深度等离子体反应刻蚀技术制备擒纵机构

1

作者 叶伟 崔立堃 +1 位作者 王旭飞 方坤 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期570-573,共4页

采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层S... 采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层SiO2薄膜。详细研究了深度等离子体反应刻蚀的刻蚀宽度对擒纵机构的影响,并对擒纵机构表面进行了详细的SEM分析和EDS能谱分析。研究结果表明,采用铝膜作为掩蔽层能够对擒纵机构的表面和断面起到很好的保护作用,擒纵机构获得优良的表面质量,且在刻蚀窗口宽度为75μm时,获得最优的擒纵机构零件。 展开更多

关键词 单晶硅 深度等离子体反应刻蚀 擒纵机构 微机械加工 光刻

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基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜

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作者 黄梦茹 卢林红 +2 位作者 郭丰杰 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期893-898,共6页

在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化... 在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。 展开更多

关键词 Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(ICP) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率

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电感耦合等离子体刻蚀反应烧结碳化硅工艺研究

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作者 赵杨勇 刘卫国 惠迎雪 《西安工业大学学报》 CAS 2018年第2期154-160,共7页

为获得超光滑的反应烧结碳化硅(RB-Si C)材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对RB-Si C进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体(CF_4/O_2)流量比三个因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程... 为获得超光滑的反应烧结碳化硅(RB-Si C)材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对RB-Si C进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体(CF_4/O_2)流量比三个因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度.分析了偏压功率这一单因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响规律.结果表明:偏压功率对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度最大,其次为射频功率,刻蚀气体(CF_4/O_2)流量比对刻蚀速率和表面粗糙度的影响最小;刻蚀最优射频功率为150 W,最优偏压功率为50 W,最优CF_4/O_2流量比为25∶5,最优工作压强为1 Pa. 展开更多

关键词 反应烧结碳化硅 电感耦合等离子体 刻蚀速率 表面粗糙度

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微小等离子体反应器的导出机理研究 被引量：1

4

作者 王海 童云华 文莉 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期91-96,共6页

提出了一种通过空心阴极底部的微孔及外加偏置电场的方法实现微小等离子体导出的机制,并采用二维流体模型对其进行了数值仿真研究。当工作气体为SF6、工作气压为2～9kPa、微孔半径为0.25μm时,F原子最大束流密度在(1.53～5.62)×101... 提出了一种通过空心阴极底部的微孔及外加偏置电场的方法实现微小等离子体导出的机制,并采用二维流体模型对其进行了数值仿真研究。当工作气体为SF6、工作气压为2～9kPa、微孔半径为0.25μm时,F原子最大束流密度在(1.53～5.62)×1014cm-3.s-1之间,SF5+最大束流密度在(2.46～7.83)×1016cm-3.s-1之间。工作气压为5kPa时,样品表面处F的平均能量为3.82eV,散射角在-14°～14°之间;SF5+的平均能量为25eV,散射角为-13°～14°。当偏置电压在10～50V之间变化时,SF5+平均能量在52～58eV之间变化。上述F、SF5+密度满足硅基底材料的有效刻蚀需要,验证了扫描刻蚀加工的可行性。 展开更多

关键词 扫描等离子体刻蚀加工 微小等离子体反应器 导出机制

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太阳能电池生产线中的新型等离子体刻蚀机的研制 被引量：2

5

作者 陈特超 谢利华 《电子工业专用设备》 2010年第8期41-44,共4页

介绍了用于太阳能电池片生产工艺中的新型等离子体刻蚀机及设备的工作原理、构造、简单的工艺试验结果。与现在生产线上普遍使用的老式等离子体刻蚀机相比,它大大提高了生产产能,减少了设备维护工作量。该设备操作简单,是一种实用、高... 介绍了用于太阳能电池片生产工艺中的新型等离子体刻蚀机及设备的工作原理、构造、简单的工艺试验结果。与现在生产线上普遍使用的老式等离子体刻蚀机相比,它大大提高了生产产能,减少了设备维护工作量。该设备操作简单,是一种实用、高效的生产型工艺设备。 展开更多

关键词 等离子体 反应离子 刻蚀原理 工艺实验

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8产品名称：22—14nm单反应台等离子体刻蚀机PrimoSSCAD—RIE^TM

