HBr反应离子刻蚀微米硅深槽

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作者 刘家璐 张廷庆 +1 位作者 王清平 叶兴耀 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期76-78,共3页

采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以... 采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析． 展开更多

关键词 反应离子刻蚀 硅深槽 溴化氢 集成电路工艺

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PZT薄膜的深槽反应离子刻蚀研究

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作者 张娅 杨成韬 +1 位作者 翟亚红 赵鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第1期133-135,共3页

研究了锆钛酸铅(PZT)薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下(SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar)刻蚀PZT的效果。实验结果表明,3种工艺气氛下,刻蚀速率都随功率的增加而增加。相同功率下,SF6/Ar的刻蚀速率最高;而CHF3... 研究了锆钛酸铅(PZT)薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下(SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar)刻蚀PZT的效果。实验结果表明,3种工艺气氛下,刻蚀速率都随功率的增加而增加。相同功率下,SF6/Ar的刻蚀速率最高;而CHF3/Ar刻蚀PZT的图形形貌最好,对光刻胶的选择比也最好。最后得出了优化的工艺条件为采用CHF3/Ar,射频(RF)功率为160 W,气体流量比为3∶4(CHF3∶Ar=30 cm3/min:40 cm3/min)时,PZT薄膜的刻蚀速率为9 nm/min,光刻胶的选择比为7。 展开更多

关键词 深槽反应离子刻蚀(drie) 锆钛酸铅(PZT) 刻蚀速率

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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备 被引量：3

3

作者 陈特超 禹庆荣 +3 位作者 龚杰洪 张冬艳 伍波 李键志 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1415-1418,共4页

深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.

关键词 微电子机械系统 深反应离子 刻蚀 控制 设备

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基于线算法的ICP深反应离子刻蚀模型 被引量：3

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作者 张鉴 何晓雄 +1 位作者 刘成岳 戚昊琛 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期481-485,共5页

电感耦合等离子体(ICP)刻蚀是目前集成电路与微机电系统制造的关键工艺之一。利用一种改进的复合交替深刻蚀(TMDE)模型对ICP深反应离子刻蚀(Deep-RIE)进行了工艺仿真建模。根据深反应离子刻蚀中Footing效应的实验特征,提出了针对这一现... 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀是目前集成电路与微机电系统制造的关键工艺之一。利用一种改进的复合交替深刻蚀(TMDE)模型对ICP深反应离子刻蚀(Deep-RIE)进行了工艺仿真建模。根据深反应离子刻蚀中Footing效应的实验特征,提出了针对这一现象的表面描述方程,并借助实验手段确定了该表面描述方程中的参数,从而为模型添加了一种简单有效的Footing效应模拟模块。最后对Deep-RIE和Footing效应刻蚀表面进行模拟,验证了模型的有效性和可用性。 展开更多

关键词 深反应离子刻蚀 ICP 线算法 Footing效应 模型

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MEMS悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法对比研究 被引量：3

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作者 何凯旋 黄斌 +2 位作者 段宝明 宋东方 郭群英 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期202-207,共6页

分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法进行对比研究,获得最佳结构刻蚀保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳刻蚀保护方法:在结构层背面溅射金属作为保护层;基于硅硅键合工艺的最佳刻蚀保护方法:将... 分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法进行对比研究,获得最佳结构刻蚀保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳刻蚀保护方法:在结构层背面溅射金属作为保护层;基于硅硅键合工艺的最佳刻蚀保护方法:将结构刻通区域衬底硅暴露及结构层背面制作图形化的Si O2保护层相结合的方式保护。结构保护后,经长时间过刻蚀,结构依然完整无损。 展开更多

关键词 MEMS 硅玻键合 硅硅键合 深反应离子刻蚀 保护方法

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PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究

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作者 束平 王姝娅 +5 位作者 张国俊 戴丽萍 翟亚红 王刚 钟志亲 曹江田 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第3期464-466,471,共4页

介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量... 介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6∶Ar为20∶5)时刻蚀效果最优。利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流。 展开更多

