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沉积温度对MOCVD法制备固体氧化物燃料电池GDC阻挡层性质的影响
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作者 马超 熊春艳 +1 位作者 徐源来 赵培 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第12期2197-2204,共8页
致密的氧化钆掺杂的氧化铈(GDC)薄膜可以被应用于固体氧化物燃料电池(SOFC)的阴极LSCF与电解质YSZ的阻挡层,防止绝缘相SrZrO3的生成,从而提高电池的耐久性。本文以四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铈(Ce(DPM)_(4))和三(2,2,6,6-四甲基-3,5... 致密的氧化钆掺杂的氧化铈(GDC)薄膜可以被应用于固体氧化物燃料电池(SOFC)的阴极LSCF与电解质YSZ的阻挡层,防止绝缘相SrZrO3的生成,从而提高电池的耐久性。本文以四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铈(Ce(DPM)_(4))和三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)钆(Gd(DPM)_(3))为前驱体,采用智能化学气相沉积设备在723~923 K在YSZ陶瓷基板表面制备GDC薄膜,并研究了不同沉积温度对GDC薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构和电化学性能的影响。在748~923 K时制备了具有(200)择优取向的淡黄色GDC薄膜,且GDC晶粒呈岛状生长模式。在873 K时得到了阻挡效果良好的(200)择优取向的淡黄色GDC薄膜。组装LSCF/GDC/YSZ/GDC/LSCF对称电池,在1073 K下测得电池阻抗为0.08Ω·cm^(2),活化能为1.52 eV,表明873 K为化学气相沉积法制备GDC薄膜的最佳沉积温度。 展开更多
关键词 氧化钆掺杂氧化 金属有机物化学沉积 沉积温度 固体氧化物燃料电池
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金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程(英文) 被引量:1
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作者 Tabitha M.Cook Adam C.Lamb 薛子陵 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第11期1947-1958,共12页
金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而... 金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H_2O或O_3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O_2反应的研究。 展开更多
关键词 金属氧化物 栅极电介质材料 薄膜 微电子学 化学沉积 原子层沉积
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Ni-Mo双金属氧化物催化剂CVD法大量制备成束多壁纳米碳管 被引量:3
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作者 李昱 张孝彬 +3 位作者 陶新永 王幼文 刘芙 许国良 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1233-1238,共6页
采用溶胶凝胶法合成的Ni-Mo双金属氧化物催化剂,用CVD法催化裂解甲烷从而大量制备高质量高纯度的成束多壁纳米碳管.实验结果表明,该催化剂具有很高的活性和催化效率.反应2h后,制备的多壁纳米碳管的量可达到初始催化剂量的80倍以上.碳管... 采用溶胶凝胶法合成的Ni-Mo双金属氧化物催化剂,用CVD法催化裂解甲烷从而大量制备高质量高纯度的成束多壁纳米碳管.实验结果表明,该催化剂具有很高的活性和催化效率.反应2h后,制备的多壁纳米碳管的量可达到初始催化剂量的80倍以上.碳管的直径较均匀,在10~20nm之间.随着反应时间的延长,制备的纳米碳管石墨化程度增加,反应1h后,粗产品中纳米碳管的含量就超过了97%.简单放大后,单炉每克催化剂可以在0.5h内制得40g以上多壁纳米碳管. 展开更多
关键词 镍-钼双金属氧化物催化剂 成束多壁纳米碳管 制备 溶胶凝胶法 化学沉积
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金属氧化物纳米线和纳米棒的制备及应用 被引量:17
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作者 姜国华 姜继森 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期753-758,共6页
本文综述了金属氧化物纳米线、纳米棒研究的新进展。重点评述了气相热化学合成法、热分解前驱物法、溶胶 -凝胶电泳沉积法制备纳米线的过程及各自的生长机制 ,并对金属氧化物纳米线
关键词 金属氧化物 纳米线 纳米棒 制备 化学合成法 热分解前驱物法 溶胶-凝胶电泳沉积 纳米材料
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过渡金属氮氧化物制备方法的研究进展 被引量:1
5
作者 汪广进 余意 +3 位作者 程凤 梁聪 徐甜 潘牧 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期27-31,共5页
