期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响
被引量：
4
1
作者
杨倬波
黄华茂
+1 位作者
施伟
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1297-1304,共8页
隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法。本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的Si O2与光刻胶混合掩膜在Ga N基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构。通过电致发光(EL)和电容计表征不...
隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法。本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的Si O2与光刻胶混合掩膜在Ga N基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构。通过电致发光(EL)和电容计表征不同刻蚀深度对LED芯片电学性能和电容大小的影响。实验结果表明,小尺寸的芯片有着更高的电流承受密度和更小的电容值,隔离槽刻蚀深度的增加能降低电容和电阻,从而使RC时间常数得到降低。有源层直径为120μm的芯片从仅有Mesa刻蚀到完全刻蚀到蓝宝石衬底,其RC调制带宽从155 MHz增大到176 MHz。减小芯片尺寸和完全刻蚀到蓝宝石衬底能有效减小芯片RC常数。这些工作将有助于Ga N基LED的未来设计和制造,以提高高频可见光通信的调制带宽和光功率。
展开更多
关键词
深刻蚀隔离槽
微尺寸LED芯片
电容
RC常数
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响
被引量：
4
1
作者
杨倬波
黄华茂
施伟
王洪
机构
华南理工大学电子与信息学院广东省光电工程技术研究开发中心
广州现代产业技术研究院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1297-1304,共8页
基金
广东省应用型科技研发专项资金(2015B010127013
2016B010123004)
+8 种基金
广东省科技计划(2014B010119002
2017B010112003
2016A010103011
2017A050501006)
广州市科技计划(201504291502518
201604046021
2016100100 38)
中央高校基本科研业务费专项资金(2017PY019
2015ZM131)资助项目~~
文摘
隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法。本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的Si O2与光刻胶混合掩膜在Ga N基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构。通过电致发光(EL)和电容计表征不同刻蚀深度对LED芯片电学性能和电容大小的影响。实验结果表明,小尺寸的芯片有着更高的电流承受密度和更小的电容值,隔离槽刻蚀深度的增加能降低电容和电阻,从而使RC时间常数得到降低。有源层直径为120μm的芯片从仅有Mesa刻蚀到完全刻蚀到蓝宝石衬底,其RC调制带宽从155 MHz增大到176 MHz。减小芯片尺寸和完全刻蚀到蓝宝石衬底能有效减小芯片RC常数。这些工作将有助于Ga N基LED的未来设计和制造,以提高高频可见光通信的调制带宽和光功率。
关键词
深刻蚀隔离槽
微尺寸LED芯片
电容
RC常数
Keywords
deep etching isolation
micro-LED chip
capacitance
RC constant
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN304 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响
杨倬波
黄华茂
施伟
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
