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局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其制备方法
1
作者
黄晓橹
颜丙勇
邵华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期617-622,633,共7页
描述了混合晶向技术原理以及各种硅衬底晶向的反型层中载流子迁移率特性,分析了应变硅技术对载流子迁移率的增强机理,介绍了DSL这种应变硅技术的工艺实现方法。提出了将混合晶向技术和应变硅技术两者有机结合以提高载流子迁移率的局部...
描述了混合晶向技术原理以及各种硅衬底晶向的反型层中载流子迁移率特性,分析了应变硅技术对载流子迁移率的增强机理,介绍了DSL这种应变硅技术的工艺实现方法。提出了将混合晶向技术和应变硅技术两者有机结合以提高载流子迁移率的局部化混合晶向应变硅基本思路,分析了基于该基本思路的局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其电学性能。最后详细描述了局部化混合晶向应变硅CMOS结构工艺流程,为开发高性能、低功耗CMOS集成电路提供了一个科学合理的工艺制备方法。
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关键词
混合
晶
向技术
(
hot
)
应变硅
局部化
迁移率
互补金属氧化物半导体(CMOS)
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职称材料
题名
局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其制备方法
1
作者
黄晓橹
颜丙勇
邵华
机构
上海华力微电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期617-622,633,共7页
基金
国家科技重大专项(02专项)(2011ZX02501)
文摘
描述了混合晶向技术原理以及各种硅衬底晶向的反型层中载流子迁移率特性,分析了应变硅技术对载流子迁移率的增强机理,介绍了DSL这种应变硅技术的工艺实现方法。提出了将混合晶向技术和应变硅技术两者有机结合以提高载流子迁移率的局部化混合晶向应变硅基本思路,分析了基于该基本思路的局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其电学性能。最后详细描述了局部化混合晶向应变硅CMOS结构工艺流程,为开发高性能、低功耗CMOS集成电路提供了一个科学合理的工艺制备方法。
关键词
混合
晶
向技术
(
hot
)
应变硅
局部化
迁移率
互补金属氧化物半导体(CMOS)
Keywords
hybrid crystal orientation technology（
hot
）
strained Si
localization
mobility
complementary metal-oxide-semiconductor（CMOS）
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其制备方法
黄晓橹
颜丙勇
邵华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
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