综述了近10年来过渡金属氮氧化物的制备方法,主要包括溅射法(磁控溅射法和等离子体溅射法)、化学气相沉积法(等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法和催化化学气相沉积法)和化学合成法(氨解法、原位热解法和氮化物氧化法)三大... 综述了近10年来过渡金属氮氧化物的制备方法,主要包括溅射法(磁控溅射法和等离子体溅射法)、化学气相沉积法(等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法和催化化学气相沉积法)和化学合成法(氨解法、原位热解法和氮化物氧化法)三大类,并总结了常用的溅射法和化学气相沉积法合成技术参数。 展开更多
关键词 过渡金属氧化物 溅射法 化学沉积 化学合成法
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电介质表面金属功能图案激光加工技术研究进展
6
作者 肖荣诗 魏佳硕 +1 位作者 崔梦雅 黄婷 《航空制造技术》 北大核心 2025年第1期22-35,共14页
电介质表面金属功能图案在航空航天、消费电子、柔性传感等领域的需求日益增长。激光加工作为一种无需掩膜的柔性制造技术,具有加工精度高、非接触式加工、制造效率高等优点,可以在多种电介质表面实现金属功能图案的直接制造,近年来发... 电介质表面金属功能图案在航空航天、消费电子、柔性传感等领域的需求日益增长。激光加工作为一种无需掩膜的柔性制造技术,具有加工精度高、非接触式加工、制造效率高等优点,可以在多种电介质表面实现金属功能图案的直接制造,近年来发展迅速。按照自上而下和自下而上的技术路线,分别概述激光刻蚀、选择性激光烧结、脉冲激光沉积、激光诱导化学液相沉积、激光诱导化学气相沉积、激光辅助化学镀6种激光加工技术的原理和优势,及它们在电介质表面加工金属功能图案的最新研究进展,并总结相应的技术瓶颈和未来发展趋势。 展开更多
关键词 激光加工 金属功能图案 激光刻蚀 选择性激光烧结(SLS) 脉冲激光沉积(PLD) 激光诱导化学液相沉积(LCLD) 激光诱导化学沉积(LCVD) 激光辅助化学镀(LEP)
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钛硅复合氧化物局域结构的研究 被引量:10
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作者 杨晓光 董鹏 +4 位作者 周亚松 刘涛 张静 谢亚宁 胡天斗 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第1期33-37,共5页
用 XAFS(X-ray absorption fine structure)分析了由溶胶-凝胶、液相浸渍和化学气相沉积等三种方法制备的二氧化钛和二氧化硅复合氧化物的 Ti K 边结构.结果表明:溶胶-凝胶法制得的复合氯化物中的钛分散很好,液相浸渍法次之,而化学... 用 XAFS(X-ray absorption fine structure)分析了由溶胶-凝胶、液相浸渍和化学气相沉积等三种方法制备的二氧化钛和二氧化硅复合氧化物的 Ti K 边结构.结果表明:溶胶-凝胶法制得的复合氯化物中的钛分散很好,液相浸渍法次之,而化学气相沉积法最差,不论哪种方法,随钛含量(或钛硅原子比)的增加,边前特征峰 A2降低,钛的第一配位层 Ti-O 的配位数和键长增加;在复合载体中既有钛中心对称的八面体6配位 TiO_6的结构也有钛中心对称性差的四面体4配位 TiO_4或五面体5配位结构,并且随钛含量增加,钛的局域结构越来越接近锐钛矿型二氧化钛,根据 XAFS、XRD、IR 表征结果,提出了钛硅复合氧化物模型。 展开更多
关键词 XAFS 钛硅复合氧化物 溶胶-凝胶 液相浸渍 化学沉积 催化剂
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MOCVD法制备一维氧化物阵列材料 被引量:5
8
作者 张跃 袁洪涛 +1 位作者 程进 宋强 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期939-943,共5页
介绍了一种新型的大气开放式金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)系统的结构及其新特点 ;以ZnO纳米棒阵列材料的制备为例 ,说明了大气开放式MOCVD法制备氧化物阵列材料的方法 ,并对氧化物阵列材料的制备过程进行了论述 ;扫描电镜研究发现这... 介绍了一种新型的大气开放式金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)系统的结构及其新特点 ;以ZnO纳米棒阵列材料的制备为例 ,说明了大气开放式MOCVD法制备氧化物阵列材料的方法 ,并对氧化物阵列材料的制备过程进行了论述 ;扫描电镜研究发现这些取向生长的氧化物一维材料均垂直于基片沿某一方向生长 ,并且排列非常规整 ,具有无晶界、晶体缺陷少、体表面积小和具有特殊的尖端等特点 ;介绍了制备VOx,FeOx,TiO2 等一元金属氧化物和ZnAlO 。 展开更多
关键词 化学沉积 氧化物 一维材料 阵列材料
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一种实时掺氦生长P型氧化锌晶体薄膜的方法
9
《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第2期28-28,共1页
本发明公开的实时掺氮生长P型氧化锌晶体薄膜的方法,是在金属有机化学汽相沉积过程中利用活化裂化高纯氮源气体产生氮原子进行实时掺氮的。步骤如下:先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中,生长室真空度抽到至少10^-4P... 本发明公开的实时掺氮生长P型氧化锌晶体薄膜的方法,是在金属有机化学汽相沉积过程中利用活化裂化高纯氮源气体产生氮原子进行实时掺氮的。步骤如下:先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中,生长室真空度抽到至少10^-4Pa,然后加热衬底,使衬底温度为350—950℃,将高纯氧源和用高纯载气将高纯有机锌源输入生长室中在衬底上生长氧化锌薄膜,高纯氧源和高纯有机锌源的摩尔流量分别为5~100000μmol/min和0.1~1000μmol/min,同时将用原子发生器活化裂化高纯氮源气体分离出的氮原子输入生长室, 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 晶体薄膜 金属有机化学沉积 生长 实时 P型 衬底温度 有机锌源
