为解决Ga N基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs。与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 m A输入电流下的正向偏压降低0....为解决Ga N基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs。与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 m A输入电流下的正向偏压降低0.68 V,光输出功率提升53.0%,并有更好的电流响应效率。同时,NQWs结构和HQWs结构VS-LEDs的外量子效率分别下降到最大值的37.7%和67.5%,表明采用HQWs能使LEDs的效率下降得到大幅缓解。展开更多
文摘为解决Ga N基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs。与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 m A输入电流下的正向偏压降低0.68 V,光输出功率提升53.0%,并有更好的电流响应效率。同时,NQWs结构和HQWs结构VS-LEDs的外量子效率分别下降到最大值的37.7%和67.5%,表明采用HQWs能使LEDs的效率下降得到大幅缓解。
