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题名3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制
被引量：1
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作者
王永维
王敬轩
刘忠山
闫伟
王勇
党冀萍
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期190-193,214,共5页
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基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
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文摘
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度为35μm、n型掺杂浓度为2×1015cm-3。二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2 V下电流达到50 A,比导通电阻13.7 mΩ·cm2;反偏条件下器件的雪崩击穿电压为4 600 V。基于这种3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,研制出3 300 V/600 A混合功率模块,该模块包含24只3 300 V/50 A Si IGBT与12只3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,Si C肖特基二极管为模块的续流二极管。模块的动态测试结果为:反向恢复峰值电流为33.75 A,反向恢复电荷为0.807μC,反向恢复时间为41 ns。与传统的Si基IGBT模块相比,该混合功率模块显著降低了器件开关过程中的能量损耗。
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关键词
4H-SIC
肖特基势垒二极管
混合功率模块
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
多重场限环
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Keywords
4H-SiC
Schottky barrier diode
hybrid power module
insulated gate bipolar transistor（IGBT）
multiple field limiting ring
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
TN386.3
[电子电信—物理电子学]
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题名SiC、Si、混合功率模块封装对比评估与失效分析
被引量：16
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作者
李晓玲
曾正
陈昊
邵伟华
胡博容
冉立
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机构
输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)
阿肯色大学电气工程系
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第16期4823-4835,共13页
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基金
国家自然科学基金项目(51607016)
国家重点研发计划项目(2017YFB0102303)~~
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文摘
随着SiC器件在新能源发电、电动汽车等领域的快速发展,对定制化、高可靠SiC功率模块的需求日益迫切。然而,现有SiC功率模块大多沿用Si模块的封装技术,存在寄生电感大等问题,无法适应SiC器件的高速开关能力,难以充分发挥SiC器件的优越性能。该文梳理了功率模块的材料选型准则,以及封装工艺方法,给出了自主封装功率模块的测试流程。针对全Si、混合、全SiC功率模块,基于相同的封装技术和测试方法,对比研究了3种功率模块的动态性能和温敏特性,为不同应用需求下的器件选型提供参考。针对全SiC半桥功率模块,提出了开关损耗的数学模型,并利用实验结果验证了其有效性。此外,结合功率模块的大量故障案例建立了数学模型,分析封装失效的机理,为下一代SiC功率模块的封装集成研究提供了有益的经验和思路。
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关键词
SiC功率模块
Si功率模块
混合功率模块
封装集成方法
失效模式分析
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Keywords
SiC power module
Si power module
hybridpower module
packaging integration
failure mode analysis
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分类号
TM464
[电气工程—电器]
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