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生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响 被引量:3
10
作者 汪韬 李宝霞 +2 位作者 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1479-1482,共4页
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴... 采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关 ,而且与GaAs单晶外延生长参量有关 展开更多
关键词 生长速率 低压MOCVD 外延生长 异质结 液相金属氧化物化学汽相沉积 GAAS/GE 反向畴 砷化镓 半导体 太阳电池
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MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能 被引量:2
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作者 史志锋 伍斌 +7 位作者 蔡旭浦 张金香 王辉 王瑾 夏晓川 董鑫 张宝林 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期514-518,共5页
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结... 采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。 展开更多
关键词 As掺杂 p-ZnO/n-SiC 电致发光 金属有机化学沉积
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等离子体增强液态源MOCVD系统的研制 被引量:1
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作者 刘卫国 周顺 +3 位作者 高爱华 张伟 张雄星 金娜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期476-480,共5页
本文介绍了一台新型等离子体增强液态源MOCVD系统。系统由液态源汽化装置、反应室、等离子体产生装置、真空系统及自动控制系统等主要部分组成。该系统采用了由超声雾化器和加热腔组成的液态源汽化装置,将液态源转变成气态供给反应室沉... 本文介绍了一台新型等离子体增强液态源MOCVD系统。系统由液态源汽化装置、反应室、等离子体产生装置、真空系统及自动控制系统等主要部分组成。该系统采用了由超声雾化器和加热腔组成的液态源汽化装置,将液态源转变成气态供给反应室沉积薄膜。为了提高金属有机物的化学反应活性,在有布气盒结构的反应室基础上,引入了射频等离子体。真空控制采用了由蝶阀、真空规和机械增压泵组成的闭环控制系统。自动控制系统的设计基于PLC和触摸屏,通过触摸屏完成工艺参数设置及实时数据显示,通过PLC完成系统控制。使用该液体输送MOCVD系统在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了锆钛酸铅铁电薄膜。实际应用证明,该系统结构紧凑,高度自动化以及控制灵活,适合于制备高质量的复合金属氧化物薄膜。 展开更多
关键词 金属有机物化学沉积 化器 氧化物铁电薄膜
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用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器 被引量:8
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作者 张吉英 蒋大勇 +3 位作者 鞠振刚 申德振 姚斌 范希武 《中国光学与应用光学》 2008年第1期80-84,共5页
考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型... 考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲(太阳盲)波段的光响应,典型的光响应峰值分别在225和250 nm,截止边为230和273 nm。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜 射频磁控溅射 金属有机化学沉积 日盲紫外探测器
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材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响
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作者 谢自力 张荣 +9 位作者 刘斌 姬小利 李亮 修向前 江若琏 龚海梅 赵红 韩平 施毅 郑有炓 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1060-1062,共3页
采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DB... 采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DBR的性能影响很大。通过材料的优化生长,获得了反射率高达93.5%、中心波长和发射率都接近理论值的A lGaN/A lN DBR材料。 展开更多
关键词 分布布拉格反射镜 反射率 AlxGa1-x N/AlN 金属有机化学沉积
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薄层光电晶体的研究
