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深亚微米器件Monte Carlo模拟的数学模型被引量：2: 1; 作者赵平魏同立吴金《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1999年第1期8-13,共6页; 讨论了深亚微米半导体器件模拟的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法（ＭＣＭ），并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系．; 关键词深亚微米器件半导体器件蒙特卡罗模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米器件的诊断与特征分析变得越来越重要: 2; 作者 Itzik Goldberger 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期55-56,共2页; 关键词深亚微米器件故障诊断特征分析芯片设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米SOIMOS器件研究与设计被引量：2: 3; 作者颜志英张斌张敏霞《浙江工业大学学报》 CAS 2002年第4期348-351,共4页; 利用自己设计的适合深亚微米SOIMOS器件模型及SPICE电路模拟程序 ,详细分析了小尺寸SOI器件的阈值电压、饱和漏电流、电导、跨导等与工艺参数的关系 ,通过大量的模拟、计算 ,我们提出了小尺寸FDSOIMOSFET的设计方案 ,并根据该方案研制... 展开更多; 关键词 SOIMOS器件模拟设计深亚微米器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型被引量：3: 4; 作者李海霞毛凌锋《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期254-257,共4页; 随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程... 展开更多; 关键词深亚微米半导体器件解析阈值电压模型量子机制效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米器件Monte Carlo模拟的数学模型被引量：2: 1; 作者赵平魏同立吴金; 机构东南大学微电子中心; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1999年第1期8-13,共6页; 文摘讨论了深亚微米半导体器件模拟的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法（ＭＣＭ），并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系．; 关键词深亚微米器件半导体器件蒙特卡罗模拟; Keywords Monte Carlo method (MCM) mathematical model scattering deep submicrometer device; 分类号 TN302 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米器件的诊断与特征分析变得越来越重要: 2; 作者 Itzik Goldberger; 机构科利登系统公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期55-56,共2页; 关键词深亚微米器件故障诊断特征分析芯片设计; 分类号 TN307 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米SOIMOS器件研究与设计被引量：2: 3; 作者颜志英张斌张敏霞; 机构浙江工业大学信息学院; 出处《浙江工业大学学报》 CAS 2002年第4期348-351,共4页; 文摘利用自己设计的适合深亚微米SOIMOS器件模型及SPICE电路模拟程序 ,详细分析了小尺寸SOI器件的阈值电压、饱和漏电流、电导、跨导等与工艺参数的关系 ,通过大量的模拟、计算 ,我们提出了小尺寸FDSOIMOSFET的设计方案 ,并根据该方案研制出性能优良的沟道长度为 0 2; 关键词 SOIMOS器件模拟设计深亚微米器件; Keywords SOIMOSFET simulate design; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型被引量：3: 4; 作者李海霞毛凌锋; 机构苏州大学电子信息学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期254-257,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60606016); 文摘随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程的基础上。分析在泊松方程中考虑量子效应后建立的分析的阈值电压模型可知:随着器件尺寸的减小,由量子效应和短沟道效应引起的阈值电压的升高变得越来越严重。本模型的优点是没有引入额外的物理参数。; 关键词深亚微米半导体器件解析阈值电压模型量子机制效应; Keywords sub-micron MOSFET analytical threshold model quantum mechanism effect; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料