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PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究
1
作者 王柏青 张克云 +2 位作者 包宗明 王焕杰 王季陶 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第5期412-415,共4页
研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量也大大减少，但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进... 研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量也大大减少，但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进行测试，表明碳氮化硅薄膜具有较好的绝缘性能。 展开更多
关键词 碳氮化硅薄膜 淀积工艺 钝化模 集成电路 PECVD
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