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火焰水解淀积Si02膜的退火研究: 1; 作者张乐天王昕 +4 位作者吴远大邢华李爱武郑伟张玉书《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期239-243,共5页; 本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO2膜，然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理。我们利用原子力量微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS），X射线衍射仪（XRD）及可变入射角椭圆偏振仪（VASE）对... 展开更多; 关键词硅衬底光波导 SIO2膜退火处理下包层材料淀积火焰水解光通信波分复用系统二氧化硅膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究: 2; 作者刘倩倩魏淑华 +2 位作者杨红张静闫江《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期285-290,共6页; 研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更... 展开更多; 关键词 HFO2 淀积后退火(pda) C-V特性等效氧化层厚度平带电压栅极泄漏电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同状态CaAs表面上Au淀积研究: 3; 作者王大文钟战天 +1 位作者范越牟善明《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第2期109-114,127,共7页; 利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温... 展开更多; 关键词淀积 AU CaAs 覆盖层衬底温度粗糙度生长模式生长机理金属态退火温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

TiO_2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究被引量：2: 4; 作者王栋王民 +3 位作者许效红侯云王弘韩辉《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期476-478,共3页; 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果... 展开更多; 关键词 TIO2薄膜 MOCVD法制备退火条件金属有机化合物气相淀积 X-射线衍射 BT实验二氧化钛栅极绝缘介质 MOS; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性被引量：3: 5; 作者陶凯郭国超 +2 位作者孔蔚然韩瑞津邹世昌《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期29-31,共3页; 利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜... 展开更多; 关键词现场蒸汽生成退火低压化学汽相淀积隧穿氧化层; 在线阅读下载PDF 职称材料

Te团簇膜及其退火效应: 6; 作者陈平平洪建明 +5 位作者季亚林缪炳有俞圣雯李天信韩民王广厚《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期501-502,共2页; 新发展起来的低能团簇束流淀积技术（ＬＥＣＢＤ）由于其尺寸可控，以及分布均一而引起人们的关注。利用该技术已制备了高质量的Ｓｂ，Ｂｉ薄膜，并发现了许多新奇的现象［１］。Ｔｅ及其合金膜已在记忆开关元件等光电器件中得到大量的... 展开更多; 关键词薄膜退火效应碲团簇束流淀积团簇膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响: 7; 作者王大文钟战天 +1 位作者范越牟善明《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期234-239,233,共7页; 利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于约225℃时,表面内Ga... 展开更多; 关键词表面处理方式 Au/GaAs 退火温度淀积表面处理方法原子态束缚能化学位移金属态端移动; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAs/InP材料的Zn扩散技术被引量：4: 8; 作者刘英斌陈宏泰 +2 位作者林琳杨红伟郑晓光《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期610-612,共3页; 使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩... 展开更多; 关键词金属有机化学气相淀积锌扩散退火电化学C-V 光电探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

