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变容二极管中子辐照损伤
1
作者
陈盘训
《核电子学与探测技术》
CAS
1987年第2期93-98,共6页
在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,在高中子注量下,漏电流和正向压降均变大,优值Q也发生变化。
关键词
变容二极管
中子辐照损伤
C-V特性
深俘获能级
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职称材料
题名
变容二极管中子辐照损伤
1
作者
陈盘训
机构
成都
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
1987年第2期93-98,共6页
文摘
在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,在高中子注量下,漏电流和正向压降均变大,优值Q也发生变化。
关键词
变容二极管
中子辐照损伤
C-V特性
深俘获能级
Keywords
Varactor diode
Neutron radiation damage
C-V characteristic
Deep level trap
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
变容二极管中子辐照损伤
陈盘训
《核电子学与探测技术》
CAS
1987
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