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0.18μm CMOS工艺全集成LC谐振压控振荡器的优化设计
被引量：
1
1
作者
李智群
王志功
+3 位作者
张立国
徐勇
章丽
熊明珍
《中国集成电路》
2004年第1期61-64,共4页
本文介绍了用0.18μm六层金属混合信号/射频CMOS工艺设计的两个LC谐振压控振荡器,给出了优化设计的方法、步骤和测试结果。两个振荡器均使用片上元件实现。第一个振荡器采用混合信号晶体管设计,振荡频率为2.64GHz,相位噪声为-93.5dBc/Hz...
本文介绍了用0.18μm六层金属混合信号/射频CMOS工艺设计的两个LC谐振压控振荡器,给出了优化设计的方法、步骤和测试结果。两个振荡器均使用片上元件实现。第一个振荡器采用混合信号晶体管设计,振荡频率为2.64GHz,相位噪声为-93.5dBc/Hz@500kHz。第二个振荡器使用相同的电路结构,但采用射频晶体管设计,振荡频率为2.61GHz,相位噪声为-95.8dBc/Hz@500kHz。在2V电源下,它们的功耗均为8 mW,最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm。
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关键词
CMOS
LC谐振压控振荡器
优化设计
片上元件
混合信号晶体管
射频
晶体管
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职称材料
题名
0.18μm CMOS工艺全集成LC谐振压控振荡器的优化设计
被引量：
1
1
作者
李智群
王志功
张立国
徐勇
章丽
熊明珍
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
解放军理工大学理学院
出处
《中国集成电路》
2004年第1期61-64,共4页
基金
国家863计划支持项目(课题编号为2002AA1Z1600)
文摘
本文介绍了用0.18μm六层金属混合信号/射频CMOS工艺设计的两个LC谐振压控振荡器,给出了优化设计的方法、步骤和测试结果。两个振荡器均使用片上元件实现。第一个振荡器采用混合信号晶体管设计,振荡频率为2.64GHz,相位噪声为-93.5dBc/Hz@500kHz。第二个振荡器使用相同的电路结构,但采用射频晶体管设计,振荡频率为2.61GHz,相位噪声为-95.8dBc/Hz@500kHz。在2V电源下,它们的功耗均为8 mW,最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm。
关键词
CMOS
LC谐振压控振荡器
优化设计
片上元件
混合信号晶体管
射频
晶体管
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.18μm CMOS工艺全集成LC谐振压控振荡器的优化设计
李智群
王志功
张立国
徐勇
章丽
熊明珍
《中国集成电路》
2004
1
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