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作者 任鹏程 谭忠恪 罗文秀 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第2期138-140,共3页
本文报导了在300~410℃下采用MOCVD技术制备多晶(非晶和微晶)薄层氧化物TiO_2(Fe_2O_3、SnO_2和In_2O_3·Sn)膜的结果,这些薄层氧化物的结构、表面形态和光电化学性质采用x-射线衍射... 本文报导了在300~410℃下采用MOCVD技术制备多晶(非晶和微晶)薄层氧化物TiO_2(Fe_2O_3、SnO_2和In_2O_3·Sn)膜的结果,这些薄层氧化物的结构、表面形态和光电化学性质采用x-射线衍射、电于显微镜和三电极方法进行描述。实验指出,这些薄层从化物适宜于作为光电极的透明导电涂层和分解水的光催化。 展开更多
关键词 薄层光电晶体 透明导电薄层氧化物 金属有机化学沉积
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采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜 被引量:4
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作者 崔勇国 张源涛 +3 位作者 朱慧超 张宝林 李万程 杜国同 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1154-1157,1153,共5页
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜。该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所... 采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜。该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的。与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性。对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层。 展开更多
关键词 金属有机化学沉积 ZNO薄膜 半导体材料
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光探测与器件
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《中国光学》 EI CAS 2008年第4期69-70,共2页
关键词 紫外探测器 器件 欧姆接触 国家重点实验室 金属有机化学沉积 半导体 测试结果 传感技术 肖特基势垒高度 响应率
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光学镀膜与装置
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《中国光学》 EI CAS 1999年第2期63-64,共2页
O484.1 99021127GaN薄膜低温外延的ECR—PAMOCVD技术=Cryogenicepitaxial ECR—PAMOCVD technologyfor growing GaN thin films[刊,中]/徐茵,顾彪,秦福文,从吉远(大连理工大学电磁工程系.辽宁,大连(116023)),杨树人(吉林大学电子工程系... O484.1 99021127GaN薄膜低温外延的ECR—PAMOCVD技术=Cryogenicepitaxial ECR—PAMOCVD technologyfor growing GaN thin films[刊,中]/徐茵,顾彪,秦福文,从吉远(大连理工大学电磁工程系.辽宁,大连(116023)),杨树人(吉林大学电子工程系.吉林,长春(130023))//半导体技术.—1998,(1).—37-39给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积技术和在低温(≤600℃)、极低气压(≤Pa)下生长GaN外延膜的装置、工艺及实验结果.并与以往的GaN外延技术进行了比较,说明了这种新的低温外延技术的独特优点。图3参6(方舟) 展开更多
关键词 金属有机化学沉积 微波等离子体 电子回旋共振 外延技术 高温超导薄膜 半导体技术 电磁工程 装置 大连理工大学 电子工程
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薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计
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《中国光学》 CAS 2005年第3期53-60,共8页
O484.1 2005032005 金属网栅结构参数设计与制作=Characteristic dimension design and fabrication of metallic mesh[刊,中]/冯晓国(中 科院长春光机所.吉林,长春(130033)),方梁…∥光学精 密工程.-2005,13(1).-59-64 研究了金... O484.1 2005032005 金属网栅结构参数设计与制作=Characteristic dimension design and fabrication of metallic mesh[刊,中]/冯晓国(中 科院长春光机所.吉林,长春(130033)),方梁…∥光学精 密工程.-2005,13(1).-59-64 研究了金属网栅结构参数对其光电特性的影响,并通 过工艺实验结果测试,验证了分析计算成果。实验采用清 洗、涂胶、光刻、显影、镀膜、去胶、电镀工艺流程,并用激光 直写曝光代替掩模投影曝光。 展开更多
关键词 光致发光 膜系设计 多层膜 薄膜光学 毫米波 化学沉积 多晶薄膜 激活能 微波等离子体 金属网栅
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