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21世纪深亚微米芯片技术的新进展
1
作者
郑学仁
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期81-84,共4页
着重介绍对微电子技术发展有重大意义的集成电路关键技术的进展情况 .MOS FET结构的探索创新、高K和低K绝缘材料的开发运用、铜布线芯片技术、极紫外线曝光技术以及SoC设计技术等里程碑式的进展 ,使集成电路朝着规模越来越大、图形线条...
着重介绍对微电子技术发展有重大意义的集成电路关键技术的进展情况 .MOS FET结构的探索创新、高K和低K绝缘材料的开发运用、铜布线芯片技术、极紫外线曝光技术以及SoC设计技术等里程碑式的进展 ,使集成电路朝着规模越来越大、图形线条越来越细、功耗越来越低、工作速度越来越快的方向不断发展 ,为 2
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关键词
21世纪
深亚微米芯片技术
微电子
技术
集成电路
光刻
系统级
芯片
MOSFET
图形转移
布线工艺
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职称材料
题名
21世纪深亚微米芯片技术的新进展
1
作者
郑学仁
机构
华南理工大学应用物理系
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期81-84,共4页
文摘
着重介绍对微电子技术发展有重大意义的集成电路关键技术的进展情况 .MOS FET结构的探索创新、高K和低K绝缘材料的开发运用、铜布线芯片技术、极紫外线曝光技术以及SoC设计技术等里程碑式的进展 ,使集成电路朝着规模越来越大、图形线条越来越细、功耗越来越低、工作速度越来越快的方向不断发展 ,为 2
关键词
21世纪
深亚微米芯片技术
微电子
技术
集成电路
光刻
系统级
芯片
MOSFET
图形转移
布线工艺
Keywords
microelectronics
integrated circuit
lithography
system on chip
intellectual property
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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1
21世纪深亚微米芯片技术的新进展
郑学仁
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
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