关键词 PZT薄膜 光刻胶 深反应离子刻蚀 刻蚀速率 铁电电容

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深槽刻蚀侧壁平坦化技术 被引量：2

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作者 於广军 杨彦涛 +3 位作者 闻永祥 李志栓 方佼 马志坚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期390-393,共4页

介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧壁形貌。研究表明,... 介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧壁形貌。研究表明,扇贝褶皱的底部沿<100>晶向氧化,而顶部沿<110>晶向氧化的矢量叠加方向。当热氧生长厚度较薄时,氧化行为倾向于线性氧化,由于线性氧化的速率常数强烈依赖晶向取向,因此氧化一定时间后,顶部的氧化深度与底部的氧化深度达到一致。基于上述氧化机制,Si/Si O2界面变得平滑陡直。 展开更多

关键词 深槽刻蚀(drie) 扇贝褶皱 博世工艺 线性氧化 光滑侧壁

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平滑陡直的Si深槽刻蚀方法 被引量：7

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作者 张育胜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期214-216,220,共4页

Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积... Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法,取得了平滑陡直的刻蚀效果。在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明,在直径100mm的光刻胶掩蔽Si片上,刻蚀深度为39.2μm,光刻胶剩余4.8μm,侧壁表面满足平滑陡直的要求。 展开更多

关键词 硅深槽刻蚀 电感耦合等离子体 Bosch工艺 化学平衡

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反应离子束刻蚀母盘研究 被引量：1

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作者 邹志强 陈国明 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第A10期126-129,共4页

对反应离子束刻蚀母盘和玻璃衬底光盘的工艺进行了探讨，在该工艺中，光刻胶用于图形掩膜，ＣＦ４气体用于反应离子束刻蚀并将预刻槽转移到玻璃衬底上，预刻槽的形状和深度由刻蚀机的设置条件控制。ＳＥＭ照片表明，刻蚀在玻璃衬底上的... 对反应离子束刻蚀母盘和玻璃衬底光盘的工艺进行了探讨，在该工艺中，光刻胶用于图形掩膜，ＣＦ４气体用于反应离子束刻蚀并将预刻槽转移到玻璃衬底上，预刻槽的形状和深度由刻蚀机的设置条件控制。ＳＥＭ照片表明，刻蚀在玻璃衬底上的预刻槽的道间距为１．６μｍ，槽深０．１μｍ，槽宽０．６μｍ，符合光盘预刻槽的基本标准，说明该工艺是微细加工母盘凹坑和预刻槽的较好办法。 展开更多

关键词 反应离子束刻蚀 母盘 预刻槽 光盘

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单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究

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作者 黄伟志 韩晓军 +1 位作者 吴旻 潘姬 《天津工业大学学报》 CAS 2002年第4期67-69,共3页

对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究 ,介绍氟化物反应离子刻蚀机理 .对CF4 和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析 ,总结出刻蚀优化工艺条件 ,解决了刻蚀中存在的工艺难题 .试验表明 ,在CF4 加O2 的优... 对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究 ,介绍氟化物反应离子刻蚀机理 .对CF4 和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析 ,总结出刻蚀优化工艺条件 ,解决了刻蚀中存在的工艺难题 .试验表明 ,在CF4 加O2 的优化工艺条件下 ,其刻蚀具有良好的各向异性和较高的重复性 。 展开更多

关键词 单晶硅 刻蚀工艺 反应离子刻蚀 波导基槽 活性基 集成电路

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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化 被引量：4

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作者 李欣 刘建朋 +5 位作者 陈烁 张思超 邓彪 肖体乔 孙艳 陈宜方 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期73-77,共5页

针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实... 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。 展开更多

关键词 HSQ 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬X射线

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微机械陀螺DRIE刻蚀过程中的局域掩膜效应 被引量：2

12

作者 冷悦 焦继伟 +3 位作者 张颖 顾佳烨 颜培力 宓斌玮 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1070-1074,共5页

