杂质对照品,不仅可有效评价色谱体系对各杂质的分离效能,还可快速准确归属多个杂质色谱峰,为分析杂质来源、评价样品质量提供依据。
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关键词
盐酸表柔比星
杂质
谱
混合杂质
对照品
制备
质谱法
在线阅读
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职称材料
混合杂质半导体费米能级公式及数值计算
被引量：
6
2
作者
王中长
刘天模
李家鸣
《重庆大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期52-55,共4页
利用电中性条件,结合电子和空穴浓度计算式,推导出了当施主和受主同时存在时,费米能级的计算式,并且根据实际应用条件作了讨论,推导了各种条件下的费米能级计算公式。对于推导出来的隐式方程式,利用了数据计算方法进行计算。最后讨论了...
利用电中性条件,结合电子和空穴浓度计算式,推导出了当施主和受主同时存在时,费米能级的计算式,并且根据实际应用条件作了讨论,推导了各种条件下的费米能级计算公式。对于推导出来的隐式方程式,利用了数据计算方法进行计算。最后讨论了单一杂质半导体的费米能级公式。对所推导出来的材料,先进行计算机数值计算,再与实验结果进行比较,结果发现,计算值与实验值吻合的很好,从而说明了理论的正确性。在具体的实际应用中,根据自己的实验情况,结合推导条件,选择出适合自己实验条件的费米能级公式加以应用。
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关键词
混合杂质
费米能级
数值计算
电中性条件
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职称材料
带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器
被引量：
2
3
作者
姚南
赵懿昊
+1 位作者
刘素平
马骁宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期596-600,共5页
为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管。通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si O2和Si3N4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s。最终制备出的带...
为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管。通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si O2和Si3N4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s。最终制备出的带有非吸收窗口的激光器,与普通激光器的阈值电流和斜率效率几乎一样。但普通激光器在电流为10 A时发生灾变性光学损伤(COD)并失效,而带有非吸收窗口的激光器在电流达到13 A时仍然可以正常工作,相比普通激光器其最大输出功率增加了15%。每种器件各20个在20℃,电流为9 A时进行直流老化试验,普通激光器在老化时间达到100 h时全部失效,而带非吸收窗口器件在老化200 h时仅有两个失效,这表明非吸收窗口结构显著提高了器件的抗COD能力。
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关键词
半导体激光器
无
杂质
空位诱导量子阱
混合
(IFVD)
非吸收窗口
高温退火
灾变性光学损伤(COD)
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职称材料
题名
盐酸表柔比星混合杂质对照品的研究与制备
被引量：
3
1
作者
闻宏亮
蒋孟虹
杨美成
秦峰
刘浩
胡昌勤
机构
上海市食品药品检验所
中国食品药品检定研究院
出处
《中国抗生素杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期46-51,共6页
文摘
目的研究盐酸表柔比星的杂质谱并制备混合杂质对照品。方法通过对盐酸表柔比星杂质谱的研究,选择合适的目标杂质;采用控速降解条件结合添加工艺杂质,优化制备工艺,研制了混合杂质对照品;以质谱法和单体对照品对照法,鉴定了混合杂质对照品中各主要杂质。结果制备了含有6种主要杂质的盐酸表柔比星混合杂质对照品,可用于有机杂质峰的确认。结论在杂质谱研究基础上,研制混合杂质对照品,不仅可有效评价色谱体系对各杂质的分离效能,还可快速准确归属多个杂质色谱峰,为分析杂质来源、评价样品质量提供依据。
关键词
盐酸表柔比星
杂质
谱
混合杂质
对照品
制备
质谱法
Keywords
Epirubicin hydrochloride
Impurity profile
Reference material containing mixed impurities
Preparation
Mass spectrometry
分类号
R978.1 [医药卫生—药品]
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职称材料
题名
混合杂质半导体费米能级公式及数值计算
被引量：
6
2
作者
王中长
刘天模
李家鸣
机构
重庆大学材料科学与工程学院
国家仪表功能材料工程技术研究中心
出处
《重庆大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期52-55,共4页
文摘
利用电中性条件,结合电子和空穴浓度计算式,推导出了当施主和受主同时存在时,费米能级的计算式,并且根据实际应用条件作了讨论,推导了各种条件下的费米能级计算公式。对于推导出来的隐式方程式,利用了数据计算方法进行计算。最后讨论了单一杂质半导体的费米能级公式。对所推导出来的材料,先进行计算机数值计算,再与实验结果进行比较,结果发现,计算值与实验值吻合的很好,从而说明了理论的正确性。在具体的实际应用中,根据自己的实验情况,结合推导条件,选择出适合自己实验条件的费米能级公式加以应用。
关键词
混合杂质
费米能级
数值计算
电中性条件
Keywords
poly-doped impurity
Fermi energy
algorithm computation
electroneutrality condition
分类号
TN301 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器
被引量：
2
3
作者
姚南
赵懿昊
刘素平
马骁宇
机构
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期596-600,共5页
基金
中国科学院支撑项目(61501060206)
文摘
为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管。通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si O2和Si3N4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s。最终制备出的带有非吸收窗口的激光器,与普通激光器的阈值电流和斜率效率几乎一样。但普通激光器在电流为10 A时发生灾变性光学损伤(COD)并失效,而带有非吸收窗口的激光器在电流达到13 A时仍然可以正常工作,相比普通激光器其最大输出功率增加了15%。每种器件各20个在20℃,电流为9 A时进行直流老化试验,普通激光器在老化时间达到100 h时全部失效,而带非吸收窗口器件在老化200 h时仅有两个失效,这表明非吸收窗口结构显著提高了器件的抗COD能力。
关键词
半导体激光器
无
杂质
空位诱导量子阱
混合
(IFVD)
非吸收窗口
高温退火
灾变性光学损伤(COD)
Keywords
semiconductor laser
impurity-free vacancy disordering （IFVD）
non-absorbing win- dow
rapid thermal annealing
catastrophic optical damage （COD）
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
盐酸表柔比星混合杂质对照品的研究与制备
闻宏亮
蒋孟虹
杨美成
秦峰
刘浩
胡昌勤
《中国抗生素杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2017
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
混合杂质半导体费米能级公式及数值计算
王中长
刘天模
李家鸣
《重庆大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器
姚南
赵懿昊
刘素平
马骁宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
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职称材料
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