6

《电子工业专用设备》 2016年第2期47-49,共3页

研制单位： 中微半导体设备（上海）有限公司 产品介绍： 等离子体刻蚀设备是极大规模集成电路制造的三大关键设备之一，PrimoSSCAD-RIE^TM是中微公司目前最先进的等离子体刻蚀设备，可用于1X纳米关键刻蚀工艺芯片加工。SSC，即单反... 研制单位： 中微半导体设备（上海）有限公司 产品介绍： 等离子体刻蚀设备是极大规模集成电路制造的三大关键设备之一，PrimoSSCAD-RIE^TM是中微公司目前最先进的等离子体刻蚀设备，可用于1X纳米关键刻蚀工艺芯片加工。SSC，即单反应台腔体， 展开更多

关键词 等离子体 产品名称 反应 刻蚀机 半导体设备 集成电路制造 刻蚀设备 研制单位

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粉煤低温等离子体氧化过程效率及模型构建研究

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作者 单毅 丁华 白向飞 《煤质技术》 2024年第4期1-7,39,共8页

低温等离子体氧化是研究煤中矿物赋存的重要前处理技术,其存在着灰化反应速度慢、过程效率低等问题,需针对设备运行的操作参数进行优化研究,尤其应侧重等离子体与粉煤的反应过程模式及反应速度控制因素以提高粉煤的氧化过程效率。采用... 低温等离子体氧化是研究煤中矿物赋存的重要前处理技术,其存在着灰化反应速度慢、过程效率低等问题,需针对设备运行的操作参数进行优化研究,尤其应侧重等离子体与粉煤的反应过程模式及反应速度控制因素以提高粉煤的氧化过程效率。采用等离子体设备灰化典型气肥煤,以单次灰化时间、设备电参数为操作变量,考察反应速度与灰化时间、有机质含量的关系,分析等离子体等效反应深度、速度控制方程及氧化过程效率优化,并建立粉煤等离子体氧化过程模型。在等效反应深度内,有机质含量小于0.3 g/g后进入降速灰化阶段,需优化操作过程以确保灰化整体速度维持匀速,从而提高氧化过程效率。制定典型气肥煤的综合灰化速度控制方案,即有机质含量在>0.69、0.69~>0.57、0.57~0.46、<0.46 g/g时设置单次灰化时间分别为8、4、2、1 h。 展开更多

关键词 低温等离子体 氧化过程效率 模型构建 灰化时间 有机质含量 煤中矿物 反应深度 速度控制方程

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工艺参数对电感耦合等离子体刻蚀ZnS速率及表面粗糙度的影响 被引量：4

8

作者 邢静 蔡长龙 《西安工业大学学报》 CAS 2013年第2期103-107,共5页

为了得到电感耦合等离子体反应刻蚀ZnS的工艺参数,采用CH4∶H2∶Ar(1∶7∶5)作为刻蚀气体,在ZnS刻蚀机理的基础上,分析各工艺因素对ZnS刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明:当气体总流量39sccm、偏压功率80W、射频功率300W时... 为了得到电感耦合等离子体反应刻蚀ZnS的工艺参数,采用CH4∶H2∶Ar(1∶7∶5)作为刻蚀气体,在ZnS刻蚀机理的基础上,分析各工艺因素对ZnS刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明:当气体总流量39sccm、偏压功率80W、射频功率300W时,ZnS刻蚀速率为18.5nm/min,表面粗糙度Ra小于6.3nm,刻蚀后表面沉积物相对较少;Ar含量变化对刻蚀速率和表面粗糙度影响较大.给出了刻蚀速率和表面粗糙度随气体总流量、Ar含量、偏压功率和射频功率的变化趋势. 展开更多

关键词 电感耦合等离子体 反应离子刻蚀 ZnS刻蚀机理 刻蚀速率 粗糙度

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感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取 被引量：2

9

作者 王理文 司俊杰 张国栋 《航空兵器》 2012年第4期62-64,共3页

以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻... 以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 反应离子刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 偏压射频源功率

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电子回旋共振微波等离子体技术及应用 被引量：8

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作者 张继成 唐永建 吴卫东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期566-570,共5页

电子回旋共振微波等离子体技术 (ECR- MP)在表面处理、等离子体刻蚀和薄膜制备 ,尤其是高品质的激光惯性约束聚变薄膜靶的制备中有着重要的应用。综述了 ECR- MP的基本原理、反应装置、实验研究、理论研究和应用情况的发展现状 ,同时分... 电子回旋共振微波等离子体技术 (ECR- MP)在表面处理、等离子体刻蚀和薄膜制备 ,尤其是高品质的激光惯性约束聚变薄膜靶的制备中有着重要的应用。综述了 ECR- MP的基本原理、反应装置、实验研究、理论研究和应用情况的发展现状 ,同时分析了其今后可能的发展趋势。 展开更多