掺杂对氟化非晶碳膜场发射性能的影响: 9; 作者刘雄飞李伯勋徐根《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期228-231,共4页; 利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备(RF-PECVD)在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜,研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理,研究了薄膜场发射电流的稳定性,通过原子力显微镜,观察了薄膜退火前后的表面形貌。通... 展开更多; 关键词掺氮氟化类金刚石场发射稳定性掺杂退火等离子体增强型化学气相淀积; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名火焰水解淀积Si02膜的退火研究: 1; 作者张乐天王昕吴远大邢华李爱武郑伟张玉书; 机构吉林大学集成光电子国家重点实验室吉林大学文学院; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期239-243,共5页; 文摘本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO2膜，然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理。我们利用原子力量微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS），X射线衍射仪（XRD）及可变入射角椭圆偏振仪（VASE）对SiO2膜进行了测试分析。当退火温度达到1400℃时，SiO2膜致密均匀，适合用作波导的下包层。; 关键词硅衬底光波导 SIO2膜退火处理下包层材料淀积火焰水解光通信波分复用系统二氧化硅膜; 分类号 TN252 [电子电信—物理电子学] TN929. [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究: 2; 作者刘倩倩魏淑华杨红张静闫江; 机构北方工业大学电子信息工程学院中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期285-290,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61504001) 北京市自然科学基金资助项目(4162023); 文摘研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更大的工艺窗口。通过对HfO2栅介质MOSCAP的等效氧化层厚度（dEOT）、平带电压（Vfb）和栅极泄漏电流（Ig）等参数进一步分析发现,与O2环境相比,高k HfO2栅介质在N2环境中PDA处理时dEOT和Ig更小、Vfb相差不大,更适合纳米器件的进一步微缩。HfO2栅介质PDA处理的最佳工艺条件是在N2环境中600℃下进行。该优化条件下高k HfO2栅介质MOSCAP的dEOT=0.75 nm,Vfb=0.37 V,Ig=0.27 A/cm-2,满足14或16 nm技术节点对HfO2栅介质的要求。; 关键词 HFO2 淀积后退火(pda) C-V特性等效氧化层厚度平带电压栅极泄漏电流; Keywords HfO2 post deposition annealing （ pda ） C-V characteristic equivalent oxide thickness flat band voltage gate leakage current; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同状态CaAs表面上Au淀积研究: 3; 作者王大文钟战天范越牟善明; 机构清华大学电子工程系中国科学院半导体研究所国和家表面物理实验室中国科学院半导体研究所和国家表面物理实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第2期109-114,127,共7页; 基金国家自然科学基金; 文摘利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。; 关键词淀积 AU CaAs 覆盖层衬底温度粗糙度生长模式生长机理金属态退火温度; 分类号 TB7-55 [一般工业技术—真空技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TiO_2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究被引量：2: 4; 作者王栋王民许效红侯云王弘韩辉; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期476-478,共3页; 基金山东省自然科学基金资助项目(Y96F15097); 文摘用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果表明,只有在一定的退火温度下薄膜才有较好的结晶性。在退火温度为850°C、退火时间为30min时,可得到完全为金红石相的TiO2薄膜,其固定电荷密度的数量级为1011/cm2,可动电荷密度在(3～4)×1011/cm2,电荷极性为正。; 关键词 TIO2薄膜 MOCVD法制备退火条件金属有机化合物气相淀积 X-射线衍射 BT实验二氧化钛栅极绝缘介质 MOS; Keywords MOCVD TiO2 thin films XRD BT test; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性被引量：3: 5; 作者陶凯郭国超孔蔚然韩瑞津邹世昌; 机构上海宏力半导体制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期29-31,共3页; 文摘利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路。; 关键词现场蒸汽生成退火低压化学汽相淀积隧穿氧化层; Keywords ISSG annealing LPCVD tunnel oxide; 分类号 TN305.5 [电子电信—物理电子学] TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Te团簇膜及其退火效应: 6; 作者陈平平洪建明季亚林缪炳有俞圣雯李天信韩民王广厚; 机构南京大学固体微结构国家重点实验室南京大学现代分析中心; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期501-502,共2页; 文摘新发展起来的低能团簇束流淀积技术（ＬＥＣＢＤ）由于其尺寸可控，以及分布均一而引起人们的关注。利用该技术已制备了高质量的Ｓｂ，Ｂｉ薄膜，并发现了许多新奇的现象［１］。Ｔｅ及其合金膜已在记忆开关元件等光电器件中得到大量的应用，并有很强的各向异性特性［２］...; 关键词薄膜退火效应碲团簇束流淀积团簇膜; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响: 7; 作者王大文钟战天范越牟善明; 机构清华大学电子工程系中国科学院半导体研究所国家表面物理实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期234-239,233,共7页; 基金国家自然科学基金; 文摘利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于约225℃时,表面内Ga、As含量随退火温度升高而等量增加;温度高于225℃时,As开始逸出。热退火同时还会使Au芯能级位置向高束缚能端移动。; 关键词表面处理方式 Au/GaAs 退火温度淀积表面处理方法原子态束缚能化学位移金属态端移动; 分类号 TB7-55 [一般工业技术—真空技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs/InP材料的Zn扩散技术被引量：4: 8; 作者刘英斌陈宏泰林琳杨红伟郑晓光; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期610-612,共3页; 文摘使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释。样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度。InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3。在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件。; 关键词金属有机化学气相淀积锌扩散退火电化学C-V 光电探测器; Keywords MOCVD Zn diffusion anneal electro-chemical C-V photo detector; 分类号 TN305.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掺杂对氟化非晶碳膜场发射性能的影响: 9; 作者刘雄飞李伯勋徐根; 机构中南大学物理科学与技术学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期228-231,共4页; 文摘利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备(RF-PECVD)在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜,研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理,研究了薄膜场发射电流的稳定性,通过原子力显微镜,观察了薄膜退火前后的表面形貌。通过场发射测试表明,随着氮含量的升高,薄膜的阈值电场降低,发射电流逐渐升高。退火后,掺氮薄膜达到稳定的发射电流的时间比未掺氮薄膜大大缩短。表面形貌分析表明,退火后由于薄膜表面微凸的减少,发射电流有所下降。; 关键词掺氮氟化类金刚石场发射稳定性掺杂退火等离子体增强型化学气相淀积; Keywords FN-DLC （nitrogen doped fluorinated diamond-like carbon） field emission stability doping annealing RF-PECVD; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	火焰水解淀积Si02膜的退火研究	张乐天王昕吴远大邢华李爱武郑伟张玉书	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究	刘倩倩魏淑华杨红张静闫江	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同状态CaAs表面上Au淀积研究	王大文钟战天范越牟善明	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	TiO_2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究	王栋王民许效红侯云王弘韩辉	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性	陶凯郭国超孔蔚然韩瑞津邹世昌	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Te团簇膜及其退火效应	陈平平洪建明季亚林缪炳有俞圣雯李天信韩民王广厚	《电子显微学报》 CAS CSCD	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响	王大文钟战天范越牟善明	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	InGaAs/InP材料的Zn扩散技术	刘英斌陈宏泰林琳杨红伟郑晓光	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
9	掺杂对氟化非晶碳膜场发射性能的影响	刘雄飞李伯勋徐根	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料