在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱... 在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱动和检测模态有明显的失配,该失配的发生原因除了气体阻尼,更主要来源于驱动和检测结构弹性梁尺寸的工艺偏差。在分析了实验过程及结果的基础上可以认为,除了典型的DRIE滞后效应等因素外,器件结构的局域掩膜效应加剧了工艺偏差:对称弹性梁结构周边的非对称掩膜图形导致了刻蚀气体分布的局部不均匀,增加了DRIE刻蚀的侧蚀偏差。 展开更多

关键词 MEMS陀螺 深反应离子刻蚀 非对称结构 局域掩膜效应 模态失配

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硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法研究 被引量：2

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作者 颜改革 韩敬宁 +1 位作者 殷志富 邹赫麟 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第11期1-3,14,共4页

文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4... 文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4F_8)下电极射频功率为40 W)和11 s/2 s(C_4F_8下电极射频功率为0 W)的三步刻蚀工艺,贯穿刻蚀了宽度为150μm,深度为300μm的直壁沟槽。其次,研究了C_4F_8(八氟环丁烷)钝化气体对SiO_2薄膜过刻蚀的现象,采用降低C4F8下电极射频功率方法,减小了C4F8对SiO_2薄膜过刻蚀。 展开更多

关键词 深反应离子刻蚀 刻蚀钝化时间比 射频功率 黑硅 SIO2薄膜

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ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究 被引量：12

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作者 陈兢 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期476-478,共3页

对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowin... 对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowing效应;提出一种消除Notching效应的新方法,并用于深槽隔离工艺,取得了很好的效果. 展开更多

关键词 微机电系统 电感耦合等离子(ICP)刻蚀 深反应离子刻蚀(drie) 侧壁形貌 Notching效应 Bowing效应

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太赫兹真空器件中超深金属慢波结构的微加工技术

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作者 姜琪 李兴辉 +2 位作者 冯进军 蔡军 潘攀 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期759-767,共9页

太赫兹真空电子器件物理结构尺寸变化随着波长的减小而减小,对微小结构的尺寸精度与表面粗糙度要求也大大增加。随着器件频率进入到太赫兹频段,慢波结构的深度达到几十微米或者百微米量级,加工的难点主要有:材料为金属,结构超深,表面粗... 太赫兹真空电子器件物理结构尺寸变化随着波长的减小而减小,对微小结构的尺寸精度与表面粗糙度要求也大大增加。随着器件频率进入到太赫兹频段,慢波结构的深度达到几十微米或者百微米量级,加工的难点主要有:材料为金属,结构超深,表面粗糙度要求达到几十纳米量级,微电铸后金属含氧量极小,结构密度大不漏气,经得起后续近千摄氏度的高温处理工艺等。文章介绍了太赫兹频段下器件慢波结构的加工方式,着重讨论利用深反应离子刻蚀(DRIE)技术和紫外−光刻、电铸(UV-LIGA)技术加工超深金属慢波结构的技术和和特点,并介绍了本实验室利用UV-LIGA加工折叠波导的研究进展。 展开更多

关键词 太赫兹真空电子器件 微机电系统 深反应离子刻蚀 紫外−光刻、电铸 慢波结构

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啁啾光纤光栅相位掩模槽形控制新方法研究

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作者 杨卫鹏 刘全 吴建宏 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期51-52,共2页

在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化,用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩... 在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化,用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模形貌进行修正,然后采用CHF3反应离子束刻蚀,实验和模拟均表明,Ar离子束刻蚀能很好的改善掩模与基片交界处的基片侧壁形貌,使得在CHF3反应离子束刻蚀下能得到较小的占宽比。对槽形控制提供了有意义的实验手段。 展开更多

关键词 离子束刻蚀 反应离子束刻蚀 槽形模拟 占宽比

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用于E型薄膜制备的双掩膜工艺研究 被引量：2

17

作者 郝一鸣 雷程 +4 位作者 王涛龙 余建刚 冀鹏飞 闫施锦 梁庭 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期505-510,共6页