关键词 电子回旋共振 微波等离子体 反应装置 应用现状 发展展望 刻蚀 激光惯性约束聚变菌膜靶

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园筒型等离子体刻铝及去胶系统

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作者 钟雨乐 骆伙有 《半导体技术》 CAS 1987年第3期27-30,共4页

本文介绍一套结构比较简单、适合实验室使用的筒园型等离子体刻铝及去胶系统,研究了用CCl_4作为铝刻蚀气体时,刻蚀速率与气体流量、放电电压、样品在反应室内几何位置的关系,并找到了最佳刻蚀条件.

关键词 刻蚀 CCI 蚀刻 水蚀 刻蚀速率 反应室 筒型 等离子体

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CF_4/Ar/O_2等离子体对熔石英元件的修饰工艺

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作者 邵勇 孙来喜 +1 位作者 吴卫东 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期104-107,共4页

采用感应耦合等离子体刻蚀技术,以CF4/Ar/O2为反应气体对熔石英元件表面进行修饰,研究并分析了CF4和Ar流量对刻蚀速率、熔石英表面粗糙度和微观形貌的影响。结果表明,CF4化学刻蚀与Ar的物理轰击对熔石英样品表面修饰效果存在一定竞争关... 采用感应耦合等离子体刻蚀技术,以CF4/Ar/O2为反应气体对熔石英元件表面进行修饰,研究并分析了CF4和Ar流量对刻蚀速率、熔石英表面粗糙度和微观形貌的影响。结果表明,CF4化学刻蚀与Ar的物理轰击对熔石英样品表面修饰效果存在一定竞争关系,当它们达到平衡时表面粗糙度最小。通过对不同流量气体刻蚀过后熔石英表面粗糙度和光学显微形貌分析获得了较为理想的气流量配比,该研究为反应等离子体修饰熔石英光学元件以获得较高光学性能提供工艺参考。 展开更多

关键词 反应离子刻蚀 感应耦合等离子体 刻蚀速率 粗糙度 刻蚀形貌

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反应离子刻蚀工艺中的充电效应 被引量：1

13

作者 胡恒升 张敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期81-83,67,共4页

本文阐述了反应离子刻蚀 (RIE)工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式 .

关键词 反应离子刻蚀 等离子体不均匀 充电效应

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一种简单多极磁约束的反应离子刻蚀装置的研究

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作者 黄光周 于继荣 赖国燕 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第8期97-101,共5页

本文叙述了多极磁约束的反应离子刻蚀装置。该装置具有结构简单，低损伤和各向异性刻蚀的优点。在射频率为１００ｗ，工作压强为１．３３（０．０１～１０）Ｐａ的氩气氛中，典型的离子密度为（１．０～１．５）×１０（１０）ｃｍ... 本文叙述了多极磁约束的反应离子刻蚀装置。该装置具有结构简单，低损伤和各向异性刻蚀的优点。在射频率为１００ｗ，工作压强为１．３３（０．０１～１０）Ｐａ的氩气氛中，典型的离子密度为（１．０～１．５）×１０（１０）ｃｍ（－３），电子温度为１．９～４．１ｅＶ，等离子体电位１０—５０Ｖ，有磁场的离子密度比没有磁场的离子密度大几个数量级。它是一种具有广泛应用前景的等离子刻蚀装置。 展开更多

关键词 等离子体装置 磁约束 反应离子刻蚀

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最近的等离子技术

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作者 吕洪久 《化工新型材料》 CAS 1986年第1期27-29,36,共4页

最近出现了各种用干法制作材料的方法,例如,采用真空蒸镀法和溅射法制薄膜。但由于其成膜速度很慢,所以实用化受到限制。近来又出现了利用等离子技术制造薄膜的方法。为了避免离子对基板的伤害,又研究了仅用自由基离子,由光激发的办法... 最近出现了各种用干法制作材料的方法,例如,采用真空蒸镀法和溅射法制薄膜。但由于其成膜速度很慢,所以实用化受到限制。近来又出现了利用等离子技术制造薄膜的方法。为了避免离子对基板的伤害,又研究了仅用自由基离子,由光激发的办法制作薄摸。构成薄膜的要素是原子,如以其附着于基板上的形态分类,大致可分为三类:1.蒸镀;2.溅射;3.在气体和基板界面反应。现将这三种干法制膜技术分述如下。 展开更多

