O484.1 98031862嵌埋在SiO<sub>2</sub>基质中的nc—Ge的制备及其发光现象=Preparation of nc—Ge embedded in SiO<sub>2</sub> ma-trix and observation of visible photolumi-neseence[刊,中]/贺振宏,陈坤基...O484.1 98031862嵌埋在SiO<sub>2</sub>基质中的nc—Ge的制备及其发光现象=Preparation of nc—Ge embedded in SiO<sub>2</sub> ma-trix and observation of visible photolumi-neseence[刊,中]/贺振宏,陈坤基,冯端（南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室.江苏,南京（210093））∥物理学报,—1997,46（6）.—1153—1160采用等离子体化学汽相淀积技术生长a—Ge<sub>x</sub>Si<sub>l—x</sub>:H薄膜,利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和x射线衍射谱分析样品的微结构,研究a—Ge<sub>x</sub>Si<sub>1—x</sub>:H薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化。展开更多
文摘O484.1 98031862嵌埋在SiO<sub>2</sub>基质中的nc—Ge的制备及其发光现象=Preparation of nc—Ge embedded in SiO<sub>2</sub> ma-trix and observation of visible photolumi-neseence[刊,中]/贺振宏,陈坤基,冯端（南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室.江苏,南京（210093））∥物理学报,—1997,46（6）.—1153—1160采用等离子体化学汽相淀积技术生长a—Ge<sub>x</sub>Si<sub>l—x</sub>:H薄膜,利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和x射线衍射谱分析样品的微结构,研究a—Ge<sub>x</sub>Si<sub>1—x</sub>:H薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化。
