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原子层淀积系统: 1; 《集成电路应用》 2006年第10期53-53,共1页; 原子层淀积系统FlexAL可以根据需求淀积超薄薄膜。设备采用等离子原子层淀积技术，能够在低温条件下得到高纯度、致密的薄膜，并且还能够使用热原子层淀积技术进行生产，这大大增强了设备的灵活性。设备已经具备生产高介电常数绝缘材料... 展开更多; 关键词淀积技术原子层系统 AL2O3薄膜超薄薄膜 HFO2薄膜高介电常数低温条件; 在线阅读下载PDF 职称材料

原子层分子束外延技术: 2; 作者宋登元《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第8期47-48,F003,9,共4页; 本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延(ALMBE).介绍了它的基本原理、生长方法和应用.; 关键词原子层分子束外延技术化学气相淀积技术薄膜生产异质结构 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物; 全文增补中

光学薄膜镀制技术的对比研究: 3; 作者 F.弗洛里 C.昂拉 +4 位作者 M.科芒德烈 E.佩尔蒂埃 G.阿尔布朗李东光周鹏飞《上海机械学院学报》 1990年第1期35-38,64,共5页; 本文介绍了两种光学镀膜真空淀积技术——离子辅助淀积和反应离子镀,并详述了近年来的应用及进一步的发展。; 关键词光学薄膜镀制离子镀淀积技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

二极管上装滤光片的技术已经成熟: 4; 作者 Roger Forrest 高国龙《红外》 CAS 1999年第11期14-17,共4页; 将一个多层滤光片直接淀积在一个光电二极管上,可以制成一种适用于高批量应用的比较精致和经济的器件。; 关键词滤光片光电二极管淀积技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

新技术使薄膜光学涂层发生巨大变化: 5; 作者 H.Angus Macleod 高国龙《红外》 CAS 1994年第10期1-4,共4页; 设计与制备方面的进展,包括一些高能淀积技术,促进了薄膜涂层的迅速发展。; 关键词涂层薄膜光学涂层淀积技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

笑气中氧和水份对等离子氧化膜质量影响的探讨: 6; 作者李智玲李世莲《低温与特气》 CAS 1986年第1期57-59,共3页; 一、前言随着硅片尺寸的增大和器件集成度的提高，高质量的绝缘膜对提高器件的成品率有很大的影响。利用等离子增强化学法气相淀积技术(PECVD)生长的等离子氧化膜，能较好地满足器件所要求的各种淀积特性。其反应气可采用硅烷SiH4和笑... 展开更多; 关键词氧化膜质量影响水份等离子增强淀积技术 SIH4 二氧化硅集成度器件成品率绝缘膜化学法反应气 CVD 粉末状无定形氧气硅烷气相; 在线阅读下载PDF 职称材料

生长在InP上的InAs量子点红外光电探测器: 7; 作者高国龙《红外》 CAS 2005年第9期14-14,共1页; 诸如量子阱红外光电探测器之类的子带间探测器在红外遥感中已得到广泛使用。经预测，量子点红外光电探测器的性能比量子阱红外光电探测器更好。美国西北大学的研究人员利用低压金属有机化学汽相淀积技术在InP衬底上生长成了一种InAs量... 展开更多; 关键词量子阱红外光电探测器 INAS量子点 INP衬底生长金属有机化学红外遥感淀积技术研究人员西北大学; 在线阅读下载PDF 职称材料

单片铅-盐红外辐射探测器及制作方法: 8; 作者高《红外》 CAS 2004年第10期27-27,共1页; 美国专利US6734516 (2004年5月11日授权) 目前有多种高性能混成红外探测器存在,如HgCdTe或InSb等。这些探测器需要低温致冷,成本较高。除此之外,还有两种工作温度接近室温的红外探测器,如微测辐射热计和InGaAs探测器,遗憾的是。; 关键词单片铅-盐红外辐射探测器微测辐射热计分子束外延淀积技术结构设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

高温热应用推动AuSn芯片粘接: 9; 作者 Jonathan Harris Erich Rubel 《集成电路应用》 2007年第11期52-54,共3页; 对于给定的应用，适当的淀积技术能够满足芯片粘接的要求。; 关键词芯片粘接应用温热淀积技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

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