在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜... 在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜,采用深反应离子刻蚀机,以SF_(6)为主要刻蚀气体,通过改变掩模材料对制备工艺进行优化改进,使用共聚焦显微镜和扫描电子显微镜(SEM)对刻蚀后的形貌进行表征。实验表明,通过使用ROL-7133负胶和SiO_(2)双掩膜,前烘90 s,中烘120 s,显影50 s,得到了硅岛高度为50μm、背腔深度为450μm的E型薄膜,垂直度较高且整体形貌较好,符合传感器制作要求。 展开更多

关键词 双掩膜 E型薄膜 深反应离子刻蚀 刻蚀比 刻蚀形貌

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一种新结构硅微机械压阻加速度计 被引量：12

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作者 陈雪萌 李昕欣 +4 位作者 宋朝晖 王跃林 黄晖 黄树森 张鲲 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期500-503,共4页

设计、制造并测试了一种新结构硅微机械压阻加速度计。器件结构是悬臂梁-质量块结构的一种变形。比较硬的主悬臂梁提供了一定的机械强度,并且提供了高谐振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻就扩散在微梁上,质量块很小... 设计、制造并测试了一种新结构硅微机械压阻加速度计。器件结构是悬臂梁-质量块结构的一种变形。比较硬的主悬臂梁提供了一定的机械强度,并且提供了高谐振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻就扩散在微梁上,质量块很小的挠动就能在微梁上产生很大的应力,输出很大的信号。5 V条件下,灵敏度为14.80 mV/g,谐振频率为994Hz,分别是传统结构压阻加速度计的2.487倍和2.485倍。加速度计用普通的N型硅片制造,为了刻蚀高深宽比的结构,使用了深反应离子刻蚀(DRIE)工艺。 展开更多

关键词 微机械 加速度计 压阻 深反应离子刻蚀

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一种电容式微机械加速度计的设计 被引量：10

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作者 郑旭东 曹学成 +3 位作者 郑阳明 罗斯建 王跃林 金仲和 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期226-229,共4页

介绍了一种新型基于滑膜阻尼的电容式微机械加速度计。该加速度计根据差分电容极板间正对面积的改变来检测加速度大小,保证了输出电压与加速度之间的线性度。对加速度计进行了结构设计和分析。给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决... 介绍了一种新型基于滑膜阻尼的电容式微机械加速度计。该加速度计根据差分电容极板间正对面积的改变来检测加速度大小,保证了输出电压与加速度之间的线性度。对加速度计进行了结构设计和分析。给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决深反应离子刻蚀过程中的过刻蚀现象的方法。初步测试结果表明,该加速度计的灵敏度比较理想,谐振频率与理论计算相吻合。 展开更多

关键词 电容式加速度计 微机电系统 深反应离子刻蚀 滑膜阻尼

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MEMS技术在THz无源器件中的应用 被引量：6

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作者 赵兴海 鲍景富 +2 位作者 杜亦佳 高杨 郑英彬 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2011年第7期5-9,共5页

太赫兹技术将在未来高精度频谱探测技术、高分辨率成像和高性能通讯等应用前景良好。太赫兹技术处于电子学与光子学领域的交叉领域,太赫兹器件的尺寸在数十微米到毫米量级,传统的机械加工技术很难达到加工精度要求,甚至无法加工。MEMS... 太赫兹技术将在未来高精度频谱探测技术、高分辨率成像和高性能通讯等应用前景良好。太赫兹技术处于电子学与光子学领域的交叉领域,太赫兹器件的尺寸在数十微米到毫米量级,传统的机械加工技术很难达到加工精度要求,甚至无法加工。MEMS技术在太赫兹器件的加工方面具有巨大的优势。总结了目前采用DR IE,LIGA等工艺加工太赫兹器件的研究现状,包括太赫兹传输波导器件、太赫兹传输线器件、慢波结构和特种复合结构的加工。分析了MEMS加工工艺的优缺点和在太赫兹器件加工中的应用前景。 展开更多

关键词 太赫兹器件 微机电系统 LIGA 深反应离子刻蚀

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