关键词 光激励 离子 反应 基板 等离子体蚀刻 等离子刻蚀 真空蒸镀法 半导体表面 功能材料 等离子技术 原子层 结晶性 CVD

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用于实时刻蚀深度控制的光干涉测量法

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作者 宋一平 《集成电路应用》 2007年第4期59-59,共1页

对等离子体刻蚀工艺过程中进行刻蚀的终点检测主要应用在以下两个方面：一是刻蚀穿透一种材料并在另一种材料的表面刻蚀过程终止．二是在一种材料内刻蚀到所需的深度后终止。在第一种应用中．由于刻蚀过程中不同材料的光发射谱是不一样... 对等离子体刻蚀工艺过程中进行刻蚀的终点检测主要应用在以下两个方面：一是刻蚀穿透一种材料并在另一种材料的表面刻蚀过程终止．二是在一种材料内刻蚀到所需的深度后终止。在第一种应用中．由于刻蚀过程中不同材料的光发射谱是不一样．因而通常采用OES（光发射谱）方法进行终点检测。 展开更多

关键词 表面刻蚀 干涉测量法 深度控制 实时 等离子体刻蚀 终点检测 光发射谱 工艺过程

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4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀 被引量：4

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作者 王进泽 杨香 +7 位作者 钮应喜 杨霏 何志 刘胜北 颜伟 刘敏 王晓东 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第1期59-63,共5页

传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HB... 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) SF6/O2/HBr 微沟槽效应 刻蚀速率

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PCR生物芯片微反应腔的制作及其热分析 被引量：5

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作者 刘大震 闫卫平 +1 位作者 郭吉洪 杜立群 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期321-323,327,共4页

在PCR生物芯片的制作过程中 ,微反应腔制作是关键部分之一。本文利用硅基微机械加工工艺 ,分别采用湿法化学腐蚀、干法等离子体刻蚀及两者相结合的方法进行了微反应腔的制作。通过扫描电镜分析 ,证明干法和湿法腐蚀相结合的制作工艺能... 在PCR生物芯片的制作过程中 ,微反应腔制作是关键部分之一。本文利用硅基微机械加工工艺 ,分别采用湿法化学腐蚀、干法等离子体刻蚀及两者相结合的方法进行了微反应腔的制作。通过扫描电镜分析 ,证明干法和湿法腐蚀相结合的制作工艺能加工出较理想的微反应腔体。本文还利用ANSYS软件对微反应腔进行温度分布和热特性分析。 展开更多

关键词 PCR 生物芯片 微反应腔 热分析 微机械加工工艺 湿法化学腐蚀 干法等离子体刻蚀

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4H-SiC材料干法刻蚀工艺的研究 被引量：4

19

作者 许龙来 钟志亲 《电子科技》 2019年第2期1-3,8,共4页

鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF_6/O_2混... 鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF_6/O_2混合气体和SF_6/CF4/O_2混合气体的刻蚀,并且探究了压强、ICP功率和混合气体比例对样品表面粗糙度的影响。实验结果表明使用SF_6/O_2混合气体刻蚀后,样品的表面平整度较好。在一定RIE功率条件下,当ICP功率为700 W、压强为20 m T和SF_6/O_2为50/40 sccm时,样品表面的粗糙度最小。 展开更多

关键词 碳化硅 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀 粗糙度 压强 功率 SF6/O2

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中微发布介质刻蚀及除胶一体机Primo iDEA^TM

20

《中国集成电路》 2014年第8期2-3,共2页

中微半导体设备有限公司日前发布Primoi—DEA^TM（“双反应台介质刻蚀除胶一体机”）——这是业界首次将双反应台介质等离子体刻蚀和光刻胶除胶反应腔整合在同一个平台上。PrimoiDEA^TM主要针对2Xnm及更先进的刻蚀工艺，运用中微已被业... 中微半导体设备有限公司日前发布Primoi—DEA^TM（“双反应台介质刻蚀除胶一体机”）——这是业界首次将双反应台介质等离子体刻蚀和光刻胶除胶反应腔整合在同一个平台上。PrimoiDEA^TM主要针对2Xnm及更先进的刻蚀工艺，运用中微已被业界认可的D—RIE刻蚀技术和Primo平台， 展开更多

关键词 等离子体刻蚀 一体机 介质 半导体设备 反应腔 刻蚀工艺 刻蚀技术 光刻胶

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